【技术实现步骤摘要】
本专利技术的例示性实施方式涉及一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。
技术介绍
1、等离子体处理装置用于对基板进行等离子体处理。有时保护膜会在对基板进行等离子体处理之前形成于等离子体处理装置的腔室的内壁面上。日本特开2014-138027号公报及日本特开2016-12712号公报中公开了一种在腔室的内壁面上形成保护膜的技术。在这些各文献中所公开的技术中，在腔室内生成含硅气体等离子，以在腔室的内壁面上形成保护膜。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种抑制形成于电容耦合型等离子体处理装置的上部电极上的保护膜的厚度增加，并且控制形成于腔室的侧壁的内壁面上的保护膜的厚度的技术。
2、在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法利用等离子体处理装置执行。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。腔室包含具有内壁面的侧壁。基板支撑器包含设置于腔室内的下部电极。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源用于在腔室内生成等离子体。直流电源装置与...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理方法，其利用等离子体处理装置执行，
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其中，
5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理方法，其中，
8.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其中，
9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，其利用等离子体处理装置执行，
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其中，
5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
6.根据权利要求5所述的等离...
【专利技术属性】
技术研发人员：青木裕介，户花敏胜，高田郁弥，森北信也，藤原一延，阿部淳，永海幸一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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