蚀刻方法包括以下工序：提供具备包含含硅层的蚀刻对象层和包含金属的掩模的基板，所述掩模设置在蚀刻对象层上，具有由侧壁规定的开口；供给包含含金属气体的处理气体；以及从处理气体生成等离子体，在掩模的上部和侧壁形成含有金属的保护层并且经由开口对...

本公开提供一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制系统具有预测装置和蚀刻控制装置。预测装置具有计算部，所述计算部使用表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型来计算与所指定的蚀刻量...

根据实施例，提供了一种用于等离子体加工系统的设备。该设备包括接口、辐射结构和导电偏移。该接口包括可耦合到RF源的第一导电板、设置在该RF源与该第一导电板之间的第二导电板、以及设置在该第二导电板与衬底固持器之间的同心导电环结构。这些导电偏...

基板厚度测定装置具备基板保持部、厚度测定部、壳体、温度测定部以及厚度校正部。所述基板保持部保持基板。所述厚度测定部测定被保持于所述基板保持部的所述基板的厚度。所述壳体收容所述厚度测定部的至少一部分和所述基板保持部。所述厚度校正部校正由所...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻...

本发明提供能够抑制使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置的处理容器内的颗粒的滞留的基片处理装置和基片处理方法。一个实施方式的基片处理装置包括：处理容器；供给管线；排出管线；设置在排出管线中的调节阀；和控制部，其能够通过调节...

一种基板处理装置，向基板照射激光束来对该基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持所述基板；激光照射部，其向被保持于所述基板保持部的所述基板照射所述激光束；以及集尘部，其收集粉尘，其中，所述集尘部具有：上部集尘部，其配置于所...

一种基板处理方法，是使基板与超临界状态的处理流体接触来对该基板进行处理的基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置具备：处理容器(31)，其具有能够收容基板的处理空间；主供给线路(50)，其用于向处理空间供给处理流体；排出线路(52)，其...

一种等离子体处理装置，其具备等离子体处理腔室、基板支承部、下部电极、RF电源以及上部电极组件，所述上部电极组件具备：气体扩散板；绝缘板；以及上部电极板，其配置于所述气体扩散板与所述绝缘板之间，具有多个第1贯通孔和多个第2贯通孔，所述绝缘...

本发明提供能够高效地抑制颗粒向基片的附着的基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括液处理步骤和带电步骤。液处理步骤利用酸性的处理液对一个或多个基片进行液处理。带电步骤在液处理步骤之前使一个或多个基片的表面电位在正侧...

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够将两张基板更高精度地接合。接合装置具备第一保持部、第二保持部、吸附压力产生部、推动部、以及控制部。控制部在开始通过推动部按压第一基板时，使得按照针对多个区域的每个区域设定的开始时吸附压力分布吸附第二...

本发明提供等离子体处理装置，即使与等离子体处理装置的谐振器耦合的高频电源的频率的可变范围小也能够进行阻抗匹配。所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、第一电极、第二电极、导入部和谐振器。基片支承部设置于腔室的处理空间内。第一电极设...

一种监测浴工艺的示例性方法包括：通过将第一晶圆浸没在浴溶液内来加工该第一晶圆；在第一时间间隔期间捕获包含该第一晶圆的浴溶液的视频；基于在该视频的帧中捕获的光强度来分析该视频；以及基于对该视频的分析来确定该第一时间间隔期间该浴溶液的第一度量。

本发明涉及基板保持件和基板处理装置。提供一种能够抑制微粒的产生的技术。一种能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠成多层的基板保持件，其具有：多个支柱，它们设于同一圆周上，沿着铅垂方向延伸；和多个支承部，它们在铅垂方向上具有间隔地设于各...

基片支承器包括：基座；配置在所述基座的上部的第一电介质部，其用于载置基片；和以包围所述第一电介质部的方式配置的第二电介质部，其用于载置边缘环，所述第一电介质部和所述第二电介质部中的至少任一者包括由绝缘性材料形成的喷镀层。基片处理装置包括...

涂敷/显影装置包括：用于对基片的周缘部释放除去液的除去液喷嘴；流路，其为用于使除去液在除去液的供给源与除去液喷嘴之间流通的处理液供给路径；检查单元的拍摄部，其用于对基片的周缘部进行拍摄；设置在流路中的作为观测部的各种传感器，其用于对流路...

基板处理装置具备紫外线照射部、保持部以及液供给部。所述紫外线照射部对在表面形成有钨膜和氮化钛膜的基板的所述表面照射紫外线，来在所述基板的所述表面形成氧化膜。所述保持部保持所述基板。所述液供给部对由所述保持部保持的所述基板的所述表面供给药...

在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理装置。基板处理装置具备处理腔室、基板支撑台、第1供给管、第2供给管、第1隔壁、第2隔壁、第1回收管、第2回收管、压电元件、第1热电元件及驱动电路。第2供给管构成为向第2凹部供给传热介质。压电元件配...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够在基板的面内均匀地进行基板处理的技术。基板处理装置具备处理容器和使基板旋转的基板保持部。另外，基板处理装置具备：第1喷嘴机构，其在内部空间以能够摆动的方式设置，并在摆动时向保持于基板保持...

本公开提供一种测定方法、测定系统以及测定器，能够高精度地求出测定器的偏离量。测定方法包括以下工序：通过被搬送到区域内的测定器的四个以上的传感器电极来获取测定值。测定方法包括以下工序：确定四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性...