在本发明的等离子体处理装置中，从偏置电源向基片支承部供给电偏置能量。从高频电源经由供电路径向高频电极供给生成源高频电力。确定电偏置能量的偏置周期内的多个相位期间中的、具有生成源高频电力的反射波的功率水平的最小值的相位期间。将所确定的相位...

示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚...

本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触的方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制基板的图案倒塌的技术。本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基板干燥，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其在内部收纳所述基板；保持部，其将所...

本技术提供一种基板处理装置。在多个液处理模块层叠成多层的基板处理装置中，针对各液处理模块抑制缺陷的产生。一种基板处理装置，其具备：多个液处理模块，其分别对基板进行使用了处理液的处理，多个该液处理模块层叠成多层；和供液单元，其用于向所述多...

一种等离子体处理的方法，其包括：使第一气体和第二气体流入包括衬底的等离子体处理室，该第二气体包含膜前体；在第一时间实例时，在保持该第一气体的流动的同时，切断该第二气体流入该等离子体处理室；以及在该第一时间实例之后的第二时间实例时，向该等...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向...

基板处理装置具备：膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及控制部，其控制所述膜形成部。所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所...

本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置...

本公开涉及一种基板处理装置、等离子体测定方法以及等离子体调节方法，根据高频电力的混合波来分析等离子体的状态。基板处理装置具备：气体供给机构，向处理容器的处理空间供给处理气体；金属制的喷淋头，将从气体供给机构供给的处理气体向处理空间放出；...

本公开提供一种等离子体处理装置和清洁方法，能够使用远程等离子体对处理容器内进行清洁。在中真空的压力区域对矩形的基板实施基板处理的等离子体处理装置具备：载置台；处理容器；多个排气口；第一等离子体生成部，其生成用于对基板实施基板处理的处理等...

本发明的基片处理方法包括：使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤；之后，对所保持的所述基片进行加热的步骤；之后，在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前，调节所述周缘...

本发明提供基板热处理装置和基板热处理方法。当经由在热板的上表面设置的多个抽吸口对基板进行抽吸时，容易地连接用于进行该抽吸的抽吸路径和各抽吸口。基板热处理装置具备：热板；抽吸口，其在热板的上表面开设有多个；排气路径形成部，其具备、在热板的...

一种将第一基板与第二基板接合而成的重叠基板的处理方法，所述处理方法包括：向所述第一基板与所述第二基板的界面照射界面用激光束，来在所述界面形成接合力下降了的未接合区域；检查所述未接合区域的形成状态；沿所述第一基板的周缘部与所述第一基板的中...

本发明的一个方式的基片处理装置(1)包括基片旋转部(20)和杯状体。基片旋转部(20)保持基片并使其旋转。杯状体呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。另外，杯状体具有杯状体基部(53)、第一部件(55)和第二部件(56)。...

本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座；和配置在基座的上部的静电吸盘，静电吸盘包括：具有基片支承面和环支承面的电介质部件；配置在电介质部件内的吸附电极；配置在电介质部件内且配置在吸附电极的下方的偏...

本发明的目的在于抑制因基片的加热而产生的升华物堵塞设置于排气系统的开闭阀。对基片进行加热处理的加热处理装置(1)包括：用于加热上述基片的加热部；供因上述基片的加热而产生的升华物流入的排气管(41)；设置于上述排气管(41)的开闭阀(V1...

本发明的基片处理装置(1)包括保持基片并使其旋转的基片旋转部(20)、外侧杯状体(51)、内侧杯状体(52)、环状排液部(64)和排气通路(62)。外侧杯状体(51)呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。内侧杯状体(52)...

本发明的基板处理装置和基板处理方法防止或抑制超临界干燥处理时基板表面图案倒塌。基板处理装置包括：从喷嘴向基板供给处理液，作为超临界干燥处理的前工序在基板表面形成处理液的液膜的液体处理部；处理液供给部，包括贮存从处理液供给源供给的处理液的...

本发明提供能够抑制末端执行器上的基片的位置偏移的垫和末端执行器。本发明的末端执行器用的垫包括基部和主部。主部在第1方向上与基部相连。主部包括下表面、第1端、第2端和上表面。下表面在与第1方向交叉的方向上从基部伸出。第1端为主部的在与第1...