基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]本申请是申请号为
201711142504.7、
申请日为
2017
年
11
月
17
日
、
专利技术名称为“基板处理装置
、
基板处理方法以及存储介质”的专利技术专利申请的分案申请
。


[0002]本专利技术涉及一种使用超临界状态的处理流体来将残留于基板的表面的液体去除的技术
。

技术介绍

[0003]在作为基板的半导体晶圆
(
以下称为晶圆
)
等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗或湿蚀刻等液处理
。
近年来，在利用这样的液处理将残留于晶圆的表面的液体去除时，一直使用利用超临界状态的处理流体的干燥方法
(
例如参照专利文献
1)。
[0004]当从超临界流体的供给源向处理容器供给超临界状态的处理流体来进行基板的干燥处理时，附着于处理容器内的构件表面的微粒上扬而微粒附着于处理后的基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板处理装置，使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，所述基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板；保持板，其在所述处理容器内将所述基板保持在其上；供给线，其将送出处于超临界状态的所述处理流体的流体供给源和所述处理容器连接；第一流体供给部，其设置为使在所述供给线中流动的所述处理流体从水平方向上的一端侧供给到所述处理容器内；第二流体供给部，其设置为使在所述供给线中流动的所述处理流体从所述保持板的下方朝向所述保持板供给到所述处理容器内；排出线，其从所述处理容器排出所述处理流体；排出流量调节部，其调节从所述处理容器向所述排出线排出的所述处理流体的流量；以及控制部，其控制使所述处理流体向所述第一流体供给部供给与使所述处理流体向所述第二流体供给部供给之间的切换，并且控制所述排出流量调节部的动作
。2.
根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在将所述处理容器内的压力从比所述处理流体的临界压力低的压力升压到比所述临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边通过控制所述排出流量调节部来使所述处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器向所述排出线排出，一边使处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第二流体供给部向所述处理容器供给，由此进行升压，之后，使所述处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第一流体供给部向所述处理容器供给
。3.
根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在所述升压工序的整个期间使所述处理流体从所述流体供给源经由所述供给线和所述第二流体供给部向所述处理容器供给
。4.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野广基，江头佳祐，五师源太郎，川渕洋介，北山将太郎，丸本洋，增住拓朗，束野宪人，清濑浩巳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：