【技术实现步骤摘要】
本公开涉及杯、液处理装置以及液处理方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工序中,对半导体晶圆(以下,记载为晶圆)供给各种处理液而进行处理。在专利文献1中,示出一种对容纳于杯内的晶圆供给抗蚀剂而形成抗蚀膜的装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2014-151249号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供能够调整作为液处理对象的基板的周围的气流而使处理状况成为期望的处理状况的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的杯包围载置于载置部并被供给处理液的基板,并且其内部被进行排气,其中,
5、该杯具备:
6、流路形成构件,其在所述杯内的比所述基板靠该杯的周缘侧的位置,从下向上按顺序分别形成作为朝向所述杯的中心轴线侧各自开口的环状路径、并且彼此划分开的第1排气路径、回收来自所述基板的飞散物的飞散物回收路径、第2排气路径;
7、合流排气路径,
...【技术保护点】
1.一种杯,其包围载置于载置部并被供给处理液的基板,并且其内部被进行排气,其中,
2.根据权利要求1所述的杯,其中,
3.根据权利要求2所述的杯,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的杯,其中,
5.根据权利要求4所述的杯,其中,
6.根据权利要求1~3中任一项所述的杯,其中,
7.一种液处理装置,其中,
8.根据权利要求7所述的液处理装置,其中,
9.根据权利要求8所述的液处理装置,其中,
10.根据权利要求7~9中任一项所述的液处理装置,其中,
...【技术特征摘要】
1.一种杯,其包围载置于载置部并被供给处理液的基板,并且其内部被进行排气,其中,
2.根据权利要求1所述的杯,其中,
3.根据权利要求2所述的杯,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的杯,其中,
5.根据权利要求4所述的杯,其中,
6.根据权利要求1~3中任一项所述的杯,其中,
7.一种液处理装置,其中,
【专利技术属性】
技术研发人员:东龙之介,矢田健二,井村佳弘,川上浩平,前田雄平,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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