本公开涉及一种基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法。基板清洗构件具备：第一构件，其具有第一接触面，且能够通过在第一接触面与基板的主表面接触的状态下沿主表面移动来清洗或研磨主表面；第二构件，其具有第二接触面，且能够通过在第二接触面与...

温度校正系统，具有：调整载置部上载置的被检查体的温度来检查被检查体的检查装置、和表面温度计，对设置在载置部上的多个温度传感器进行校正。检查装置，具有：移动部，使载置部能在X轴方向、Y轴方向及Z轴方向移动；以及控制部，对多个温度传感器的测...

本发明提供等离子体处理装置，其包括：第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到天线，第一电信号包含具有第一RF频率的第一RF信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到至少一个电极，第二电信号包含具有第二RF频率的第二RF信号；第三电源...

本发明提供能够高精度地预测对被处理体执行了工艺处理后的被处理体的状态的信息处理装置和信息处理方法。信息处理装置包括：构成为生成模拟数据的生成部，其中，模拟数据包含被处理体的处理前数据与在预先决定的处理条件下对被处理体执行了工艺处理后的处...

本发明公开了一种形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对抗蚀膜进行烘烤的步骤；对抗蚀膜中包括照射了第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将抗蚀膜的一部分除去来...

本公开的一形态的原料供给装置由使固体原料溶解于溶剂而得到的溶液或使固体原料分散于分散介质而得到的分散体生成反应性气体，其中，该原料供给装置具有：容器，其具有形成内部空间的第1壁面；喷雾喷嘴，其向所述内部空间喷雾所述溶液或所述分散体；以及...

本发明的基片载置机构包括载置基片的载置台和对载置台上的基片的电子器件的温度进行控制的温度控制部。载置台具有顶板、被划分为多个加热区的加热部和多个温度传感器，温度控制部具有：第一温度控制器，其对于与检查中的电子器件对应的一个或多个加热区的...

本发明提供一种信息处理方法、信息处理装置以及信息处理系统。包含：获取由多个第一学习模型处理的数据的特征量的工序；基于获取到的特征量，进行在输入了由第一学习模型处理的数据的特征量的情况下，输出与推断结果相关的信息的第二学习模型的学习的工序...

提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导...

本公开说明基板处理装置和基板处理方法，能够提高处理液的供给系统的清洁度。基板处理装置具备：贮存部，其构成为暂时贮存对基板进行处理的处理液；补充部，其构成为向贮存部补充处理液；流量测定部，其构成为测定向贮存部补充的处理液的流量；气体供给部...

本发明涉及杯、液处理装置以及液处理方法。调整作为液处理对象的基板的周围的气流而使处理状况成为期望的处理状况。本公开的杯具备：流路形成构件，其在杯内的比基板靠该杯的周缘侧的位置，从下向上按顺序分别形成第1排气路径、飞散物回收路径、第2排气...

本发明提供即使在使用粘度较高的药液时也能够以较少的部件个数实现较高的清洁度和释放精度的处理液供给系统及其运转方法。本发明的一个实施方式的处理液供给系统包括：罐，其贮存从处理液供给部供给的处理液；与上述罐连接的循环通路；多个供给通路，其与...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，其设置有基板的搬入搬出口；基板保持部，其在处理容器的内部将基板水平地保持；液供给部，其对基板的下表面供给处理液；罩，其设置有用于朝向基板的上表面喷出气体的气体喷出口；...

本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基...

本公开提供了一种用于对边缘环和静电吸盘之间供应的传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置。传热气体的泄漏量减少方法，包括：在具有静电吸盘的主体部上载置边缘环的工序；使所述静电吸盘吸附所述边缘环的工序；对所述边缘环进行升温的工序；对所述...

本发明提供能够使附着在基片上的颗粒减少的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其包括：腔室；设置在腔室内的基片支承部，基片支承部具有用于支承基片的区域和设置在区域的周围的边缘环，能够在边缘...

一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工...

一种对基板进行处理的基板处理系统和基板处理方法，其中，该基板处理系统具有：偏心检测装置，其检测接合第1基板和第2基板而成的层叠基板中的所述第1基板的偏心；改性层形成装置，其沿着所述第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基...

一种对基板进行处理的基板处理系统和基板处理方法，其中，该基板处理系统具有：偏心检测装置，其检测接合第1基板和第2基板而成的层叠基板中的所述第1基板的偏心；改性层形成装置，其沿着所述第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基...

本发明提供一种配置在等离子体处理腔室内的基片支承器，其特征在于，包括：能够与至少1个电源电连接的基座；配置在基座上的、具有基片支承面的第一电介质部；和以包围第一电介质部的方式配置在基座上的、具有环支承面的第二电介质部，第一电介质部在内部...