根据本公开的一个方式的处理装置，具有：输送机构，输送矩形形状的基板；定位台，用于载置所述基板来进行所述基板的定位；以及旋转台，用于旋转定位的所述基板，所述输送机构包括对载置在所述定位台上的所述基板的端部进行按压而进行所述基板的定位的块部...

本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。的步骤。的步骤。

所公开的等离子体处理装置包括：腔室、等离子体生成部、多个环状电磁体单元、电源、至少一个光学传感器及控制部。多个环状电磁体单元相对于通过腔室内部空间的轴线设置成同轴状。至少一个光学传感器检测腔室10内的沿径向的等离子体的发光强度分布。控制...

在基板处理中的处理条件的探索中，收集适当的数据。一种数据收集系统，具有：具有第1处理空间的第1基板处理装置、具有第2处理空间的第2基板处理装置、和与所述第1基板处理装置及第2基板处理装置连接的数据收集装置，具有：修正量计算部，比较通过在...

提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接，且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁...

层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接...

一种在基板的背面形成摩擦降低膜的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板，形成密闭的处理空间；加热部，其对所述处理容器内的所述基板的背面进行加热；供给部，其朝向所述处理容器内的所述基板的背面供给形成所述摩擦降低膜...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。基板处理方法包括以下工序：流体导入工序，向处理容器内导入超临界状态的处理流体；流体保持工序，将处理容器内维持为能够使处理流体维持超临界状态的压力；以及流体供给排出工序，重复地交替进行...

本发明提供抑制由干燥导致的释放不良的液滴释放装置、液滴释放方法和存储介质。液滴释放装置具有工作台、释放头、移动部和冲流部。释放头具有释放功能液的多个喷嘴，从喷嘴对位于工作台之上的基片释放功能液。移动部使位于工作台之上的基片与释放头相对移...

本发明提供一种处理数据的分析方法和信息处理装置，能够缩短分析处理数据所需的时间，并能够稳定地分析处理数据的适当部位。处理数据的分析方法用于对在基板处理装置运行时获取到的处理数据进行分析。处理数据的分析方法包括以下工序：获取处理数据；将处...

本发明提供一种成膜方法和处理装置，能够改善针对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给包含含硼气体和含氮气体的第一气体，来在所述凹部形成氮化硼膜；以及向所述基板供给不包含含硼...

半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割...

本发明涉及反应管输送治具和反应管的输送方法。提供一种能够容易地更换反应管的技术。本公开的一技术方案的反应管输送治具是在与基板处理装置所具备的多个处理部之间输送反应管的反应管输送治具，其中，该反应管输送治具具备：第1台车，其能够在第1平面...

本公开提供面内均匀性良好的基板处理技术。本公开涉及的等离子体处理方法包含：在基板支持部上配置基板的工序；向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序；向上部电极或者下部电极供给具有第一频率的第一高频，在上部电极与下部电极之间生成处理气体的等...

本发明提供电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线单元和等离子体处理装置，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该利用天线的磁场的生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。电感耦合等离子体激发用天线包括：导电性...

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中，提高蚀刻处理的均匀性。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、流速调整部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理。流速调整部调...

本公开提供一种成膜方法，能够提高成膜的硅氮化膜的膜质。成膜方法是在基板形成硅氮化膜的方法，所述成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器内供给含硅气体；以及工序(b)，在所述工序(a)后，向收容有所述基板的所述处理容器...

本发明提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质，适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。抗蚀剂涂布装置(1)具备：涂布液喷嘴(41)；以及待机槽(50)，其设置于基板(W)的上方的空间的外侧的区域即待...

本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：对基板(W)的表面(Wa)供给显影液(L1)，以在基板的表面形成显影液的液膜；在基板的表面上维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展；以及在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，对周缘...

膜厚分析方法包括：关于对象膜获取沿着径向的互不相同的多个测定点处的膜厚值，所述对象膜是通过基于规定的液处理条件一边使作为分析的对象的对象基板旋转一边供给处理液来形成于对象基板上的膜；以及通过使多个测定点处的膜厚值近似于一个泽尔尼克多项式...