本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不...

基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金...

在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高...

本发明的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放...

获取对载置于载物台的载置面的基板实施会产生热输入的多道工艺n时的温度变化前的调温介质的温度TB、以及每道工艺n的供给向载物台的吐出口的传热气体的压力P

本文提供了用于图案化极紫外(EUV)(或较低波长)光致抗蚀剂，此类金属氧化物光致抗蚀剂的方法。在衬底上设置的一个或多个下层上形成包括金属氧化物光致抗蚀剂的图案化层，并且将该图案化层的未被上覆在该图案化层上的掩模覆盖的部分曝光于EUV或较...

一种氮化方法，该方法包括在低于约400℃的温度下在加工室内原位循环进行以下步骤：在加工室中处理衬底的非反应性表面，以通过将非反应性表面暴露于能量通量而将非反应性表面转化为反应性表面，以及使用氮基气体使反应性表面氮化，以将反应性表面转化成...

本发明的液滴释放装置对工件释放功能液的液滴来进行描绘，并包括多个液滴释放头和滑架，上述多个液滴释放头具有释放第一功能液的第一液滴释放头、释放第二功能液的第二液滴释放头和释放第三功能液的第三液滴释放头，上述滑架沿着印刷方向配置有两个，上述...

本发明提供能够高精度地获取罩体部件的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：检查用基片，其包括基体部和配置在基体部的拍摄部；能够保持基片或检查用基片的保持部；能够对保持部进行旋转驱动的驱动部；能够向被保持在保持部的基片供给处...

本发明提供能够高精度地获取喷嘴的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：检查用基片，其包含基体部和配置于基体部的拍摄部；保持基片或检查用基片的保持部；对保持部进行旋转驱动的驱动部；处理液供给部，其包含对被保持部保持的基片释放...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：...

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。基片处理方法包括：在第一处理腔室中对基片实施第一处理的步骤；在第二处理腔室中对其他基片实施第二处理的步骤；在实施第一处理的步骤之后...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，在向处理容器的内部搬入盛有干燥液的基板之前提高基板的温度的均匀性。基板处理装置具备托盘、处理容器、移动部、供给部、排出部以及冷却部。托盘用于从盛有干燥液的基板的下方水平地保持该基板。处理容器用于...

本发明提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。本发明的基片处理方法为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前...

本发明提供能够抑制在晶片等基片形成的图案的塌坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置是使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的基片处理装置，其包括：处理容器，其收纳基片，并且超临界流体能够被供给到其中；和基片保持部，其以图...

本公开提供一种对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保...

图案化衬底的方法包括在浮雕图案的开口中沉积外覆层。该浮雕图案包括溶解度改变剂和对该溶解度改变剂敏感的可脱保护单体。该外覆层包括对该溶解度改变剂敏感的另一种可脱保护单体。该外覆层相对于预定显影剂的溶解度阈值低于该浮雕图案相对于该显影剂的溶...

本发明提供一种基板处理系统，能够通过使用了平面马达的基板搬送装置以高的位置精度向被搬送基板的模块的载置部搬送基板。基板处理系统具有：模块，其具有基板的载置部；搬送室，其与模块连接；以及基板搬送装置，其设置于搬送室的内部，进行基板的搬送。...

用于液相保形氧化硅旋涂沉积的方法包括在加工室中提供衬底，在该衬底上旋涂在第一液体中含有铝的第一反应物以在该衬底上形成该第一反应物的自限制层，在该衬底上旋涂在第二液体中含有硅烷醇试剂的第二反应物，其中该第一反应物的该自限制层催化该硅烷醇试...