基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中，提高蚀刻处理的均匀性。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、流速调整部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理。流速调整部调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。控制部控制各部。另外，控制部具有获取部和调整部。获取部获取处理槽内的处理液的多个部位的流速与基板的多个部位的蚀刻量进行了对应的信息。调整部基于由获取部获取到的信息来调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。处理液的多个部位的流速。处理液的多个部位的流速。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]以往，在基板处理系统中，已知一种通过将基板浸在蚀刻液中来对形成于该基板的各种薄膜进行蚀刻处理的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2021
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180253号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中能够提高蚀刻处理的均匀性的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、流速调整部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理。流速调整部调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。控制部控制各部。另外，所述控制部具有获取部和调整部。获取部获取所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速与所述基板的多个部位的蚀刻量进行了对应的信息。调整部基于由所述获取部获取到的所述信息来调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中，能够提高蚀刻处理的均匀性。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要框图。
[0013]图2是示出实施方式所涉及的蚀刻处理装置的结构的概要框图。r/>[0014]图3是从上方观察实施方式所涉及的鼓泡气体供给部的图。
[0015]图4是示出实施方式所涉及的控制装置的结构的框图。
[0016]图5是示出基板槽1、基板槽25以及基板槽50处的各种喷出条件下的蚀刻量的图。
[0017]图6是示出实施方式的变形例所涉及的蚀刻液循环部的结构的概要框图。
[0018]图7是示出实施方式的变形例所涉及的蚀刻液循环部的立体图。
[0019]图8是示出实施方式所涉及的基板处理系统执行的控制处理的过程的一例的流程图。
具体实施方式
[0020]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，并不通过以下所示的实施方式来限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，有时在附图彼此间也包括彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
[0021]以往，在基板处理系统中，已知一种通过将基板浸在蚀刻液中来对形成于该基板的各种薄膜进行蚀刻处理的技术。该现有技术的目的在于，通过使从多个喷嘴喷出的处理液的流量交替地增减，来提高蚀刻处理的均匀性。
[0022]另一方面，在上述的现有技术中，在提高蚀刻处理的均匀性这一点上存在进一步改善的空间。因此，期待能够克服上述的问题点来实现提高蚀刻处理的均匀性的技术。
[0023]<基板处理系统的结构>
[0024]首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的结构。图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统1的结构的概要框图。基板处理系统1是基板处理装置的一例。
[0025]如图1所示，实施方式所涉及的基板处理系统1具备承载件搬入搬出部2、批形成部3、批载置部4、批搬送部5、批处理部6以及控制装置7。
[0026]承载件搬入搬出部2具备承载件载物台20、承载件搬送机构21、承载件存放部22、23以及承载件载置台24。
[0027]承载件载物台20载置从外部搬送来的多个前开式晶圆传送盒H。前开式晶圆传送盒H是将多个(例如，25张)晶圆W以水平姿势上下排列地进行收容的容器。承载件搬送机构21在承载件载物台20、承载件存放部22、23以及承载件载置台24之间进行前开式晶圆传送盒H的搬送。
[0028]由后述的基板搬送机构30从载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒H将处理之前的多个晶圆W搬出到批处理部6。另外，由基板搬送机构30从批处理部6将处理后的多个晶圆W搬入到载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒H。
[0029]批形成部3具有基板搬送机构30，用于形成批。批由将1个或多个前开式晶圆传送盒H中收容的晶圆W组合的同时被进行处理的多个(例如，50张)晶圆W构成。形成1批的多个晶圆W以彼此的板面相向的状态隔开规定的间隔地排列。
[0030]基板搬送机构30在载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒H与批载置部4之间搬送多个晶圆W。
[0031]批载置部4具有批搬送台40，用于暂时地载置由批搬送部5在批形成部3与批处理部6之间进行搬送的批(待机)。批搬送台40具有用于载置由批形成部3形成的处理前的批的搬入侧载置台41、以及用于载置由批处理部6处理后的批的搬出侧载置台42。在搬入侧载置台41和搬出侧载置台42，1批的量的多个晶圆W以站立姿势前后排列地载置。
[0032]批搬送部5具有批搬送机构50，用于在批载置部4与批处理部6之间、批处理部6的内部进行批的搬送。批搬送机构50具有导轨51、移动体52以及基板保持体53。
[0033]导轨51遍及批载置部4和批处理部6地沿着X轴方向配置。移动体52构成为能够保持着多个晶圆W沿着导轨51移动。基板保持体53配置于移动体52，用于保持以站立姿势前后地排列的多个晶圆W。
[0034]批处理部6对1批的量的多个晶圆W一并地进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。
在批处理部6，以沿着导轨51排列的方式配置有2台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80以及干燥处理装置90。
[0035]蚀刻处理装置60对1批的量的多个晶圆W一并地进行蚀刻处理。清洗处理装置70对1批的量的多个晶圆W一并地进行清洗处理。清洗处理装置80进行基板保持体53的清洗处理。干燥处理装置90对1批的量的多个晶圆W一并地进行干燥处理。此外，蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80以及干燥处理装置90的台数不限于图1的例子。
[0036]蚀刻处理装置60具备蚀刻处理用的处理槽61、冲洗处理用的处理槽62、以及基板升降机构63、64。
[0037]处理槽61能够收容以站立姿势排列的1批的量的晶圆W，处理槽61贮存蚀刻处理用的药液(下面，也称作“蚀刻液”。)。在后文叙述处理槽61的详情。
[0038]在处理槽62中贮存冲洗处理用的处理液(去离子水等)。在基板升降机构63、64，形成批的多个晶圆W以站立姿势前后排列地保持。
[0039]蚀刻处理装置60通过基板升降机构63保持由批搬送部5搬送来的批，并使该批浸在处理槽61的蚀刻液中来对该批进行蚀刻处理。蚀刻处理例如进行1小时～3小时左右。
[0040]由批搬送部5将在处理槽61中被进行蚀刻处理后的批搬送到处理槽62。而且，蚀刻处理装置60通过基板升降机构64保持被搬送来的批，并使该批浸在处理槽62的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：处理槽，其用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理；流速调整部，其调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速；以及控制部，其控制各部，其中，所述控制部具有：获取部，其获取所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速与所述基板的多个部位的蚀刻量进行了对应的信息；以及调整部，其基于由所述获取部获取到的所述信息来调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述获取部获取不同的流速与蚀刻量进行了对应的多个所述信息，所述调整部以使所述基板的多个部位的蚀刻量与期望的蚀刻量之差最小的方式将多个所述信息叠加来调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述获取部获取不同的流速与蚀刻量进行了对应的多个所述信息，所述调整部以使所述基板的多个部位的蚀刻量的最大值与最小值之差为给定的阈值以下的方式将多个所述信息叠加来调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述获取部针对配置于所述处理槽内的各所述基板的每一所述基板获取不同的流速与蚀刻量进行了对应的多个所述信息，所述调整部以使全部所述基板的多个部位的蚀刻量与期望的蚀刻量之差最小的方式将多个所述信息叠加来调整所述处理槽内的所述处理液的多个部位的流速。5.根据权利要求1至3中的任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口庆介，丸本洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：