【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。
技术介绍
1、近年来常用的有机el元件是电流驱动型的元件，需要在作为应用于有机el元件的半导体装置的tft(thin film transistor：薄膜晶体管)中实现高速的开关动作。因此，对tft的沟道使用能够得到高的电子迁移率的氧化物半导体例如由铟(in)、镓(ga)及锌(zn)的氧化物构成的igzo。而且，为了可靠地保护由氧化物半导体构成的沟道不受外界水分的影响，例如通过氮化硅(sin)膜、氧化硅(sio)膜构成将沟道密封的保护膜。
2、而且，提出了在形成氮化硅膜、氧化硅膜时将氯化硅(sicl4)气体或氟化硅(sif4)气体用作不含氢原子的含硅气体(例如，参照专利文献1)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2015-012131号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开所涉及的技术减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。
3、用于解决问题的方案
4、本公开所涉及的技术的一个方式是用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理的成膜方法，所述成膜方法包括以下工序：将基板载置于所述处理容器的内部的载置台；对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体；在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体；以及使用所述高密度等离子体在所述基板形成含硅膜，其中，所述高密度等离子体的电子密度为1×1011/cm3以上，形成所述含硅
5、专利技术的效果
6、根据本公开所涉及的技术，能够减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。
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1.一种成膜方法，用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理，所述成膜方法包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
6.一种成膜方法，用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理，所述成膜方法包括以下工序：
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
10.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，
12.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的成膜方法，其特征在于，
14.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的成膜方法，其特征在于，
17.一种成膜装置，具备：
18.一种成膜装置，具备：
19.根据权利要求18所述的成膜装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种成膜方法，用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理，所述成膜方法包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
6.一种成膜方法，用于在处理容器的内部对基板实施成膜处理，所述成膜方法包括以下工序：
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边幸夫，高藤哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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