本发明的等离子体处理系统包括等离子体处理装置和输送装置。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、上部电极组件和升降机构。上部电极组件配置在基片支承部的上方，包括电极支承部和配置在电极支承部下方的可更换上部电极板。升降机构能够使...

本发明提供运送模块和运送方法，能够减少基板处理系统的设置面积。运送模块包括第1运送室、第2运送室和开闭门。第1运送室具有能够收纳被运送物的收纳部。在收纳有多个被运送物的容器被送入第2运送室内、第2运送室内的压力从大气压切换成低压后，以第...

本发明提供输送模块和输送方法，能够减少基片处理系统的设置面积。输送模块包括壳体、装载口、输送装置和储存单元。装载口设置于壳体的侧壁，能够载置用于收纳多个被输送物的容器。输送装置配置在壳体内，用于输送被输送物。储存单元配置在壳体内，能够暂...

本发明提供在低温下能形成含有硼原子和氮原子的膜的成膜方法及成膜装置。根据本发明的一个方式的成膜方法，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。

本披露提供了一种用于蚀刻钌的新的湿法原子层蚀刻(ALE)工艺。更具体地，本披露提供了利用新蚀刻化学物质在湿法ALE工艺中蚀刻钌的方法的各种实施例。不同于常规的用于钌的蚀刻工艺，本文描述的用于蚀刻钌的湿法ALE工艺是不含金属的、具成本效益...

本发明提供能够抑制颗粒向基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多...

本发明提供能够使因被输送物的位置偏移而产生的用户的作业负担减少的输送系统、处理系统和输送方法。输送系统包括输送机器人、收纳部和控制装置。输送机器人具有用于检测被载置在收纳部的被输送物的位置的位置检测传感器。控制装置能够控制：由输送机器人...

示例性实施方式的测量方法在腔室内获取表示测量器与边缘环之间的静电电容的测量值。测量器包括基座基片和设置于基座基片的传感器电极。该方法包括使表面形成有导电性膜的边缘环保持于腔室内的载置台的工序。该方法包括将测量器输送到载置台上由边缘环包围...

本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以...

本披露提供一种用于蚀刻铜的新的湿法原子层蚀刻(ALE)工艺。更具体地，本披露提供了利用新的蚀刻化学物质在湿法ALE工艺中蚀刻铜的方法的各种实施例。通过在湿法ALE工艺中利用本文披露的新的蚀刻化学物质，本披露提供了具有单层精度的铜的高选择...

基板处理方法包括：第一蚀刻工序，在基板的整个表面形成有第一处理液的水坑的状态下，通过从喷嘴朝向在基板的表面局部地设定的目标区域局部地喷出第二处理液，来以目标区域的蚀刻速率与其它区域的蚀刻速率不同的方式进行蚀刻，以及第二蚀刻工序，通过一边...

本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化工序，在...

一种基板处理装置，具备：旋转台，其将多个基板吸盘的各个基板吸盘依次送到进行基板的搬入的搬入位置、进行所述基板的薄化的加工位置以及进行所述基板的搬出的搬出位置；倾斜角度调整部，其调整所述加工位置处的所述基板吸盘相对于所述旋转台的倾斜角度；...

本发明提供一种加工装置、加工方法以及计算机存储介质。加工装置具有：保持部，其保持基板；磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；搬送部，其相对于所述保持部搬送基板；以及控制部，其控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，其中，所述控...

本发明提供能够减少加工量的静电卡盘的再生方法。一种静电卡盘的再生方法，该静电卡盘的再生方法包括以下工序：提供具有凹部和自所述凹部的底面突出的凸部的所述静电卡盘；形成第1掩模，该第1掩模覆盖除所述凸部以外的所述凹部；借助所述第1掩模对所述...

基板处理方法包括以下工序：决定最优蚀刻条件；以及基于最优蚀刻条件向基板的蚀刻对象的表面供给蚀刻液，来对该表面进行蚀刻，其中，决定最优蚀刻条件包括：获取在以多个不同的蚀刻条件蚀刻了蚀刻对象的表面时的、该蚀刻对象的径向上的蚀刻指标分布；使用...

本发明提供一种处理装置和处理方法，所提供的技术能够抑制膜向隔膜真空计的隔膜的沉积。本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，该处理容器能够减压；成膜气体供给流路，其用于向所述处理容器内供给成膜气体；排气配管，其连接于所述处理容器，用于将...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理系统。提供有利于在基板之间均一地进行药液处理的技术。基板处理方法包括以下工序：药液处理工序，利用从药液供给部向基板的第一表面供给的药液进行第一表面的处理；以及基板加热工序，通过在开始向基板的第一表面的...

本发明提供能够缓和密封部件的填充率的等离子体处理装置和基片支承器。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座支承部，其配置于上述等离子体处理腔室内；基座，其形成有从上表面贯通至下表面的第一贯通孔，配置于上述基座支承部的上部；静电吸盘，...

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的...