本发明提供一种热处理方法、热处理装置以及计算机存储介质，能够抑制来自基板上的含金属的抗蚀剂的包含金属的升华物对基板或装置的污染，并且对基板进行良好的热处理。用于对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜、且被进行了曝光处理的基板进行加热处理的热处理方...

本公开涉及一种接合方法和接合系统，提高形成重合基板的基板彼此的接合品质。所述接合方法用于将表面有金属材料露出的基板彼此接合，该接合方法包括以下工序：通过处理气体的等离子体将所述基板的要被接合的表面改性；使所述基板的被改性后的表面亲水化；...

本公开涉及一种成膜装置和成膜方法，稳定地形成锆膜。成膜装置具备：处理容器，其内部被减压；电极，其用于使该处理容器的内部的处理空间产生电场；高频电源，其向该电极供给高频电力；载置台，其配置于处理容器的内部，用于载置基板；以及成膜气体导入部...

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够使重合基板的接合精度提高。本公开的接合装置具备第一保持部、第二保持部、移动机构、粗调整部以及微调整部。第一保持部从第一基板的上方对该第一基板进行吸附保持。第二保持部配置于比第一保持部靠下方的位置，从...

本发明提供一种提高进行基片的温度调节时的调节精度的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。分析装置具有：学习部，其构成为能够使用在处于第1真空环境下的处理空间中设置于基片支承部的被分割了的各区域的温度调节元件的设定参数...

芯片贴合装置相对于在主表面具有多个第1器件的器件基板贴合具有与所述第1器件电连接的第2器件的芯片。所述芯片贴合装置具备第1载体保持部、基板保持部、拾取部以及安装部。所述第1载体保持部保持在表面具有多个对所述芯片进行静电吸附的吸附部的芯片...

本发明提供一种等离子体处理系统和处理系统。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、搬送装置以及控制装置，所述等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其设置于所述处理室的内部，用于载置基板；以及聚焦环，其以包围所述基板的周围的方式载置于所述载...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：第一蚀刻工序，通过蚀刻液来蚀刻高层叠有氧化硅膜和氮化硅膜的基板中的氮化硅膜的一部分；加工工序，在第一蚀刻工序之后，通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工，来蚀...

本发明提供一种接合装置的参数调整方法和接合装置。基于本公开的接合装置的参数调整方法包括获取工序和参数变更工序。在获取工序中，从检查重合基板的检查装置获取表示重合基板产生的变形的方向和程度的检查结果，所述重合基板是通过利用接合装置将第一基...

本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭...

本申请涉及接合装置和接合方法。基板处理装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有圆状的第1区域和配置在所述第1区域的径向外侧的圆环状的第2区域，来作为用于吸附所述基板的吸附压力被单独地控制的多个区域；吸附压力产生部，其具有多个，多个...

本发明提供一种接合系统，具备：在铅垂方向上分离地配置的第一保持部和第二保持部；对位部，其通过使所述第一保持部与所述第二保持部相对地移动来进行被所述第一保持部保持的第一基板与被所述第二保持部保持的第二基板的水平方向对位；按压部，其将被所述...

本发明提供一种基片处理系统，其包括常压输送室、真空处理室、一个以上的装载互锁单元、真空输送室、多个安装部、第1输送机构、第2输送机构和控制部。多个安装部设置在常压输送室。多个安装部能够可拆装地安装多个保管部的每一个。控制部与第1输送机构...

本发明提供一种基片处理系统，其包括常压输送室、真空处理室、一个以上的装载互锁单元、真空输送室、多个安装部、第1输送机构、第2输送机构和控制部。多个安装部设置在常压输送室。多个安装部能够可拆装地安装多个保管部的每一个。控制部与第1输送机构...

本发明提供一种温度控制装置。具备：第一温度控制部，将第一温度调整介质的温度控制为第一温度；第二温度控制部，将第二温度调整介质的温度控制为与第一温度不同的第二温度；第一流路，用于使第一温度调整介质在构件流路与第一温度控制部中流动；第二流路...

本发明提供一种系统，其包括常压输送室、真空处理室、一个以上的装载互锁单元、真空输送室、多个安装部、第1输送机构、第2输送机构和控制部。多个安装部设置在常压输送室。多个安装部能够可拆装地安装多个保管部的每一个。控制部与第1输送机构和第2输...

本发明提供一种基板处理系统，具有：卡盘工作台，其自下方保持基板；可动部，磨削工具可更换地安装于该可动部；升降部，其使可动部升降；以及旋转工作台，其以铅垂的旋转中心线为中心旋转，其中，卡盘工作台绕旋转工作台的旋转中心线以等间隔配置有4个，...

本发明提供一种基板处理方法，具有以下工序：以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持基板，并且磨削基板的第1主表面；以使基板的第2主表面朝上的方式自下方保持基板的磨削后的第1主表面，并且磨削基板的第2主表面；以使基板的磨削后的第2主表面朝...

本发明涉及基板处理装置。提供一种能够扩大可收纳基板保持件的处理容器内的容积的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备：真空容器，其收纳用于保持多个基板的基板保持件，并且在下端具有开口；盖体，其对所述开口进行开闭；以及绝热单元，其对所述基板...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在具备可升降的处理部以对基板进行处理的基板处理装置中，防止由自驱动机构产生的微粒对基板的污染。本公开的基板处理装置具备：基部，其具备驱动机构；罩部，其覆盖所述基部；升降体，其自被所述罩部覆盖的内部区...