【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理系统、电功率供给系统和电功率供给方法。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开了作为基片处理装置的等离子体处理装置。上述等离子体处理装置是利用滤波器衰减或阻止从处理容器内的高频电极及其他电气部件进入到供电线的高频噪声。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-173027号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术提供能够简化电连接用配线的基片处理装置、基片处理系统、电功率供给系统和电功率供给方法。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式是对基片进行处理的基片处理装置，其包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。
5、专利技术效果
6、根据本专...
【技术保护点】
1.一种对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求4或5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.一种包括多个对基片进行处理的基片处理装置的基片处理系统，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理系统，其特征在于：
9.如权利要求7所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求4或5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.一种包括多个对基片进行处理的基片处理装置的基片处理系统，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理系统，其特征在于：
9.如权利要求7所述的基片处理系统，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的基片处理系统，其特征在于：
11.如权利要求7～10中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
12.如权利要求7～10中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
13.如权利要求7～10中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
14.如权利要求7～10中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
15.如权利要求14所述的基片处理系统，其特征在于：
16....
【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，田面木真也，永海幸一，石川真矢，藤原直树，三原直辉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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