【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了对埋入在静电吸盘中的抓持基片用的电极施加电压，根据此时流过的电流来决定自偏压vdc的方法。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利第9601301号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术测量基片支承部的自偏压的面内分布。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式是一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；基座，其配置在上述等离子体处理腔室内；静电吸盘，其配置在上述基座的上部；多个电极层，其配置在上述静电吸盘内的同一面内；开关组，其由与上述多个电极层分别电连接的多个开关构成；电源部和测量部，其与上述开关组电连接；其他开关，其将上述开关组的连接目标选择为上述电源部和上述测量部中的任一者；以及控制部，上述电源部包括向上述多个电极层供给电功率的电源，上述测量部包括电阻和对...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，其特征在于：
9.如权利要求8所述的等离子体处...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳义弘，远藤宏纪，吴同，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。