在某些实施例中，用于处理半导体衬底的方法包括接收包括膜堆叠体的半导体衬底

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制对象膜的蚀刻量

本发明提供能够减少基片贴附于载置机构的载置垫、载置机构和基片输送机构。载置垫用于载置对象物，包括：基座；和环状的外缘部，其设置于基座的一个面，以包围该面的外缘的方式向与该面的面方向交叉的方向突出，能够与对象物接触，其中，外缘部中的至少一...

提供改进蚀刻选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含：(a)向腔室内提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含从由钨、钼、钌、钛、铟、镓以及锌构成的组中选择的至少一种金属；以及(b)使...

本发明公开的等离子体处理装置中，基片支承部具有基座和电介质部

用于形成器件的方法包括在制造设施内的混合器中将包含第一嵌段共聚物的第一液体与包含第二嵌段共聚物的第二液体共混以形成第一混合物

提供一种能够抑制等离子体处理腔室内的压力变动的技术。本公开涉及的等离子体处理装置具备：腔室；向腔室内供给处理气体的气体供给部；在腔室内生成由处理气体生成等离子体的源射频信号的电源；事先存储作为源射频信号的参数的设定值的源设定值的存储部；...

本发明提供能够高效率地实施处理容器内的温度调节的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器、加热机构、温度测量器和控制部。处理容器在内部空间收纳基片。加热机构从内部空间外侧对内部空间进行加热。温度测量器测量内部空间的温度。控制...

本发明提供使对形成有含金属抗蚀剂的覆膜的基片的热处理的结果稳定的热处理装置、热处理方法和存储介质。热处理装置对形成有含金属抗蚀剂的覆膜的基片进行热处理，包括：支承并加热上述基片的热板；腔室，其收纳上述热板，形成进行上述热处理的处理空间；...

本发明所公开的气体供给系统具备气体供给管路及气体回收管路

本公开提供改良基板上的含锡膜的技术

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够提高接合前的对准精度

本发明提供能够抑制颗粒附着于清洗后的基片的下表面的基片清洗装置和基片清洗方法。基片清洗装置包括：保持基片的保持部；俯视下的圆环体，其是具有连续气泡的弹性体；槽，其以俯视下将所述圆环体的内外连接的方式呈辐射状地形成于该圆环体的上部，且该槽...

本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，即使在蚀刻的中间阶段以后也能够抑制不均匀的

本发明提供对使用RF电功率的脉冲波的等离子体处理稳定地进行控制的监视方法和等离子体处理装置。监视方法为等离子体处理装置进行的监视方法，等离子体处理装置包括：配置在处理容器内的载置基片的载置台；设置在处理容器的上部的天线；与天线连接的用于...

本发明提供在更换基片处理装置内的环部件时，能够高精度地对环部件进行对位的基片处理装置和环部件的对位方法。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；被收纳在等离子体处理腔室内的支承台；设置在基片的周围的内侧边缘环；设置在内侧边缘环的周围的外侧边...

本实用新型涉及气流形成装置

一种使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，包括以下工序：工序

提供控制在被蚀刻膜上形成的开口的尺寸和

提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜...