本申请涉及热处理装置和热处理方法。在对处理空间内的基板进行加热处理的情况下提高加热处理结果的面内均匀性。一种热处理装置，其对基板进行加热处理，其中，该热处理装置具备：热板，其载置所述基板，加热该载置的基板；上部盖，其覆盖所述热板的上方的...

本发明的基片处理装置用于对基片的钼膜进行蚀刻，该基片所具有的器件结构包含多段含有钼膜的多层膜。处理槽贮存含有醋酸、磷酸、硝酸和水作为成分的蚀刻液。控制部基于由浓度测定部测定出的每个成分的浓度、由液量测定部测定出的蚀刻液的量、预先设定的蚀...

本发明提供一种静电吸盘，其包括：载置基片和/或边缘环的载置部；设置在上述载置部的内部的、将上述基片和/或边缘环静电吸附的静电电极；和在上述载置部的内部配置在与上述静电电极的配置面不同的面的电极，在上述载置部形成有贯通上述载置部的上表面和...

本发明的判定方法包括：对形成有包含凹部的图案，在凹部进行了填埋材料的填埋的基板进行分光测量，测量填埋了填埋材料的基板的吸光度光谱的工序；和基于所测量的基板的吸光度光谱的多个波数下的强度的积分值，判定凹部的填埋状态的工序。

本发明提供一种在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的技术。本发明的基片处理装置的颗粒除去方法包括：升压工序、流通工序和颗粒除去工序。升压工序在第二开闭阀和...

一种蚀刻方法，包括：工序(a)，提供具备有机膜和有机膜上的掩模的基板；工序(b)，通过利用从包含含氧气体的第一处理气体生成的第一等离子体对有机膜进行蚀刻，来在有机膜形成凹部；以及工序(c)，在工序(b)之后，使凹部暴露在从包含含钨气体的...

本发明提供抑制基片处理在与升降销对应的位置变得不均匀的基片载置台、基片处理装置和基片处理方法。基片载置台具有载置基片的载置面，包括：在上述载置面开口的销孔；和升降销，其能够在上述销孔的内部升降，可从上述载置面伸出和没入，上述销孔包括销孔...

本发明提供能够提高等离子体处理装置中的电功率效率的等离子体处理装置、静电卡盘和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座；静电卡盘，其包括基片载置部和边缘环载置部；和用于向基片载置部供电的第一供电部和用于向边缘环载置...

本发明的周缘处理装置，包括：设定部，构成为设定处理基片的周缘部的处理参数；和处理部，构成为基于所述处理参数，处理所述处理基片的周缘部。所述设定部构成为在所述处理液对所述处理基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的阈值的情况下，校正处理液...

本公开提供一种沉积判定方法和基板处理装置。在该沉积判定方法中，获取作为从构成处理容器的内部的运动图像的各帧图像中获取到的边缘图像的全部像素的亮度值的平均的边缘信息，所述运动图像包含处理容器的评价对象处的沉积物的沉积状态的信息，在评价对象...

本发明的基片处理方法包括准备基片的工序。基片具有：第一区域；和用于在该第一区域上提供开口的第二区域。基片处理方法还包括：使用从第一气体生成的第一等离子体，优先在第二区域的顶部上形成顶部沉积物的工序。基片处理方法还包括：在顶部沉积物的表面...

本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始...

本发明提供一种基板处理装置、基板检查装置及方法、以及记录介质，能够根据图像数据更可靠地检测多个边缘中的检查对象的边缘。基板检查装置具备：存储部，其构成为存储检查制程以及根据形成有多个覆膜的基板的周缘部的摄像图像得到的检查图像数据；以及边...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法具有：加工工序，自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工；输送工序，将能够利用吸附力进行吸附的支承件安装于在所述加工工序中进行了加工的所述基板并...

本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1...

本发明提供能够高效率并且高精度地测量基片的膜厚的基片处理系统和膜厚测量方法。基片处理系统包括：基片支承部，其用于支承基片的外缘部，基片具有第一面和作为该第一面的相反面的第二面；处理容器，其用于收纳基片和基片支承部，来对基片进行基片处理；...

提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。等离子体成膜装置具备：腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对...

本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、偏置电源和高频电源。偏置电源与基片支承部电耦合，能够产生电偏置能量。高频电源与高频电极电连接，能够产生源高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源能够在处理中至少改变一次电偏置能量的偏...

本发明的基片支承器包括：用于支承基片和边缘环的静电吸盘；和支承上述静电吸盘的基座，上述静电吸盘包括：第一区域，其构成为具有第一上表面，能够支承载置在第一上表面之上的基片；第二区域，其构成为具有第二上表面，设置于上述第一区域的周围，能够支...

本发明的异物检测装置构成为能够检测基片处理用的处理液中含有的异物，包括：形成供对基片供给的上述处理液流动的处理液流路的处理液流路形成部；照射部，其构成为能够向处理液流路分别照射来自光源的照射光；和受光部，其构成为能够接收通过照射照射光而...