本发明的一方面的热处理装置包括：热板，其支承形成有覆膜的基片并对其实施进行加热的热处理；腔室，其覆盖被热板支承的基片；气体释放部，具有形成有多个释放孔的头部，从多个释放孔朝向被热板支承的基片的表面释放气体，其中，多个释放孔沿着与该基片相...

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够提高基板彼此间的接合精度。本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、水平移动部、升降部、倾斜测定部以及控制部。第一保持部在下表面吸附保持第一基板。第二保持部设置于第一保持部的下方，在第二...

本发明提供在使用等离子体的处理中能够更稳定地维持等离子体的等离子体处理系统和等离子体处理方法。等离子体处理系统包括等离子体处理腔室、基片支承部、匹配器、RF电源和控制部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。匹配器与基片支承部电连接。RF...

本发明提供测量基片支承部的自偏压的面内分布的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座；静电吸盘；多个电极层，其配置在静电吸盘内的同一面内；开关组，其由与多个电极层分别电连接的多个开关构成；电源部和...

提供能够控制基板的开口尺寸的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的...

本发明提供基片输送方法、基片处理装置和存储介质，其抑制曝光后基片间的输送状态不均和通过显影形成于基片的图案不均。基片处理方法使用基片处理装置，其包括经由模块组和曝光机向承载器输送基片的输送机构组，输送机构组包括：按照前级模块、曝光机、第...

本发明提供基片输送方法、基片处理装置和程序。基片处理方法为使用基片处理装置的基片处理方法，基片处理装置包括将基片经由模块组和曝光机输送到承载器的输送机构组，输送机构组包括：按照前级模块、曝光机、第一后级模块的顺序输送基片的第一输送机构；...

本发明提供一种热处理装置和热处理装置的温度调节方法，其能够高效地调节处理容器的温度，从而能够提高作为基片处理整体的吞吐量。一种热处理装置，其包括：处理容器，其具有能够处理基片的内部空间；和调温炉，其配置于所述处理容器的周围，从所述处理容...

一种处理系统，具备：进行半导体器件的检查的多个测试器；以及连接为能在与多个测试器之间进行信息通信的管理装置

等离子体处理装置包括：腔室；配置在腔室内的基片支承部，其包括下部电极；配置在基片支承部的上方的上部电极；与上部电极电连接的能够生成第一

本发明提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的...

本发明提供基板处理装置

本文描述了用于控制脉冲等离子体的系统和方法的各种实施例

本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在掩模上形成具有期望的形状或期望的特性的含金属沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板；工序(b)，在工序(a)后，通过从包含含金属气体和含氢气...

本发明的激光加工装置，对包含第1主面及上述第1主面的相反侧的第2主面的基板照射加工用激光，且具备：加工用照射部，其自上述第2主面侧向上述基板照射上述加工用激光；观察用照射部，其自上述第2主面侧向上述基板照射观察用透过光；摄像元件，其拍摄...

本发明提供一种等离子体处理装置

本发明提供提高超临界干燥后的基片的清洁度的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。液处理装置在基片的表面形成液膜。超临界干燥装置通过将液膜替换为超临界流体来干燥基...

提供一种使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度的技术

本发明提供一种蚀刻方法，同时蚀刻具有含硅膜的多层膜以及单层膜

用于处理衬底的方法包括进行包括多个循环的循环工艺，其中该循环工艺包括：在等离子体处理室中，通过以下在含碳层中的凹部的侧壁上形成钝化层：将该衬底暴露于包括硼