蚀刻方法和等离子体处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PCl

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和等离子体处理系统


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法和等离子体处理系统。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种对含硅膜进行蚀刻的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
39310号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种提高相对于掩模的选择比的等离子体处理技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在本公开的一个例示性的实施方式中提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模的基板；工序(b)，在所述腔室内，从处理气体生成等离子体来对所述含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PCl
a
F
b
气体或PC
c
H
d
F
e
气体、以及HF气体，其中，a、b分别为1以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在所述腔室内，从处理气体生成等离子体来对所述含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PCl
a
F
b
气体或PC
c
H
d
F
e
气体、以及HF气体，其中，a为1以上的整数，b为0以上的整数，a与b之和为5以下的整数，c为0以上且5以下的整数，d和e分别为1以上且9以下的整数。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述PCl
a
F
b
气体的a和b分别为1以上的整数。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述PCl
a
F
b
气体是从由PClF2气体、PCl2F气体以及PCl2F3气体构成的组中选择的至少一种气体。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述PC
c
H
d
F
e
气体是从由PF2CH3气体、PF(CH3)2气体、PH2CF3气体、PH(CF3)2气体、PCH3(CF3)2气体、PH2F气体以及PF3(CH3)2气体构成的组中选择的至少一种气体。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(b)中向所述腔室内供给的所述处理气体中，除非活性气体以外，HF气体的流量最多。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述HF气体的流量为除非活性气体以外的所述处理气体的总流量的50体积％以上。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述PCl
a
F
b
气体或所述PC
c
H
d
F
e
气体的流量为除非活性气体以外的所述处理气体的总流量的20体积％以下。8.根据权利要求1或7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体还包含C
f
F
g
气体，其中，f和g分别为1以上的整数。9.根据权利要求1至7中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体还包含C
h
H
i
F
j
气体，其中，h、i及j分别为1以上的整数。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体还包含WF6气体和/或BCl3气体。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(b)中，将支...

【专利技术属性】
技术研发人员：户村幕树，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：