本发明的温度控制装置包括：主容器，其贮存载热介质；第一副容器，其位于比主容器的液面的基准位置靠上部的位置；第二副容器，其位于比主容器的基准位置靠下部的位置；第一连通管，其将第一副容器与主容器连接，具有第一阀；第二连通管，其将第二副容器与...

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法。能够提高利用药液对基板进行蚀刻处理时的面内均匀性。基板处理装置具备：处理槽，其构成为贮存药液；保持构件，其构成为将在主表面设置有金属膜或无机膜的基板保持为主表面沿着铅直方向的状态姿势并浸到处理槽...

本发明提供一种能够在基片上生成等离子体来对基片实施处理的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器；能够插入到所述处理容器中的基片保持件，其能够分多层载置多块基片；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转...

本技术涉及基板处理装置，提供一种抑制主轴罩的内部空间的污垢的附着的技术。基板处理装置具备驱动机构，该驱动机构用于驱动对基板进行加工的工具。所述驱动机构具备马达、利用所述马达进行旋转的铅垂的主轴、包围所述主轴的主轴罩。所述主轴罩具备：第1...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：在具有比第二弹性模量高的第一弹性模量的第一基板之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成具有第一接合表面的所述第一半导...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供去除药液的残渣的技术。基板处理装置具备基板保持部、旋转驱动部、第1旋转环、第2旋转环以及第1喷嘴。基板保持部包括水平的底板和抓持基板的周缘的多个把持部，利用多个把持部以使基板从底板分离开的方式将...

等离子体处理装置具备：等离子体处理腔室；基板支承件，其配置于等离子体处理腔室内，包括下部电极；上部电极构造，其配置于基板支承件的上方，上部电极构造包括冷却板、电极板以及静电吸附膜，该冷却板具有制冷剂流路，该电极板配置于冷却板的下方，该静...

等离子体处理装置具有腔室、电源、硅部件和导电膜。腔室提供等离子体处理空间。电源能够向等离子体处理空间内供给用于生成等离子体的高频电功率。硅部件由含硅材料构成，配置在腔室的内部，具有面向等离子体处理空间的第一面。导电膜由导电性材料构成，形...

本发明提供能够提高基片保持部的污垢的除去效率的基片处理装置、基片处理方法和基片。基片处理装置利用处理液对基片进行处理。基片处理装置包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片...

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。将基板载置于处理容器的内部的载置台，对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体，在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体，使用所述高密度...

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显...

本发明提供一种基板处理装置。不将配置有用于积存处理液的瓶的液积存部新设置于基板处理装置的外部，就使能够使用于基板的液处理的上述瓶的个数增加。其具有：承载区块，收纳有基板的承载件输入该承载区块；处理区块，其设置有相对于从所述承载区块输送的...

一种用于等离子体加工的方法包括：在等离子体加工室中维持等离子体，该等离子体加工室包括第一射频(RF)电极和第二RF电极，其中，维持该等离子体包括：将RF源信号耦合到该第一RF电极；以及将偏置信号耦合在该第一RF电极与该第二RF电极之间，...

一种处理方法，是第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括：沿着所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部之间的边界形成周缘改性层；形成使所述周缘部处的、所述第一基板与所述第二基板之间的接合强度减弱的...

一种蚀刻方法，其包括：(a)向具备腔室、基板支承器、被供应源功率的等离子体生成部、及被供应偏置功率的偏置电极的等离子体处理装置的基板支承器提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序；及(b)对蚀刻对象膜进行蚀刻而形成凹部的工序。...

本发明为半导体装置的制造方法和半导体装置。[课题]提供能实现使用了氧化物系高介电常数膜的电容器的低CET化的半导体装置的制造方法和半导体装置。[解决方案]半导体装置的制造方法具备如下工序：在基板上形成由含Ti膜形成的下部电极的工序；在下...

本公开提供一种用静电吸盘保持基板的基板保持方法及基板处理装置。基板保持方法，具有如下工序：将第1基板搬入第1室内，将所述第1基板载置在配置于所述第1室内的静电吸盘；对所述静电吸盘的静电电极施加第1电压，使所述第1基板吸附于所述静电吸盘；...

本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供...

本发明提供一种对基片进行检查的检查装置，其包括：载置基片的载置部件；保持探针卡的保持部，其中，上述探针卡具有与基片上的电极接触的探针；移动机构，其保持上述载置部件并使其在水平方向和上下方向上移动；第一获取部，其被固定于上述移动机构，用于...