基板处理装置具备：处理容器，将基板收容于内部空间；基座，在所述内部空间中对所述基板进行载置；气体供给部，向所述内部空间供给处理气体；以及气体排出部，将包含所述处理气体的废气从所述内部空间排出。所述气体排出部具有：一个以上的排气口，与所述...

本申请涉及热处理装置。在对处理空间内的基板进行加热处理的情况下提高加热处理结果的面内均匀性。一种热处理装置，其对基板进行加热处理，其中，该热处理装置具备：热板，其载置所述基板，加热该载置的基板；上部盖，其覆盖所述热板的上方的处理空间，形...

本发明提供一种等离子体处理装置，具备：等离子体处理腔室；基板支承部，其配置于所述等离子体处理腔室内，所述基板支承部具有下部电极；上部电极，其配置于所述基板支承部的上方；RF电源，其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供RF信号，所述RF...

本发明提供数据解析系统、数据解析装置、数据解析方法以及计算机程序。具备：第一数据转换装置，将与由第一制造系统制造的第一产品相关的第一数据隐匿化，并作为第一隐匿化数据输出；以及数据解析装置，通过对第一隐匿化数据和与使用第一产品制造的第二产...

公开的等离子体处理装置包括第一挡板和第二挡板。第一挡板和第二挡板在腔室内配置于处理空间与排气空间之间。第二挡板相对于第一挡板设置在腔室内的气体的气流的下流侧。在向腔室内的基片支承部周期性地施加的电偏置能量的波形周期内的至少一部分期间，向...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法，提供一种在搬送表面形成有液膜的晶圆时能够抑制搬送时间混乱的技术。一个方式的基板处理装置具备多个第一处理部、多个第二处理部、搬送部以及控制部。多个第一处理部对基板实施第一处理。多个第二处理部对被实施了...

本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热...

一种氧化铝陶瓷部件，含有平均粒径100μm以下的氧化铝多晶体，所述氧化铝多晶体的晶界中，氧化物的结晶状态、石榴子石结构的结晶状态和非结晶状态以外的状态的钇被掺杂。

本发明的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的步骤(a)。等离子体处理装置具有设置于腔室内的基片支承部，基片支承部支承载置在其上的基片。等离子体处理方法还包括从偏置电源对基片支承部的偏置电极施加电压脉冲，以将离子从...

本发明提供一种基板处理装置。在基板处理装置中被使用、且与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台的圆筒形状的内壁在下端形成有多个狭缝，在该内壁的内侧面形成有多个自其上端延伸到下端且与该狭缝连通的槽。

本发明提供能够使等离子体处理稳定化的等离子体处理装置、分析装置和分析程序。作为一个方式的等离子体处理装置，能够在第一高频电源和第二高频电源各自产生脉冲、且匹配器控制所述第二高频电源的负载侧的阻抗的同时执行等离子体处理，所述等离子体处理装...

一种基板处理装置，用于处理基板，所述基板处理装置具备：基板保持部，其具有保持所述基板的保持面；旋转机构，其以所述基板保持部的旋转轴为中心使所述保持面上的基板旋转；以及激光照射部，其向所述保持面上的所述基板照射激光束，其中，所述基板保持部...

本发明提供分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法。消耗部件的保管容器包括多个收纳部、分隔板和固定部。多个收纳部构成为能够逐一收纳从一个方向插入的消耗部件。构成为能够代替上述消耗部件而收纳在上述多个收纳部中的分隔板，其具有构成为能...

本发明是支承基片的静电吸盘，其包括：具有基片支承面的电介质部件；形成于上述电介质部件的上表面的槽；和配置在上述电介质部件内的、可被施加高电压的多个电极层区段，在没有形成上述槽的上述电介质部件的上表面的下方配置有上述多个电极层区段中的至少...

本发明提供能够缩短基片输送机构的动作的校正所需的时间的、基片输送机构控制方法和基片处理系统。基片输送机构控制方法包括：在使叉形件进入腔室的状态下，测量第一方向的第一偏离量和第二方向的第二偏离量的步骤；判断第一偏离量超过第一方向的容许范围...

本发明提供一种基板处理系统、基板处理装置以及基板处理方法，使通过含金属的抗蚀膜的形成、曝光以及显影等处理形成的图案的线宽在基板组之间均匀化。基板处理系统对基板进行图案形成，所述基板处理系统由被依次搬送用于收容所述基板的搬送容器的多个装置...

本发明提供能够顺利地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括浓缩器(11)，其用于对从半导体制造装置(100)的光刻装置(111)排出的含有PFAS的抗蚀剂废液进行浓缩。另外，PFAS无毒化系统(1...

本公开的基板处理装置具备：多个处理模块，各所述处理模块具备用于保存基板并进行同样的处理的处理容器，并且各所述处理模块进行所述处理容器的内部的调节；搬送机构，其向所述多个处理模块的各处理模块搬送所述基板；以及控制部，其基于与所述各处理模块...

本发明提供能够高精度地检测能够对基片释放涂敷液的喷嘴中的液面位置的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。控制部能够执行对拍摄喷嘴图像的喷嘴的液面状态进行分类的第一处理。控制部能够执行对拍摄喷嘴图像进行图像分析的第二处理和判断是否为不一致...

本发明提供能够顺利地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括浓缩器(11)，其用于对从半导体制造装置(100)的光刻装置(111)排出的含有PFAS的抗蚀剂废液进行浓缩。另外，PFAS无毒化系统(1...