本发明的蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；(b)使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成...

本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体工艺的效率。等离子体处理方法包括工序(a)、工序(b)以及工序(c)。在工序(a)中，在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中，通过检...

本发明所公开的蚀刻方法包括在腔体内在基板支承部上准备基板的工序(a)。基板包括：多层膜，包括多个第1膜及与该多个第1膜交替层叠的多个第2膜；及掩模，设置于多层膜上。蚀刻方法还包括对多个第1膜中的1个以上第1膜进行蚀刻的工序(b)。蚀刻方...

本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步...

本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制弧状弯曲。蚀刻方法包括：(a)工序，将具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板提供到腔室内的基板支承部上；(b)工序，对蚀刻对象膜进行蚀刻来形成凹部，在(b)工序中将腔室内的压力控制为第一压...

本技术提供一种基板处理装置。不将配置有用于积存处理液的瓶的液积存部新设置于基板处理装置的外部，就使能够使用于基板的液处理的上述瓶的个数增加。其具有：承载区块，收纳有基板的承载件输入该承载区块；处理区块，其设置有相对于从所述承载区块输送的...

本发明涉及成膜装置。提供一种能够抑制基板在基板支承部之上滑动的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具备：处理容器；以及基板支承部，其设于所述处理容器内，具有供基板载置的凹部，所述凹部在底面具有突起，所述突起沿着载置于所述凹部的所述基板的外...

一种基板处理方法，其对基板进行处理，其中，该基板处理方法包括以下步骤：对所述基板的第1面进行磨削；以及在对所述第1面进行了磨削之后，对所述基板的与所述第1面相反的一侧的第2面进行磨削，在磨削所述第1面时，形成有自该第1面的中心部朝向外周...

本技术涉及杯以及液处理装置。调整作为液处理对象的基板的周围的气流而使处理状况成为期望的处理状况。本技术的杯具备：流路形成构件，其在杯内的比基板靠该杯的周缘侧的位置，从下向上按顺序分别形成第1排气路径、飞散物回收路径、第2排气路径；合流排...

本公开涉及一种基板清洗构件和基板处理装置，能够实现针对基板的处理的高效化。基板清洗构件具备：第一构件，其具有第一接触面，能够通过在第一接触面与基板的主表面接触的状态下沿主表面移动来清洗或研磨主表面；第二构件，其具有第二接触面，能够通过在...

本发明提供能够保护基片支承单元的粘接层并且控制基片的外周部的磁场的基片支承单元和等离子体处理装置。基片支承单元包括：基座；静电吸盘，其设置在上述基座上，具有用于支承基片的基片支承面；粘接层，其设置在上述基座与上述静电吸盘之间，将上述基座...

本发明的目的在于，在由供给装置对基片处理系统供给气氛气体时，减少该供给装置取入的清洁空气的需要量。基片处理系统(1)能够与曝光装置(30)连接，包括：对基片进行处理的基片处理装置(10)；和对上述基片处理装置(10)供给基片处理时的气氛...

在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，...

本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状...

本发明提供蚀刻方法和蚀刻设备。一种蚀刻方法，用于对基板中存在的凹部的侧面上所形成的硅进行蚀刻，所述蚀刻方法包括：通过对所述基板进行自由基氧化处理来在所述硅的表面上形成氧化膜；对所述氧化膜进行利用气体的化学处理；以及去除通过所述化学处理所...

本发明提供在进行具有微小图案的基片的干燥的情况下，有利于抑制微小图案的毁坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：干燥装置，其进行使用超临界处理流体使基片干燥的干燥处理，其中，基片具有形成有微小图案的处理面；和表面改性装置，其进...

一种处理系统，对芯片进行处理，该处理系统具有芯片配置装置，所述芯片配置装置对所述芯片进行拾取并将所述芯片排列配置于第一静电承载件的吸附面上，所述芯片配置装置具备：配置用承载件保持部，其保持所述第一静电承载件；以及电力供给部，其对被保持于...

本发明提供一种在等离子体处理装置中使用的RF系统。在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到...

本发明的基片处理装置包括蓄电部、以及至少一个利用电功率的单元或部件，构成为能够蓄积在该蓄电部中的电荷作为电功率供给到该单元或部件。