一种天线包括：内结构；外结构；以及将内结构耦合到外结构的多个互连结构。该多个互连结构关于天线的中心是轴对称的。每个互连结构具有至少30度的方位角分量。

提供用于通过输送部实现高效的输送时间表的信息。预测装置具有：计算部，计算由测试器进行晶圆的测试时的测试时间；测试时间预测部，基于由所述计算部计算出的过去的测试时间，预测当前的测试时间；结束时刻预测部，在取得由所述测试器进行的测试对象的晶...

所公开的等离子体处理方法包括工序(a)，在设置于等离子体处理装置的腔室内的基板支撑部的基板支撑面上载置基板。等离子体处理方法进一步包括工序(b)，使用等离子体对基板的膜进行蚀刻。等离子体处理方法进一步包括工序(c)，使用等离子体进行腔室...

本公开的涂布膜形成装置具备：旋转保持部，其保持基板并使所述基板旋转；涂布液喷嘴，其向旋转的所述基板的周缘部的第一位置喷出涂布液，来形成沿着该基板的整周的环状的涂布膜；以及气体喷嘴，其是为了向旋转的所述基板中的比所述第一位置靠该基板的旋转...

对于等离子体生成用的高频，在更短的时间内搜索使从处理空间反射的反射波的功率最小化的频率。等离子体处理装置具有推理部，所述推理部在多个处理条件各自下进行等离子体处理时，对通过使用学习用数据进行了学习的已学习模型输入进行等离子体处理时的处理...

一种蚀刻方法，包括：工序(a)，在腔室的内部的静电保持盘的表面形成含碳膜；工序(b)，在所述含碳膜上载置基板；以及工序(c)，对所述基板进行等离子体蚀刻，其中，所述工序(a)包括：工序(a1)，向所述腔室的内部供给预涂层气体，将所述腔室...

一种基片输送系统，包括：基片处理模块，其包括基片处理腔室、基片支承部和测量基片支承部的温度的第一温度传感器；基片输送模块，其包括基片输送腔室、基片输送机器人和温度管理系统，其中，基片输送机器人包括能够保持高温基片的第一末端执行器、能够保...

本发明提供抑制副产物在罩构件沉积的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其在处理容器的内部生成等离子体而对基板进行处理，其具备：金属窗，其配置于处理容器的上部；以及电感耦合天线，其与金属窗分离地配置于金属窗的上部，金属窗...

本公开提供等离子体处理装置的异常探测方法和等离子体处理装置，检测在等离子体处理装置中产生的异常。在等离子体处理装置的异常探测方法中，虚拟矩形平面被划分为多个区，且所述虚拟矩形平面具有被划分为多个区组的部分，所述区组是将所述区组合而成的，...

本公开涉及一种基板处理装置中的处理液的流量估计方法和基板处理装置，适当地测定向基板供给的处理液的流量。流量估计方法是向基板的表面供给处理液来进行液处理的基板处理装置中的处理液的流量估计方法。在进行供给的工序中，一边使用将基板以能够旋转的...

连接组件包括中间连接部件、以及层叠在中间连接部件上的连接用基板。中间连接部件包括多个连接销，将多个测试器侧端子与多个探针卡侧端子之间分别电连接；第一框架部，对多个连接销的一端进行保持；第二框架部，对多个连接销的另一端进行保持；以及容纳空...

本发明提供抑制基片间的处理结果的不均的基片处理装置和基片处理方法。包括基片处理部、第一路径、第二路径、第一开闭阀、第二开闭阀、温度检测部和控制部。基片处理部将第一处理液与第二处理液混合而生成混合液，将混合液供给到基片，由此对基片进行处理...

一个实施方式的基片处理方法用于对具有形成有图案的Si膜的基片进行清洗，除去所述Si膜上的氧化物，所述基片处理方法的特征在于，包括：清洗步骤，在使所述基片旋转的同时向所述基片供给包含氢氟酸和水的清洗液，来除去所述氧化物；和混合步骤，在所述...

一种通过经由染料扩散的选择性脱保护对衬底进行图案化的方法。该方法包括由沉积在衬底上的光致抗蚀剂层在衬底上形成光致抗蚀剂图案，在光致抗蚀剂图案上沉积第一外覆层，第一外覆层填充由光致抗蚀剂图案限定的开口并且覆盖光致抗蚀剂图案，第一外覆层包括...

本发明提供基板处理装置和基板载置方法，能够改善基板的应力的分布来适当地保持基板。基板处理装置具备保持部，该保持部在吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域和配置于中央区域的外侧的圆环状的外侧区域。另外，基板处理装置具备：吸附压力产生部，其使中...

本公开提供一种基板处理装置和基板载置方法，能够改善基板的残余应力的分布来适当地保持基板。基板处理装置具备保持部，该保持部的用于吸附基板的吸附面具有圆状的中央区域、以及配置在比中央区域靠外侧的位置的圆环状的外侧区域。保持部具有：第一吸附压...

一种输送臂，其在大气气氛下真空吸附基板并进行输送，该输送臂具有保持基板的拾取部和设于所述拾取部的表面的多个保持盘，所述保持盘具有形成有真空吸附用的贯通孔且设于所述拾取部的表面的基部和在所述基部的表面呈环状设置且与基板的背面接触的环状部，...

本发明提供能够准确地进行真空部中的基片的输送的基片处理装置。基片处理装置包括：真空输送模块；输送机器人，其配置于上述真空输送模块内，具有末端执行器；配置于上述末端执行器上的两个静电电容传感器；与上述真空输送模块连接的装载锁定模块；与上述...

在本发明的等离子体处理装置中，从偏置电源向基片支承部供给电偏置能量。从高频电源向高频电极供给生成源高频电功率。高频电源从多个频率集中选择根据所指定的处理得到的初始频率集。高频电源在第一期间使用初始频率集所包括的多个频率来作为电偏置能量的...

本发明的液处理方法进行：在将贮存处理液的贮存部与处理液供给部连接的流路中使所述处理液流通而将所述处理液从所述处理液供给部释放到基片，对该基片进行处理的步骤；滞留步骤，在所述流路中填充液体并使其滞留；流通步骤，使滞留的所述液体在所述流路中...