基片处理方法、存储介质和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。本发明专利技术的基片处理方法为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前的期间，使基片处理装置内的存在所述基片的基片存在空间的酸浓度变化。在空间的酸浓度变化。在空间的酸浓度变化。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法、存储介质和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片处理方法、存储介质和基片处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开的抗蚀剂涂敷显影装置，在曝光后，利用潜像线宽测量装置测量在基片表面形成的潜像图案的线宽，在其线宽测量值在预先设定的适当值的范围以外的情况下，为了使显影后的抗蚀剂图案的线宽适当化，对后烘烤温度进行修正。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10
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275755号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术能够提供能够对使用含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂图案的线宽进行控制的新的基片处理方法和基片处理装置。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式是一种基片处理方法，其为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前的期间，使基片处理装置内的存在所述基片的基片存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其为对基片进行用于形成含金属抗蚀剂的图案的处理的基片处理方法，其特征在于：在到所述含金属抗蚀剂的膜的显影处理之前的期间，使基片处理装置内的存在所述基片的基片存在空间的酸浓度变化。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述基片存在空间包括：用于对所述基片进行规定的处理的处理空间；和设置有用于对所述处理空间输送基片的输送机构的输送空间，在使所述基片存在空间的酸浓度变化时，使所述处理空间的酸浓度上升，所述输送空间的酸浓度被维持在所述处理空间的最低酸浓度以下。3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在从形成所述含金属抗蚀剂的膜到对该膜的曝光处理之间的期间，使所述基片存在空间的酸浓度上升。4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在从对所述含金属抗蚀剂的膜的曝光处理到曝光后加热处理之间的期间，使所述基片存在空间的酸浓度上升。5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在从曝光后加热处理到所述显影处理之间的期间，使所述基片存在空间的酸浓度上升。6.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在从将所述基片送入到所述基片处理装置内到形成所述含金属抗蚀剂的膜之间的期间，使所述基片存在空间的酸浓度上升。7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：山内刚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：