【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片载置机构、检查装置和检查方法。
技术介绍
1、半导体制造工艺中需要使用检查装置，其特征在于：将形成有电子器件的基片载置于载置台上，在该状态下进行电子器件的电气特性等的检查。专利文献1公开了一种检查装置，其构成为，对于用于载置作为被检查对象的基片的载置台，将基片载置面在径向上划分为多个区域，在多个区域分别设置有加热器。而且，专利文献1的检查装置具有控制部，该控制部针对基片载置面的多个区域中的最中心的区域，以其成为设定温度的方式进行反馈控制，并且，针对基片载置面的多个区域中的比最中心的区域靠外侧的区域，以其与径向内侧相邻的区域之间的温度差成为预先设定的值的方式进行反馈控制。
2、另外，专利文献2公开了一种在同样的检查装置中使用多个led作为加热机构进行多个区域的温度控制的技术。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2020-191332号公报
6、专利文献2：日本特开2019-153717号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供基片载置机构、检查装置和检查方法，其能够在短时间内简单地执行对形成于基片上的多个电子器件进行检查时的电子器件的温度控制。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式的载置机构是一种基片载置机构，其在对设置于基片的多个电子器件依次进行检查的检查装置中载置基片，包括：载置台，其载置设置有多个
5、专利技术效果
6、根据本专利技术，能够提供基片载置机构、检查装置和检查方法，其能够在短时间内简单地执行对形成于基片上的多个电子器件进行检查时的电子器件的温度控制。
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1.一种基片载置机构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的基片载置机构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的基片载置机构，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的基片载置机构，其特征在于：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片载置机构，其特征在于：
7.根据权利要求1至5中任一项所述的基片载置机构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的基片载置机构，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于：
11.一种检查装置，其特征在于：
12.根据权利要求11所述的检查装置，其特征在于：
13.根据权利要求12所述的检查装置，其特征在于：
14.根据权利要求13所述的检查装置，其特征在于：
15.根据权利要求12所述的检查装置，其特征在于：
16.根据权利要求11至15中任一项所述的
17.根据权利要求11至15中任一项所述的检查装置，其特征在于：
18.根据权利要求11所述的检查装置，其特征在于：
19.根据权利要求18所述的检查装置，其特征在于：
20.一种检查方法，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基片载置机构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的基片载置机构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的基片载置机构，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的基片载置机构，其特征在于：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片载置机构，其特征在于：
7.根据权利要求1至5中任一项所述的基片载置机构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的基片载置机构，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的基片载置机构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：河西繁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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