本发明提供一种检查装置，包括：拍摄部，其拍摄设置在探针卡上的探针的针尖，所述探针卡用于检查待检查体；区域分割部，其通过将由所述拍摄部拍摄的验证图像，输入到经使用训练数据训练后的分割模型中，来识别该验证图像的针区域和针尖区域，其中，所述训...

本技术涉及过滤器净化装置。该过滤器净化装置防止液处理装置的运转率的降低、并且高效地进行过滤器的净化处理。该过滤器净化装置具备：流路形成部，其包括多个流路与泵的组，该流路能够供用于去除向基板供给的处理液的异物的过滤器拆装，该泵设于所述流路...

一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，该基板处理装置具有：内侧腔室，其收容基板；外侧腔室，其设于所述内侧腔室的外侧；以及处理气体供给部，其向所述内侧腔室的内部供给处理气体，所述内侧腔室构成为相对于所述外侧腔室拆装自如，所述外侧腔室设...

本发明提供能够提高将除去对象物从基片除去的处理的面内均匀性的基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括基片保持部、流体供给部、处理液供给部、喷嘴、流体流量调节部和控制部。基片保持部用于以可旋转的方式保持基片。流体供给部用于供给...

一种基板处理方法，包括以下(A)至(D)。(A)准备层叠基板，所述层叠基板依次包括第一基板、吸收激光的第一吸收层、对所述激光的吸收系数高于所述第一吸收层的第二吸收层、器件层和第二基板。(B)对所述第一基板，从与所述第二基板相反的一侧照射...

本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。...

本发明提供等离子体处理装置和基片支承器。本发明的等离子体处理装置包括基片支承器(11A)。基片支承器(11A)具有基座(14)、静电吸盘(16A)、吸盘电极(16a)和电极结构体(16pA)。静电吸盘(16A)配置在基座(14)上，具有...

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，是能够在制造氮化硅膜时恰当地控制期望的金属的掺杂量的技术。成膜方法用于在基板上形成掺杂了期望的金属的氮化硅膜。该成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器的内部供给含硅气体；工序(b)...

本申请公开一种光致抗蚀剂组合物，其包含非化学放大型抗蚀剂材料和增感剂前体。增感剂前体是通过照射电离放射线或具有300nm以下波长的非电离放射线而生成增感剂的化合物，所述增感剂吸收超过300nm的非电离放射线。

在向处理装置供给通过气化装置使粉末原料气化而生成的原料气体的原料气体供给系统中对向气化装置供给粉末原料的粉末原料供给装置补充粉末原料的粉末原料补充机构具有：配管，该配管的一端连接于粉末原料供给装置；粉末原料盒，其填充有粉末原料；连接部，...

本发明涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种液处理装置，其在基板上涂布涂布液，其中，液处理装置具备：基板保持部，其保持基板并使之旋转；涂布液供给部，其向被基板保持部保持的基板涂布涂布液；以及杯，其...

本发明提供提高与等离子体处理的均匀性有关的控制性的基片处理装置、基片处理方法和气体供给组件。基片处理装置包括：处理容器，在该处理容器的内部，在载置台与金属窗之间形成处理空间；和用于在上述处理空间生成上述等离子体的电感耦合天线，上述金属窗...

本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，即使在划分壁上沉积膜也能够维持放电。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；以...

一种基片处理系统，具有基片处理装置、真空输送室、输送机构、吸引机构和控制部。基片处理装置具有对基片执行真空处理的真空处理室。真空输送室与真空处理室连接，具有能够与真空处理室连通的输送口。输送机构配置在真空输送室，经输送口输送基片。吸引机...

本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制划分壁的损伤。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；内部电极，其以能...

本发明涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种在基板上涂布涂布液的液处理装置，其具备：基板保持部，其保持基板并使之旋转；涂布液供给部，其向被保持的基板涂布涂布液；和杯，其包围被保持的基板，杯具有：外...

本发明的粒子监控系统，具备：发光装置，对等离子体处理装置内照射光；及监控装置，载置于等离子体处理装置内的工作台上。监控装置包含：基底基板；多个拍摄装置；及控制装置。基底基板呈板状。多个拍摄装置具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配...

本文描述了用于减少键合后晶片对畸变的晶片键合设备和方法的各种实施例。更具体地，本披露提供的晶片键合设备和方法的实施例减少了主要发生在键合后晶片对的中心和/或边缘内的键合后晶片畸变。在本披露中，通过校正键合前晶片形状的变化，来减少键合后晶...

一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序...

本文中的技术包括形成直写可调应力膜的方法和使用所述应力膜校正晶片弯曲的方法。该方法可以在涂布机显影机工具或基于轨道的工具上执行。应力膜可以基于在外部刺激下经历交联/解交联的膜，其中直写通过但不限于365nm曝光实现，并且随后的固化用于“...