基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]本申请是申请号为
201711142504.7、
申请日为
2017
年
11
月
17
日
、
专利技术名称为“基板处理装置
、
基板处理方法以及存储介质”的专利技术专利申请的分案申请
。


[0002]本专利技术涉及一种使用超临界状态的处理流体来将残留于基板的表面的液体去除的技术
。

技术介绍

[0003]在作为基板的半导体晶圆
(
以下称为晶圆
)
等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗或湿蚀刻等液处理
。
近年来，在利用这样的液处理将残留于晶圆的表面的液体去除时，一直使用利用超临界状态的处理流体的干燥方法
(
例如参照专利文献
1)。
[0004]当从超临界流体的供给源向处理容器供给超临界状态的处理流体来进行基板的干燥处理时，附着于处理容器内的构件表面的微粒上扬而微粒附着于处理后的基板的表面这样的情况时常发生
。
[0005]专利文献1：日本特开
2013
‑
12538
号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术的目的在于，提供一种能够使附着于使用超临界状态的处理流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的技术
。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本专利技术的一个实施方式，提供一种基板处理装置，所述基板处理装置使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板；供给线，其将送出处于超临界状态的处理流体的流体供给源和所述处理容器连接；排出线，其从所述处理容器排出处理流体；排出流量调节部，其调节从所述处理容器向所述排出线排出的处理流体的流量；以及控制部，其控制所述排出流量调节部的动作，其中，所述控制部在将所述处理容器内的压力从比处理流体的临界压力低的压力升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边通过控制所述排出流量调节部来使处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器向所述排出线排出，一边使所述流体供给源经由所述供给线向所述处理容器供给处理流体，由此进行升压
。
[0010]根据本专利技术的其它实施方式，提供一种基板处理方法，所述基板处理方法使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，该基板处理方法包括以下工序：搬入工序，将所述基板收纳于处理容器；以及升压工序，将所述处理容器内的压力从比临界压力低的压力升压到比处理流体的临界压力高的处理压力，其中，在所述升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器排出，一边从流体供给源向所述处理容
器供给处理流体，由此进行升压
。
[0011]根据本专利技术的另一其它实施方式，提供一种存储介质，所述存储介质存储以下程序，该程序在被用于控制基板处理装置的动作的计算机执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法
。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本专利技术，能够使附着于使用超临界状态的处理流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低
。
附图说明
[0014]图1是表示基板处理系统的整体结构的横剖俯视图
。
[0015]图2是超临界处理装置的处理容器的外观立体图
。
[0016]图3是处理容器的截面图
。
[0017]图4是超临界处理装置的配管系统图
。
[0018]图5是说明
IPA
的干燥机理的图
。
[0019]图6是表示干燥处理中的处理容器内的压力的变动的曲线图
。
[0020]图7是表示由
IPA
和
CO2构成的混合流体中的
CO2浓度
、
临界温度以及临界压力之间的关系的曲线图
。
[0021]图8是用于说明微粒的上扬和排出的示意图
。
[0022]附图标记说明
[0023]W
：基板
(
半导体晶圆
)
；4：控制部
(
控制装置
)
；
301
：处理容器；
50、64
：供给线
(
主供给线
、
第二供给线
)
；
65、66、67、68
：排出线
(
主排出线
、
第一排出线～第三排出线
)
；
59
：流量调节部
(
背压阀
)。
具体实施方式
[0024]下面，参照附图来对本专利技术的一个实施方式进行说明
。
此外，为了易于图示和理解，在本专利技术的说明书所附带的附图所示的结构中可能包括尺寸和比例尺等相对于实物的尺寸和比例尺被进行了变更的部分
。
[0025][
基板处理系统的结构
][0026]如图1所示，基板处理系统1具备：多个清洗装置
2(
在图1所示的例子中为两台清洗装置
2)
，所述多个清洗装置2向晶圆
W
供给清洗液来进行清洗处理；以及多个超临界处理装置
3(
在图1所示的例子中为六台超临界处理装置
3)
，所述多个超临界处理装置3使残留于清洗处理后的晶圆
W
的干燥防止用的液体
(
在本实施方式中为
IPA
：异丙醇
)
与超临界状态的处理流体
(
在本实施方式中为
CO2：二氧化碳
)
接触来将该干燥防止用的液体去除
。
[0027]在该基板处理系统1中，在载置部
11
载置
FOUP 100
，将保存于该
FOUP 100
的晶圆
W
经由搬入搬出部
12
和交接部
13
交接到清洗处理部
14
和超临界处理部
15。
在清洗处理部
14
和超临界处理部
15
中，晶圆
W
首先被搬入到设置于清洗处理部
14
的清洗装置2来接受清洗处理，之后，被搬入到设置于超临界处理部
15
的超临界处理装置3来接受将
IPA
从晶圆
W
上去除的干燥处理
。
在图1中，标记“121”表示在
FOUP 100
与交接部
13
之间搬送晶圆
W
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板处理装置，使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，所述基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板；保持板，其在所述处理容器内将所述基板保持在其上；供给线，其将送出处于超临界状态的所述处理流体的流体供给源和所述处理容器连接；第一流体供给部，其设置为使在所述供给线中流动的所述处理流体从水平方向上的一端侧供给到所述处理容器内；第二流体供给部，其设置为使在所述供给线中流动的所述处理流体从所述保持板的下方朝向所述保持板供给到所述处理容器内；排出线，其从所述处理容器排出所述处理流体；排出流量调节部，其调节从所述处理容器向所述排出线排出的所述处理流体的流量；以及控制部，其控制使所述处理流体向所述第一流体供给部供给与使所述处理流体向所述第二流体供给部供给之间的切换，并且控制所述排出流量调节部的动作
。2.
根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在将所述处理容器内的压力从比所述处理流体的临界压力低的压力升压到比所述临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边通过控制所述排出流量调节部来使所述处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器向所述排出线排出，一边使处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第二流体供给部向所述处理容器供给，由此进行升压，之后，使所述处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第一流体供给部向所述处理容器供给
。3.
根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在所述升压工序的整个期间使所述处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第二流体供给部向所述处理容器供给
。4.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野广基，江头佳祐，五师源太郎，川渕洋介，北山将太郎，丸本洋，增住拓朗，束野宪人，清濑浩巳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：