【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本披露涉及包括半导体器件、晶体管和集成电路的微电子器件，包括微细加工的方法。
技术介绍
1、由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成密度的提高来自于最小特征尺寸的不断减小，这允许将更多部件集成到给定区域中。随着最近对小型化、更高速度和更大带宽以及更低功耗和延迟的需求增长，对更小且更具创造性的半导体晶粒封装技术的需求也增长。
2、正在实施晶片对晶片和芯片对芯片键合以继续对如在片上系统(soc)中实施的复杂电路进行功率-性能-面积-成本(ppac)定标。许多键合技术利用氧化物对氧化物键合附着并通过混合键合技术形成集成的互连结构，该混合键合技术使得能够在两个晶片或晶粒之间的键合界面处形成互连。然而，在键合晶片之前，当前技术通常使用至少一种蚀刻技术(例如，湿法或干法蚀刻)对相应晶片的互连结构(例如，由导电材料、线、过孔、导线、焊盘等形成)进行凹陷处理，例如以允许互连结构适当对准和延展(例如，在加热或退火过程期间)以形成互连。换言之，这些互连结构...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层或该第二键合层中的至少一者的处理是原位执行的。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层与该第二衬底之间的键合能超过1.5J/m2。
4.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层的处理包括施加等离子体，该等离子体包括O2、H2O、H2O2、H2、N2、N2H4或其组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层的处理包括施加O3或H2O2。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层是通过选择性沉积
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层或该第二键合层中的至少一者的处理是原位执行的。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层与该第二衬底之间的键合能超过1.5j/m2。
4.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层的处理包括施加等离子体，该等离子体包括o2、h2o、h2o2、h2、n2、n2h4或其组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中，对该第一键合层的处理包括施加o3或h2o2。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层是通过选择性沉积过程沉积的。
7.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一键合层包括：
8.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层包括金属氧化物。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该第一键合层包括氧化铝(al2o3)或alaobccnd(其中a、b、c、d从0到1变化)。
10.一种系统，包括：
11.如权利要求10所述的系统，其中，该电介质沉积部分被配置为沉积该电介质键合层，该电介...
【专利技术属性】
技术研发人员：坎达巴拉·塔皮利，蔡洙杜，星野聪彦，金昊珍，亚当·吉尔迪亚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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