对基板进行处理的装置制造方法及图纸

提供一种使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度的技术

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对基板进行处理的装置、以及测定处理气体的温度和浓度的方法


[0001]本公开涉及一种对基板进行处理的装置
、
以及测定处理气体的温度和浓度的方法
。

技术介绍

[0002]例如，在针对作为基板的半导体晶圆
(
下面，也称作“晶圆”)
进行处理的装置中，存在有通过对配置有晶圆的处理空间供给处理气体来执行处理的装置
。
供给到处理空间的处理气体的温度及浓度是在进行针对晶圆的处理的控制
、
设计的方面很重要的测定项目
。
[0003]例如，在专利文献1中记载了以下一种技术：基于对在气体流路中流动的气体照射波长不同的两种光所得到的结果，来测定对半导体制造装置供给的气体的浓度
。
另外，在专利文献2中记载了以下一种技术：使用光学探测装置来测定供给到成膜装置的基板保持室的材料气体的浓度
。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开
2016/080532
号
[0007]专利文献2：日本特开
2012
‑
122101
号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本公开提供一种使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度的技术
。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本公开为一种对基板进行处理的装置，具备：
[0012]处理容器，其收容所述基板，所述处理容器形成用于进行所述处理的处理空间；
[0013]处理气体供给部，其对所述处理空间供给用于进行所述基板的处理或者配置于处理容器内的设备的处理的处理气体；
[0014]投光部，其对被供给了所述处理气体的所述处理空间投出激光束；
[0015]光源部，其经由光波导向所述投光部供给波长在作为预先设定的波长范围的第一波长范围内变化的激光束
、
以及波长在与所述第一波长范围不同的作为预先设定的波长范围的第二波长范围内变化的激光束；
[0016]受光部，其接受通过所述处理空间后的所述激光束；
[0017]温度计算部，其基于由所述受光部接受到的所述第一波长范围的激光束的吸收光谱以及由所述受光部接受到的所述第二波长范围的激光束的吸收光谱来计算所述处理气体的温度；以及
[0018]浓度计算部，其基于所述第一波长范围内或所述第二波长范围内的特定的波长的
激光束的吸光度来计算所述处理气体的浓度
。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本公开，能够使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度
。
附图说明
[0021]图1是本公开所涉及的晶圆处理装置的纵剖侧视图
。
[0022]图2是设置于所述晶圆处理装置的载置台和气体喷淋头的示意图
。
[0023]图
3A
是示出投受光组的第一布局例的俯视图
。
[0024]图
3B
是示出投受光组的第二布局例的俯视图
。
[0025]图4是设置有反射部的载置台的放大示意图
。
[0026]图5是其它结构例所涉及的晶圆处理装置的纵剖侧视图
。
具体实施方式
[0027]下面，参照图1～图4来说明本公开的实施方式所涉及的对基板进行处理的装置
(
晶圆处理装置
1)
的结构例
。
[0028]本例的晶圆处理装置1构成为对作为基板的晶圆
W
的上表面供给被等离子体化了的处理气体来执行成膜处理的装置
。
[0029]如图1的纵剖侧视图所示，晶圆处理装置1具备由导电性材料
、
例如内壁面被进行了铝阳极化处理的铝构成的圆筒形状的容器主体
11
，该容器主体
11
电接地
。
在容器主体
11
的上表面形成有开口，该开口通过顶板部
12
被气密地堵塞
。
该容器主体
11
及顶板部
12
构成用于收容晶圆
W
的处理容器
10。
处理容器
10
的内部的空间为晶圆
W
的处理空间
100。
[0030]另外，在处理容器
10
的侧壁设置有用于搬入搬出晶圆
W
的搬入搬出口
101
以及对搬入搬出口
101
进行开闭的闸阀
102。
[0031]在处理空间
100
内的下部侧，以与前述的顶板部
12
相向的方式设置有用于载置晶圆
W
的载置台
2。
载置台2具备由导电性的金属材料
、
例如表面被进行了铝阳极化处理的铝构成的载置台主体
21。
在载置台2的内部设置有由电阻发热体等构成的
、
未图示的加热部
。
[0032]载置台主体
21
的上表面设置有在陶瓷层内配置未图示的保持盘电极
(
保持盘：
chuck)
而成的静电保持盘
22。
静电保持盘
22
能够通过来自直流电源
(
未图示
)
的电力的供给切断来切换晶圆
W
的吸附保持
、
解除
。
载置台主体
21
收纳于绝缘体制的罩部
24
内，经由该罩部
24
设置于容器主体
11
的底面
。
[0033]另外，载置台2具备用于与经由搬入搬出口
101
进入到处理空间
100
内的外部的基板搬送机构
(
未图示
)
之间进行晶圆
W
的交接的三个以上的升降销
23。
这些升降销
23
发挥在静电保持盘
22
上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的交接位置之间进行晶圆
W
的升降搬送的作用
。
各升降销
23
设置为沿上下方向贯通载置台主体
21
和容器主体
11
的底板，这些升降销
23
的下端部与设置于容器主体
11
的外部的共同的升降板
211
连接
。
[0034]升降板
211
进一步与驱动部
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种对基板进行处理的装置，具备：处理容器，其收容所述基板，所述处理容器形成用于进行所述处理的处理空间；处理气体供给部，其对所述处理空间供给用于进行所述基板的处理或者配置于处理容器内的设备的处理的处理气体；投光部，其对被供给了所述处理气体的所述处理空间投出激光束；光源部，其经由光波导向所述投光部供给波长在作为预先设定的波长范围的第一波长范围内变化的激光束
、
以及波长在与所述第一波长范围不同的作为预先设定的波长范围的第二波长范围内变化的激光束；受光部，其接受通过所述处理空间后的所述激光束；温度计算部，其基于由所述受光部接受到的所述第一波长范围的激光束的吸收光谱以及由所述受光部接受到的所述第二波长范围的激光束的吸收光谱来计算所述处理气体的温度；以及浓度计算部，其基于所述第一波长范围内或所述第二波长范围内的特定的波长的激光束的吸光度来计算所述处理气体的浓度
。2.
根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述处理空间中设置有：载置台，其用于载置所述基板；以及气体喷淋头，其具有与所述载置台相向的相向面，在所述相向面形成有用于对该处理空间供给所述处理气体的气体供给口，所述投光部和受光部以从所述投光部投出的所述激光束在所述相向面反射后被所述受光部接受的方式配置于所述载置台
。3.
根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在所述载置台以使所述激光束通过所述处理空间内的不同的区域的方式设置有多组由彼此对应的所述投光部和所述受光部构成的投受光组，所述温度计算部和所述浓度计算部计算由各个所述投受光组投出接受到的所述激光束所通过的区域的所述处理气体的温度及浓度
。4.
根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，在所述载置台设置有反射部，所述反射部使在所述相向面反射的所述激光束朝向该相向面反射
。5.
根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其特征在于，所述投光部和受光部设置于所述载置台的用于载置所述基板的区域的周围
。6.
根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其特征在于，所述投光部和受光部设置于所述载置台的用于载置所述基板的区域，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小畑雄治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：