本公开提供一种基板处理装置和位置测定方法，能够在测定器的测量中更稳定地测量基板的位置。基板处理装置具备：保持部，其保持基板；测定器，其设置于被保持部保持的基板的相向位置，测量与基板的相对距离；移动部，其使测定器与基板的相对位置移位；以及...

一种检查系统，具有多个进行被检查体的电气检查的检查单元。检查方法中，根据检测出的总电流，进行以下(a)～(c)的判定处理中的至少一个。(a)在未动作单元开始检查的定时，比较总电流和开始电流阈值，在总电流为开始电流阈值以上的情况下，等待未...

所公开的基板处理装置具备处理腔室、基板支撑台、供给管、隔壁、回收管、流量调整阀及控制部。基板支撑台提供凹部。凹部在下方开口。供给管包括开口端。开口端在凹部内朝向上方开口。供给管构成为向凹部供给传热介质。隔壁与基板支撑台一并形成空间。空间...

本发明提供在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅...

本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹...

本发明提供能够顺畅地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括：浓缩器(11)，对从半导体制造装置(100)排出的含有PFAS的废液进行浓缩；硫酸处理槽(12)，利用含有浓硫酸的液体使由浓缩器(11)...

本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)...

本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板...

本发明提供一种能够调整对基片面内施加的电磁场强度分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置包括：处理容器；能够插入到所述处理容器中的基片保持件，其能够分多层载置多块基片；能够使所述基片保持件旋转的旋转轴；用于向所述处理容器内供给处...

基板处理系统具备批量处理部、单片处理部以及搬送部。所述批量处理部通过将多张基板浸在贮存于处理槽的臭氧水中，来对多张所述基板一并进行处理。所述单片处理部利用药液对所述基板逐张地进行处理，所述搬送部将所述基板保持湿润的状态从所述批量处理部搬...

本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法是用于对将第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理方法，所述基板处理方法包括：沿所述第一基板的作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部的边界形成周缘改性层；以及形成使...

本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，提高蚀刻选择比。在所公开的蚀刻方法中，在基板在腔室内载置于基板支承部上、且处理气体供给到腔室内的状态下，重复循环。基板包括由包含硅的材料形成的第一区域、以及由与第一区域的材料不同的材料形成的...

提供能够降低射频信号的反射波的等离子体处理系统。本公开涉及的等离子体处理系统具备：第一射频信号生成部，构成为生成具有第一频率的第一射频信号；第一匹配电路，与所述第一射频信号生成部耦合；第二射频信号生成部，构成为生成具有比所述第一频率低的...

本文的技术包括用于在晶片的背面上涂覆单层致动器膜或多层致动器膜的方法。致动器膜包括一个或多个化学致动器。化学致动器是各种分子、晶体、化合物和其他化学成分，它们能够响应于施加在化学致动器上的外部刺激来施加定向应力。外部刺激可以包括特定波长...

本发明提供在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅...

本发明的滤波电路包括第一滤波部和第二滤波部。第一滤波部设置在设置于等离子体处理装置内的导电部件与电功率供给部之间的配线。电功率供给部将控制电功率供给到导电部件，控制电功率是比第二频率低的第三频率的电功率或直流的电功率。第二滤波部设置于第...

本发明涉及自动压力控制装置、成膜装置和压力的控制方法。促进排气管内的气体置换且抑制副产物的附着的影响地进行压力制御。包括蝶形阀，其具有阀芯，阀芯安装为可借助轴相对于内壁面形成排气路径的局部的环状的阀座转动，通过使相对于横截面的倾斜角变化...

本公开涉及的等离子体处理方法包含在基板支持部上配置基板的工序、向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序、通过第一高频信号以及第二高频信号在腔室内生成处理气体的等离子体的工序以及在基板支持部上施加偏置信号的工序，生成等离子体的工序包含基于...

一种在基板上形成图案膜的图案形成方法，上述图案膜含有具有三蝶烯骨架的三蝶烯衍生物，上述三蝶烯骨架具有该三蝶烯骨架的1位、8位和13位排列的第1面以及上述三蝶烯骨架的4位、5位和16位排列的第2面，上述三蝶烯衍生物在上述第1面和上述第2面...

本发明提供热处理装置，提供能够提高热处理的均匀性的技术。本公开的一技术方案的热处理装置具备：处理容器，具有下端开口的有顶的圆筒形状，在内部形成第1空间；盖，封闭下端的开口；支承部，贯穿盖地设置，支承部具有轴部和位于轴部的上部的载置部；晶...