东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明提供一种蚀刻方法及等离子体处理装置,该蚀刻方法包括(a)在腔体内的基板支承器上提供基板的工序。基板包括:第1区域,具有氧化硅膜与氮化硅膜交替层叠的多层膜;第2区域,具有单层的氧化硅膜;及掩模,设置于第1区域及第2区域上。蚀刻方法包...
  • 本公开提供一种基板处理装置
  • 本公开提供一种制程的显示方法和基板处理系统,能够容易地目视确认在基板处理装置中使用的多个制程的比较结果
  • 示例性实施方式所涉及的测定系统获取表示测定器与输送测定器的输送叉之间的静电电容的测定值。输送叉包括靶电极。测定器具备设置于基座基板的第1传感器。第1传感器包括中心电极和外围电极。中心电极获取反映与靶电极的距离的静电电容。外围电极配置于中...
  • 本发明提供检测输送装置的异常的异常检测方法和输送装置。异常检测方法是输送装置的异常检测方法,输送装置包括:臂,其具有保持基片的基片保持部;使臂升降的升降机构;位置检测部,其检测基片保持部的位置;设置于基片保持部的吸引孔;和压力检测部,其...
  • 本发明的基片处理方法包括以下处理:对具有彼此朝向相反的第一主面和第二主面且在上述第一主面包含凹凸图案的基片,在上述第一主面的整体露出的状态下,由振子施加振动。由振子施加振动。由振子施加振动。
  • 本发明提供一种半导体制造装置,其具备:处理腔室;基板支承部,其设于所述处理腔室内,用于保持基板;板,其与所述基板支承部相对,并具有气体导入口;以及圆筒构件,其支承所述板,并包围所述基板的周围,所述板和所述圆筒构件是具有利用CVD成膜而成...
  • 根据本公开的一个方式的处理装置,具有:拾取器,其保持并输送基板;第1吸附垫,其被配置在与所述拾取器中的凹状弯曲的基板接触的位置;第2吸附垫,其被配置在与所述拾取器中的凸状弯曲的基板接触的位置;压力传感器,其检测与所述第1吸附垫连接的第1...
  • 本发明提供一种基片液处理装置,其具备:处理槽,在内部贮存用于基片的液处理的处理液;拍摄部,取得处理槽的内部的处理液的图像;和图像处理部,具有进行图像的图像处理以取得表示处理液中的气泡的状态的气泡数据的气泡数据取得部。数据取得部。数据取得部。
  • 本公开涉及一种基板处理装置和液体接收容器的清洗方法,能够大范围地清洗液体接收容器
  • 本发明提供一种蚀刻处理装置
  • 本发明的LED卡盘包括:载置被检查体的顶板;LED阵列电路板,其与上述被检查体相对地配置,设置有对载置于上述顶板的被检查体进行加热的多个LED;配置在上述LED阵列电路板的背面侧的冷却板;LED控制电路板,其配置在上述冷却板的背面侧,控...
  • 一种使用基板处理装置进行的基板的蚀刻方法,所述基板处理装置具备:处理腔室,其形成所述基板的处理空间;基板支承体,其设置于所述处理腔室的内部,用于保持所述基板;以及电源,其至少向所述基板支承体供给偏压电力,所述蚀刻方法包括以下工序:工序(...
  • 本发明涉及气流形成装置。通过抑制处理空间内风速的变化来抑制液处理后的基板的膜厚的偏差。气流形成单元(2)从涂敷处理部(100)的上方向去向该涂敷处理部(100)的处理空间(PS)的下方产生气流。气流形成单元(2)包括将导入的气体从与处理...
  • 本发明提供无需变更腔室就能够变更升降销的布局的基片处理装置和基片处理装置的制造方法。基片处理装置包括:处理容器;配置在上述处理容器内的载置台,其具有载置板和用于支承上述载置板的主体部,上述载置板具有用于载置基片的载置面;升降销,其配置在...
  • 公开的基板支承组件具备基板支承体、间隔件、第1基台、第1热辐射体及第2热辐射体。基板支承体包含静电卡盘。基板支承体包含第1面及与该第1面相反侧的第2面。间隔件包含隔热部件。第1基台具有与第2面对置的第3面,介由配置于第2面的周缘区域与该...
  • 基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法,包括以下工序:工序a),向配置有载置台的处理容器供给工艺气体,所述载置台用于载置具有被蚀刻膜的被处理体,所述工艺气体包含含有除氟以外的卤素的气体和含有氧的气体;工序b),利用在第一等离子体生成...
  • 本发明提供一种校正基板的位置偏差并进行传送的基板传送方法。该基板传送方法包括下述步骤:以第一传送装置的拾取部接收第一基板和第二基板;检测第一基板的偏移量和第二基板的偏移量;基于第一基板的偏移量,计算拾取部的转送位置的校正量;使其移动到校...
  • 本发明提供能够在包括能够利用磁力进行移动的多个输送体的基片输送装置中使用的输送体的路径设定系统中,减轻操作者的设定负担的路径设定系统、路径设定方法和软件。本发明的路径设定系统为在包括基片输送区域和多个输送体的基片输送装置中使用的各个所述...
  • 本发明提供一种基板处理装置,能够抑制处理容器内的气体的流动不均。本公开的一个方式的基板处理装置具备:内筒,其内部形成有用于收容基板的第一区域;外筒,其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧,所述外筒的侧壁的端部具有排气端口;喷嘴,其向所述第...