等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各个方面以及实施方式涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

1、作为执行一个半导体制造工艺的处理装置，已知有将处理气体等离子体化来进行蚀刻、成膜处理等的等离子体处理。在例如单片式的等离子体处理装置中，谋求能够根据其处理种类来适当调整基板的面方向上的等离子体的密度分布。具体地说，存在基于处理容器内的构造的情况、与后处理中的基板面内的处理的偏移相对应的情况等。因此，不限于使基板的整个面内的等离子体的密度分布均匀的处理，有时也有意地使基板的中央部与周缘部之间的等离子体的密度分布产生差。

2、作为等离子体处理装置中的等离子体的产生方法，例如存在向天线供给高频电力，使处理容器内产生感应电场来对处理气体进行激发的方法(例如参照下述专利文献1)。该方法中记载了如下结构：作为输出高频的天线，设置线圈状的内侧天线以及与内侧天线同心的线圈状的外侧天线，使各天线各自以高频的1/2波长的频率进行谐振。根据该等离子体处理装置，独立地控制向各天线供给的高频电力，由此能够细致地调整等离子体的密度的面内分布。

3、另外，已知有如下技术：在icp(indu本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供给部具有：

10.根据权利要求9所述的等离子...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供给部具有：

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

13.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

14.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

15.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，

16.一种等离子体处理装置，具备：

17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，所述内侧线圈(542)具备可变电容器(543)。

18.根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其中，所述导电性的屏蔽盒(51)连接到接地电位。

19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，所述外侧线圈(541)以大致圆形的螺旋状卷绕两周以上。

20.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，所述中央气体喷射部(41)具有：

21.根据权利要求20所述的等离子体处理装置，其中，所述中央气体喷射部(41)具有大致圆筒状。

2...

【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，齐藤武尚，宇田真代，豊田启吾，阿洛克·兰根，中岛俊希，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：