等离子体处理方法和等离子体处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法和等离子体处理系统


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种对由氧化硅膜和氮化硅膜交替地层叠而成的多层膜进行蚀刻的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
39310号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在本公开的一个例示性的实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述工序(b)包括：工序(b
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1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻；以及工序(br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及所述含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述工序(b)包括：工序(b
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1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻；以及工序(b
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2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第二处理气体不包含含钨气体、或者以比所述第一处理气体中的所述含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述工序(b)中，交替重复地进行所述工序(b
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1)和所述工序(b
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2)。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述工序(b)中，将包括所述工序(b
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1)和所述工序(b
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2)的循环重复多次，在从第二次起的所述循环中的至少一个所述循环的所述工序(b
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1)中，所述含钨气体相对于所述第一处理气体的流量比相比于第一次所述循环的所述工序(b
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1)中的所述流量比小，或者，从第二次起的所述循环中的至少一个所述循环的所述工序(b
‑
1)的时间比第一次所述循环的所述工序(b
‑
1)的时间短。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一处理气体中包含的含钨气体和所述第二处理气体中包含的含钨气体中的至少一方是WF
a
Cl
b
气体，其中，a和b分别为0以上且6以下的整数，a与b之和为2以上且6以下。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一处理气体中包含的含钨气体和所述第二处理气体中包含的所述含钨气体中的至少一方为WF6气体和WCl6气体中的至少任一种气体。6.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述第一处理气体中，在除了非活性气体以外的全部气体中，所述氟化氢气体的流量最多。7.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述第一处理气体中，在除了非活性气体以外的全部气体中，所述含钨气体的流量最少。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述第一处理气体中，氟化氢气体的流量为所述含钨气体的流量的10倍以上。9.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：向山广记，户村幕树，木原嘉英，高桥笃史，大类贵俊，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：