基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。冷却气体喷射部。冷却气体喷射部。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本公开涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种在基片上形成SiN膜的基片处理装置。此外，在专利文献1中公开了进行形成SiN膜的第一成膜工序、蚀刻SiN膜的蚀刻工序和形成SiN膜的第二成膜工序的成膜工艺。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2021
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153141号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在一方面中，本公开提供一种提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]为了解决上述问题，根据一方式，提供一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。
[0010]专利技术效果
[0011]根据一方面，能够提供一种提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理装置的结构例的概略图。
[0013]图2是表示将处理容器水平切断后得到的基片处理装置的结构例的概略图。
[0014]图3是表示将处理容器在A
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A处垂直切断后得到的基片处理装置的结构例的概略图。
[0015]图4是表示将处理容器在A
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A处垂直切断后得到的基片处理装置的另一结构例的概略图。
[0016]图5是说明基片处理的一例的流程图。
[0017]图6是说明基片处理的一例中的温度控制的图。
[0018]图7是反复进行冷却气体的喷射和停止的实验结果的一例。
[0019]图8是说明基片处理的另一例的流程图。
[0020]图9是说明使用加热机构的温度控制来进行的基片的温度控制的图。
[0021]图10是说明使用基于冷却气体喷射的温度控制来进行的基片的温度控制的图。
具体实施方式
[0022]以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各图中，存在对相同的构成部分赋予相同的符号，省略重复说明的情况。
[0023][基片处理装置][0024]使用图1至图3对本实施方式的基片处理装置100进行说明。图1是表示基片处理装置100的结构例的概略图。图2是表示将处理容器1水平切断后得到的基片处理装置100的结构例的概略图。图3是表示将处理容器1在A
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A处垂直切断后得到的基片处理装置100的结构例的概略图。另外，在图2和图3中，省略了加热机构50的图示。
[0025]基片处理装置100具有下端开口的有顶的圆筒体状的处理容器1。处理容器1的整体例如由石英形成。在处理容器1内的上端附近设置有由石英形成的顶板2，顶板2的下侧的区域被密封。在处理容器1的下端的开口，经由O型环等密封部件4连接有成形为圆筒体状的金属制的歧管3。
[0026]歧管3支承处理容器1的下端，多级地载置作为基片的多片(例如25～150片)半导体晶片(以下称为“基片W”)的晶舟(基片保持器)从歧管3的下方插入到处理容器1内。这样，在处理容器1内，沿上下方向具有间隔地大致水平收纳多片基片W。晶舟5例如由石英形成。晶舟5具有3根杆6(在图1中示出2根)，通过形成于杆6的槽(未图示)支承多片基片W。
[0027]晶舟5通过由石英形成的保温筒7而载置于工作台8上。工作台8被支承在旋转轴10上，旋转轴10贯通对歧管3的下端的开口进行开闭的金属(不锈钢)制的盖体9。
[0028]在旋转轴10的贯通部设置有磁性流体密封件11，将旋转轴10气密地密封，且能够旋转地支承它。在盖体9的周边部与歧管3的下端之间设置有用于保持处理容器1内的气密性的密封部件12。
[0029]旋转轴10安装于例如由晶舟升降机等升降机构(未图示)支承的臂13的前端，晶舟5与盖体9一体地升降，相对于处理容器1内进行插拔。另外，也可以将工作台8固定设置在盖体9侧，不使晶舟5旋转地进行基片W的处理。
[0030]此外，基片处理装置100具有向处理容器1内供给处理气体、吹扫气体等规定气体的气体供给部(处理气体供给部)20。
[0031]气体供给部20具有气体供给管21、22、23、24。气体供给管21例如由石英形成，向内侧贯通歧管3的侧壁并向上方弯曲而垂直地延伸。在气体供给管21的垂直部分，跨与晶舟5的晶片支承范围对应的上下方向的长度，以规定间隔形成有多个气体孔21g。各气体孔21g沿水平方向喷出气体。气体供给管22例如由石英形成，向内侧贯通歧管3的侧壁并向上方弯曲而垂直地延伸。在气体供给管22的垂直部分，跨与晶舟5的晶片支承范围对应的上下方向的长度，以规定间隔形成有多个气体孔22g。各气体孔22g沿水平方向喷出气体。气体供给管23例如由石英形成，由向内侧贯通歧管3的侧壁并向上方弯曲的石英管构成。气体供给管24例如由石英形成，由贯通歧管3的侧壁而设置的短的石英管构成。
[0032]对于气体供给管21，其垂直部分(形成有气体孔21g的垂直部分)设置在处理容器1内。从气体供给源21a经由气体配管向气体供给管21供给处理气体。在气体配管设置有流量控制器21b和开闭阀21c。由此，来自气体供给源21a的处理气体经由气体配管和气体供给管21被供给到处理容器1内。另外，从气体供给源21a供给的处理气体例如可以使用HCD(Si2Cl6)气体、AlCl气体等原料气体(前体气体)。
[0033]对于气体供给管22，其垂直部分(形成有气体孔22g的垂直部分)设置于后述的等离子体生成空间。从气体供给源22a经由气体配管向气体供给管22供给处理气体。在气体配管设置有流量控制器22b和开闭阀22c。由此，来自气体供给源22a的处理气体经由气体配管和气体供给管21被供给到等离子体生成空间，在等离子体生成空间中被等离子体化而供给到处理容器1内。另外，从气体供给源22a供给的处理气体例如可以使用NH3气体、O3气体等反应气体(氮化气体、氧化气体)。
[0034]从气体供给源23a经由气体配管向气体供给管23供给蚀刻气体。在气体配管设置有流量控制器23b和开闭阀23c。由此，来自气体供给源23a的蚀刻气体经由气体配管和气体供给管23被供给到处理容器1内。作为蚀刻气体，例如可以利用氟化氢(HF)等卤化氢。
[0035]从吹扫气体供给源(未图示)经由气体配管向气体供给管24供给吹扫气体。在气体配管(未图示)设置有流量控制器(未图示)和开闭阀(未图示)。由此，来自吹扫气体供给源的吹扫气体经由气体配管和气体供给管24被供给到处理容器1内。作为吹扫气体，例如可以利用氩(Ar)、氮(N2)等非活性气体。另外，虽然对从吹扫气体供给源经由气体配管和气体供给管24向处理容器1内供给吹扫气体的情况进行了说明，但不限于此，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述冷却气体喷射部包括：冷却气体供给管，其具有喷射所述冷却气体的气体喷嘴，且贯通所述处理容器的侧壁；和气体冷却装置，其向所述冷却气体供给管供给所述冷却气体。3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：包括多级地载置多个所述基片的基片保持器，所述冷却气体供给管设置有多个。4.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：一个所述冷却气体供给管具有一个所述气体喷嘴。5.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：一个所述冷却气体供给管在所述处理容器内分支，具有多个所述气体喷嘴。6.根据权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：对每一片所述基片设置一个所述气体喷嘴。7.根据权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：对每两片所述基片设置一个所述气体喷嘴。8.根据权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括控制部，所述控制部构成为能够控制所述加热机构，使得所述处理容器的温度成为规定的设定温度，并控制所述冷却气体喷射部，使得执行喷射所述冷却气体以使所述基片降温的降温工序，以及停止喷射所述冷却气体以利用来自所述处理容器的辐射热使所述基片升温的升温工序。9.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部构成为能够控制所述处理气体供给部，使得执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口达也，佐佐木丰，高桥真实，石井亨，伏见直茂，吉井弘治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：