【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置中的载置台的清洁方法和等离子体处理装置。
技术介绍
1、以往，已知一种在等离子体处理装置中使用等离子体来去除沉积于载置台的沉积物的技术，该载置台载置半导体晶圆等基板。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2011-054825号公报
5、专利文献2：日本特开平7-78802号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够抑制对载置台的损伤并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式的清洁方法是等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，所述等离子体处理装置具备：载置台，其载置基板；升降机构，其使基板相对于载置台进行升降；以及高频电源，其与载置台连接。本公开的一个方式的清洁方法包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
5、本公开的其它方式的种清洁方法是等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，所述等离子体处理装置具备：处理容器；基板载置台，其设置于所述处理容器内；以及基板升降机
6、本公开的其它方式的等离子体处理装置具备：处理容器；基板载置台，其设置于所述处理容器内；基板升降机构，其具备支承基板的升降销；以及控制部，其中，所述控制部构成为执行以下处理：处理(a)，控制所述基板升降机构来使升降销上升，以接受被搬入到所述处理容器内的基板假片；处理(b)，控制所述基板升降机构来使所述升降销的前端位于所述载置台的上方且比接受了所述基板假片的位置低的位置；处理(c)，在所述处理(b)之后，使用等离子体对所述处理容器内进行清洁；以及处理(d)，控制所述基板升降机构来使所述升降销上升，以向所述处理容器外搬出所述基板假片。
7、专利技术的效果
8、根据本公开，能够抑制对于载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。
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1.一种清洁方法，是等离子体处理装置中的清洁方法，
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洁方法，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的清洁方法，其中，
6.根据权利要求5所述的清洁方法，其中，
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的清洁方法，其中，
8.根据权利要求7所述的清洁方法，其中，
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的清洁方法，其中，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的清洁方法，其中，
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的清洁方法，其中，
12.根据权利要求11所述的清洁方法，其中，
13.根据权利要求11所述的清洁方法，其中，
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的清洁方法，其中，
15.根据权利要求14所述的清洁方法，其中，
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的清洁方法
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的清洁方法，其中，
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的清洁方法，其中，
19.一种等离子体处理装置，具备：
20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其中，
21.根据权利要求19或20所述的等离子体处理装置，其中，
22.根据权利要求19至21中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
23.根据权利要求19至22中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
24.根据权利要求23所述的等离子体处理装置，其中，
25.根据权利要求19至24中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
26.根据权利要求25所述的等离子体处理装置，其中，
27.根据权利要求19至26中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
28.根据权利要求19至27中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
29.根据权利要求19至28中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
30.根据权利要求29所述的等离子体处理装置，其中，
31.根据权利要求29所述的等离子体处理装置，其中，
32.根据权利要求19至31中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
33.根据权利要求32所述的等离子体处理装置，其中，
34.根据权利要求19至33中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
35.根据权利要求19至34中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
36.根据权利要求19至35中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
37.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
38.根据权利要求1或37所述的清洁方法，其中，
39.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其中，
40.根据权利要求19或39所述的等离子体处理装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种清洁方法，是等离子体处理装置中的清洁方法，
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洁方法，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的清洁方法，其中，
6.根据权利要求5所述的清洁方法，其中，
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的清洁方法，其中，
8.根据权利要求7所述的清洁方法，其中，
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的清洁方法，其中，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的清洁方法，其中，
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的清洁方法，其中，
12.根据权利要求11所述的清洁方法，其中，
13.根据权利要求11所述的清洁方法，其中，
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的清洁方法，其中，
15.根据权利要求14所述的清洁方法，其中，
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的清洁方法，其中，
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的清洁方法，其中，
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的清洁方法，其中，
19.一种等离子体处理装置，具备：
20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其中，
21.根据权利要求19或20所述的等离子体处理装置，其中，
22.根据权利要求19至...
【专利技术属性】
技术研发人员：高山贵光，佐佐木淳一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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