基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，能够抑制处理容器内的气体的流动不均。本公开的一个方式的基板处理装置具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。个狭缝。个狭缝。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板处理装置。

技术介绍

[0002]已知一种在具有包括同心地配置的内筒和外筒的处理容器的基板处理装置中在内筒与外筒之间设置有板状的整流板的结构(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
178136号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制处理容器内的气体的流动不均的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理装置具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制处理容器内的气体的流动不均。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。
[0013]图2是示出气体流调整部的概要图。
[0014]图3是示出第一变形例所涉及的气体流调整部的概要图。
[0015]图4是示出第二变形例所涉及的气体流调整部的概要图。
[0016]图5是示出铅垂方向上的气体的流量分布的分析结果的图。
[0017]图6是示出气体流量的均匀性的分析结果的图。
[0018]图7是说明狭缝的开口位置的图。
[0019]图8是示出铅垂方向上的气体的流量分布的分析结果的图。
[0020]图9是说明狭缝的开口位置的图。
[0021]图10是示出铅垂方向上的气体的流量分布的分析结果的图。
具体实施方式
[0022]下面，参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在附图中，对相同或
对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。
[0023]〔基板处理装置〕
[0024]参照图1和图2来说明实施方式所涉及的基板处理装置1。如图1所示，基板处理装置1是对多张基板W一次性进行热处理的批量式的纵型热处理装置。基板W例如是半导体晶圆。
[0025]基板处理装置1具备处理容器10、气体供给部30、排气部50、加热部70、气体流调整部80以及控制部90。
[0026]处理容器10内部能够减压。处理容器10具有同轴状地配置有内管11和外管12的双层管构造。
[0027]内管11具有下端开放的有顶的圆筒形状。内管11内部形成有用于收容基板W的第一区域R1。内管11的顶部例如是平坦的。内管11例如由石英等耐热材料形成。
[0028]外管12具有下端开放的有顶的圆筒形状。外管12以覆盖内管11的侧壁和顶部的方式设置。外管12隔着第二区域R2地设置于内管11的外侧。外管12由石英等耐热材料形成。
[0029]在内管11的一侧沿其轴向(铅垂方向)形成有用于收容喷嘴的收容部13。例如，使内管11的侧壁的一部分朝向外侧突出来形成凸部14，将凸部14内形成为收容部13。
[0030]与收容部13相对应地在内管11的相反侧的侧壁形成有狭缝A1。狭缝A1是用于排出第一区域R1的气体的排气口。狭缝A1具有以铅垂方向为长边方向的矩形状。狭缝A1的狭缝长度可以与晶圆舟16的长度相同，也可以比晶圆舟16的长度长。
[0031]处理容器10的下端被圆筒形状的歧管17支承。歧管17例如由不锈钢形成。在歧管17的上端形成有凸缘18。外管12的下端设置且支承于凸缘18。在凸缘18与外管12的下端之间设置有O型环等密封构件19。
[0032]在歧管17的上部的内壁设置有圆环状的支承部20。内管11的下端设置且支承于支承部20。盖体21经由O型环等密封构件22气密地安装于歧管17的下端的开口。盖体21和密封构件22将处理容器10的下端的开口、即歧管17的开口气密地封堵。盖体21例如由不锈钢形成。
[0033]在盖体21的中央部经由磁性流体密封件23以贯通的方式设置有将晶圆舟16以能够旋转的方式支承的旋转轴24。旋转轴24的下部被旋转自如地支承于由晶圆舟升降机构成的升降机构25的臂25a。
[0034]在旋转轴24的上端设置有旋转板26。晶圆舟16被经由石英制成的保温台27载置在旋转板26上。因而，通过使升降机构25进行升降，由此盖体21与晶圆舟16一体地上下移动，能够相对于处理容器10内插入和取出晶圆舟16。晶圆舟16能够收容于处理容器10内。晶圆舟16将多张(例如50张～150张)基板W沿铅垂方向分层地保持。
[0035]气体供给部30具有多个(例如三个)喷嘴31～33。多个喷嘴31～33以沿周向形成一列的方式设置于内管11的收容部13内。各喷嘴31～33沿铅垂方向设置于内管11内，并且以其基端L字状地弯曲并贯通歧管17的方式被支承。各喷嘴31～33例如由石英形成。
[0036]在喷嘴31沿铅垂方向隔开规定间隔地设置有多个气体孔31a。多个气体孔31a例如朝向内管11的中心侧(基板W侧)。喷嘴31将从原料气体供给源(未图示)导入的原料气体从多个气体孔31a朝向基板W沿水平方向喷出。原料气体例如是含硅、金属的气体。
[0037]在喷嘴32沿铅垂方向隔开规定间隔地设置有多个气体孔32a。多个气体孔32a例如
朝向内管11的中心侧(基板W侧)。喷嘴32将从反应气体供给源(未图示)导入的反应气体从多个气体孔32a朝向基板W沿水平方向喷出。反应气体是用于与原料气体进行反应来生成反应产物的气体。反应气体例如是氧化气体、氮化气体。
[0038]在喷嘴33沿铅垂方向隔开规定间隔地设置有多个气体孔33a。多个气体孔33a例如朝向内管11的中心侧(基板W侧)。喷嘴33将从吹扫气体供给源(未图示)导入的吹扫气体从多个气体孔33a朝向基板W沿水平方向喷出。吹扫气体是用于对残留于处理容器10内的原料气体、反应气体进行吹扫的气体。吹扫气体例如是氮气、氩气等非活性气体。
[0039]气体供给部30也可以将多种气体混合地从一个喷嘴喷出。各喷嘴可以为互不相同的形状、配置。气体供给部30也可以是除了供给原料气体、反应气体、吹扫气体以外还供给其它气体的结构。作为其它气体，能够列举出清洁气体、蚀刻气体。
[0040]排气部50对从内管11内经由狭缝A1排出并经由内管11与外管12之间的第二区域R2从排气端口28排出的气体进行排气。排气端口28形成于歧管17的上部的侧壁且支承部20的上方。在排气端口28连接有排气管51。在排气管51中从气体的流通方向的上游侧朝向下游侧按顺序设置有压力调整阀52和真空泵53。在控制部90的控制下，排气部50一边通过真空泵5来3吸引处理容器10内的气体，一边通过压力调整阀52来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个狭缝至少包括设置于所述内筒的一个狭缝以及设置于所述第二区域的两个狭缝。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体流调整部具有：覆盖构件，其以覆盖所述一个狭缝的方式设置于所述第二区域，在所述覆盖构件与所述内筒的侧壁之间形成第三区域；以及划分板，其设置于所述第三区域，将所述第三区域划分为两个区域，其中，所述两个狭缝中的一方设置于所述划分板，所述两个狭缝中的另一方设置于所述覆盖构件。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体流调整部具有：第一板状构件，其使所述内筒的侧壁与所述外筒的侧壁之间的间隙变窄来形成所述两个狭缝中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂下训康，城俊彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：