一种加热装置，其对直接或隔着其他构件间接地载置于该加热装置的基板进行加热，其中，该加热装置具有：线状的加热器；以及基材，其具有自与所述基板侧相反的一侧朝向所述基板侧凹陷且在内部固定有所述加热器的槽，所述槽在近前侧具有与所述加热器接触的接...

在等离子体处理方法中，(a)提供基片，所述基片具有包含第一材料的第一区域和包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。(b)供给用于对第一区域的表面进行改性的改性气体和含碳前体。(c)利用通过供给第一高频功率而从包含改性气体和含碳前体的混合...

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，该基板处理方法包括：对所述基板的一个面进行磨削来形成所述一个面的中心部相对于外周部凹陷的凹部；对磨削后的所述基板的厚度进行测定来获取该基板的厚度分布；基于所述厚度分布来计算使对所述一个面进行蚀刻时的...

本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧...

本发明提供一种对载置基板的载台进行冷却的载台结构体、基板处理装置和温度控制方法。载台结构体包括：多个载台，用于载置基板；一个冷却板，由多个所述载台共用；冷冻机，用于冷却所述冷却板；以及升降装置，能够将多个所述载台的第一接触面与所述冷却板...

本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工...

本发明提供能够期待精度良好地检测半导体制造装置等对象装置的状态的状态检测装置、状态检测方法、学习模型的生成方法以及计算机程序。本实施方式所涉及的状态检测装置具备：第一获取部，获取向对象装置的输入数据以及上述对象装置的动作的观测数据；决定...

本公开提供一种基板处理系统和处理容器清洁方法。基板处理系统具有：处理气体供给源，其与处理容器连接，供给处理气体；清洁气体供给源，其与处理容器连接，供给清洁气体；等离子体生成部，其能够生成处理气体或清洁气体的等离子体；基板载置台，其具备于...

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内设置有基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。不同于下部电极的第2电路径以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设...

本发明的基片处理装置包括第一基片保持部、杯状体、处理液供给部和处理槽。上述第一基片保持部对基片的下表面中心部进行吸附而水平地保持上述基片。上述杯状体是在上下两个方向开放的环状，包围由上述第一基片保持部保持的上述基片的外周。上述处理液供给...

本发明的课题在于提供一种能够促进基板处理的均匀性、且能够提高生产率的技术。基板处理装置具备：处理容器；旋转台，其可旋转地设置在所述处理容器的内部；多个载置台，其在从旋转台的旋转中心离开的位置载置基板，且可相对于旋转台相对旋转。另外，基板...

本发明提供一种能够抑制自由基化了的气体的失活的技术。喷淋头具备结构体、第一扩散室、第二扩散室以及多个筒部。此外，喷淋头具备设置于结构体的排出面上并与第一扩散室连通而排出第一气体的多个第一排出口、以及设置于排出面上与第一排出口不同的位置并...

本发明涉及显影装置、基板处理系统以及显影方法。得到含金属抗蚀剂的良好的图案。一种显影装置，其对形成有含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行显影，其中，该显影装置具备：加热部，其支承并加热所述基板；腔室，其覆盖所述加热部，在所述加热部上形成处理空间...

本发明的课题在于提供一种能够对于基板的表面高精度地进行基板处理的技术。基板处理方法具有下述工序：(A)在处理容器的内部利用基板保持部保持所述基板，使该基板旋转的工序；(B)从喷嘴机构部的排出口向由所述基板保持部保持的所述基板排出气体的工...

本发明提供能够高精度地推算形成于基片的对象膜的形状的特性值的形状特性值推算装置、形状特性值推算方法和存储介质。形状特性值推算装置(CD推算装置)具有处理后图像获取部(102)、推算部(104)、处理前基片影响模型创建部(107)和推算结...

本发明的课题在于提供一种能够对于基板的表面高精度地进行基板处理的技术。基板处理方法具有下述工序：(A)在处理容器的内部利用基板保持部保持基板，使该基板旋转的工序；(B)从喷嘴机构部的排出口向利用(A)的工序旋转的基板排出气体的工序；以及...

一种图案化下层的方法，该方法包括：在该下层上沉积无金属聚合物膜；将该膜暴露于EUV以形成该膜的暴露区域和掩蔽区域，对于该EUV，该暴露区域光反应；选择性地干蚀刻该膜的第一部分以形成包括该膜的剩余第二部分的特征部，该第一部分的蚀刻速率大于...

本发明提供等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；设置在所述等离子体处理腔室中的基片支承部，其用于载置基片；气体供给部，其用于向所述等离子体处理腔室供给处理气体；RF电源，其用于向所述等离子体处理腔室和/或所述基片支承部供给被脉冲化...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括贮存容器、循环管线、供给管线、返回管线、流量计和恒压阀、和控制部。循环管线用于使从贮存容器输送的处理液返回贮存容器。供给管线将循环管线与用于向基片供给处理液的供给部连接。返回管线与供...