基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制在晶片等基片形成的图案的塌坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置是使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的基片处理装置，其包括：处理容器，其收纳基片，并且超临界流体能够被供给到其中；和基片保持部，其以图案形成面朝上的状态从下方支承基片，在处理容器内保持基片，基片保持部能够经由设置于处理容器的开口部，在处理容器内的处理位置与从处理容器避让的避让位置之间进退，基片保持部包括调节基片的温度的多个温度调节机构，基片处理装置具有控制部，控制部控制多个温度调节机构，以使得当基片保持部位于避让位置时，被基片保持部保持的基片内的最高温度和最低温度处于预定的温度范围内。的温度范围内。的温度范围内。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶片(以下称为晶片)等基片的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工艺中，进行药液清洗或湿蚀刻等液处理。近年来，在通过这样的液处理除去附着于晶片表面的液体等时，逐渐采用使用超临界状态的处理流体的干燥方法。
[0003]专利文献1中公开了一种基片处理装置，其将在图案形成面形成有异丙醇液膜的晶片输送到超临界处理装置，进行干燥。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
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074103号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供能够抑制在晶片等基片形成的图案的塌坏的基片处理装置和基片处理方法。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一个方式的基片处理装置是使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的基片处理装置，其包括：处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥，包括：处理容器，其收纳所述基片，并且所述超临界流体能够被供给到其中；和基片保持部，其以所述图案形成面朝上的状态从下方支承所述基片，在所述处理容器内保持所述基片，所述基片保持部能够经由设置于所述处理容器的开口部，在所述处理容器内的处理位置与从所述处理容器避让的避让位置之间进退，所述基片保持部包括调节所述基片的温度的多个温度调节机构，所述基片处理装置具有控制部，所述控制部控制所述多个温度调节机构，以使得当所述基片保持部位于所述避让位置时，被所述基片保持部保持的所述基片内的最高温度和最低温度处于预定的温度范围内。2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部控制所述温度调节机构，以使得当所述基片保持部位于所述避让位置时，所述基片的温度越高的部分，温度越下降。3.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部进行以下控制：当所述基片保持部位于所述避让位置时，在所述基片保持部的能够载置所述基片的基片载置区域内的第一区域中，与所述基片载置区域内的比所述第一区域远离所述处理容器的第二区域相比，所述温度调节机构的热输出变低。4.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部控制所述温度调节机构，以使得在所述基片保持部保持所述基片之前且所述基片保持部位于所述避让位置时，所述基片保持部具有预定的温度分布。5.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在所述基片保持部从所述避让位置开始向所述处理位置移动起直至移动完成为止，继续所述多个温度调节机构的控制。6.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置具有温度传感器，所述温度传感器配置在所述避让位置的上方，测量所述基片或所述基片保持部的多个部位的温度，所述控制部基于所述温度传感器的温度测量结果来控制所述温度调节机构。7.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置具有多个温度传感器，所述多个温度传感器设置在所述基片保持部，测量所述基片保持部的温度，所述控制部基于所述多个温度传感器的温度测量结果来控制所述温度调节机构。8.一种基片处理方法，其特征在于：所述基片处理方法使用基片处理装置，所述基片处理装置具有：处理容器，其收纳在图案形成面形成有液膜的基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上纱绫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：