本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，在将基板浸渍在产生混合热的混合液中的情况下，对基板高效地进行处理。基板处理装置具备：处理槽，其贮存用于对基板进行处理的处理液；循环路，其用于将所述处理液从所述处理槽取出并使其返回到所述处理槽；基...

本发明提供一种包括湿式地进行曝光处理以外的光刻用处理的湿式处理系统且与曝光装置连接的生产率高的基板处理系统，基板处理系统包括：湿式处理系统，具有湿式处理装置且与曝光装置连结，以湿式方式进行从抗蚀剂膜向基板上的形成处理至曝光后的抗蚀剂膜的...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够将附着于基板的沉积物去除。在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法包括：工序(a)，提供具备基底膜和掩模的基板，所述掩模设置于基底膜上且具有开口；工序(b)，使用等离子体对基底膜进行蚀刻；以及工序...

本发明涉及等离子体处理装置。高精度地控制等离子体处理容器内的排气压力。提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内；可动构件和静止构件，它们配置于基板支承部的周围，可动...

本发明公开的等离子体处理装置中，高频电源在电偏置能量的偏置周期内调节高频电功率的频率。高频电源使用基本时间序列作为偏置周期内的高频电功率的频率的时间序列。高频电源以基于评价值改善匹配状态的方式，反复进行作为偏置周期内的高频电功率的频率的...

降低学习作业所花费的作业负荷。基板处理装置，具有：储备池特征量生成部，输入取得的时间序列的第1传感器数据并输出储备池特征量；学习部，在学习期间，学习权重参数，以使通过基于所述权重参数运算储备池特征量而得到的预测结果数据与取得的所述时间序...

所公开的基板支承器在等离子体处理装置中使用。基板支承器具备基座、静电卡盘及多个电极。基座由陶瓷形成。静电卡盘设置于基座上。静电卡盘具有中央区域、环状区域及包覆层。中央区域构成为支承载置于其上的基板。环状区域以包围中央区域的方式延伸，且构...

基板液处理装置具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使保持于基板保持部的基板旋转；液体喷出部，其具有朝向基板的处理面喷出液体的液体供给喷嘴；处理液喷出部，其具有朝向处理面喷出雾状的处理液的处理液供给喷嘴；第一驱动部，其使处理液供给...

本发明涉及等离子体处理装置和温度控制方法，即使加热器的数量也增加也会抑制向加热器供给电力的电源的电力容量的增加。基座配置于等离子体处理腔室内。静电卡盘配置于基座的上部，具有第一部分和第二部分。第一加热器电极层组包括配置于第一部分内的至少...

本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧...

提供对环组件进行陈化的技术。一种陈化方法，在具备腔室以及配置于所述腔室内的静电吸盘的等离子体处理装置中执行，所述静电吸盘具有支持基板的中央区域以及包围所述中央区域且支持环组件的环状区域，所述陈化方法包含：在所述静电吸盘的所述环状区域配置...

提供一种在等离子体处理的执行中检测特异点的技术。本公开涉以及的检测方法是在等离子体处理装置中执行的检测方法，所述等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、配置于所述等离子体处理腔室内的基板支持部以及配置于所述基板支持部内的多个加热器，所述检...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理...

本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统和输送模块。基片输送系统包括装载锁定模块、大气输送模块、第一装载口和第二装载口。大气输送模块具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁。第一侧壁沿着第一方向延伸，与装载锁定模块连接。第二侧壁沿...

本发明提供防止部件脱落的基板支承构造和基板处理装置。一种基板支承构造，其具备多个基板支承销，基板支承销具有与基板抵接的基板支承构件和与基板支承构件连结的杆构件，基板支承构件具有：头部，其具有与基板抵接的基板抵接面和与杆构件抵接的第1抵接...

披露了一种方法，该方法包括提供衬底，该衬底具有源极/漏极区和在该源极/漏极区上的蚀刻停止层。使用蚀刻气体进行等离子体蚀刻工艺，该蚀刻气体除去该蚀刻停止层并在该源极/漏极区上形成牺牲氧化物覆盖层。该牺牲氧化物覆盖层则来自该源极/漏极区。

提供使蚀刻形状提高并且抑制在等离子体处理装置中的异常放电的技术。提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备与下部电极耦合的第一射频信号生成器以及第二射频信号生成器和与上部电极耦合的直流信号生成器。第一射频信号在重复期间内的第一状态期...

本发明提供能够使基板较佳地保持于旋转滚筒的外周面的基板处理装置、基板保持装置以及基板保持方法。基板处理装置具备：圆筒形或者圆柱形的旋转滚筒，其具有沿长度方向延伸的旋转轴线；双极静电保持盘，其配置于所述旋转滚筒的外周面；以及至少两个侧部按...

第一RF脉冲信号包括多个主循环。各主循环包括第一期间和第二期间。第一期间包括多个第一子循环，第二期间包括多个第二子循环。第一RF脉冲信号在多个第一子循环和多个第二子循环的每一个具有3个以上不同的功率水平。第二RF脉冲信号包括多个主循环。...

本公开所涉及的清洁方法包括第一清洁工序和第二清洁工序，所述第一清洁工序包括以下工序：向腔室内供给第一处理气体；以及在由载置区域和电极规定的空间中，从所述第一处理气体生成第一等离子体来对所述载置台中的包括所述载置区域的区域进行清洁，所述第...