基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供提高超临界干燥后的基片的清洁度的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。液处理装置在基片的表面形成液膜。超临界干燥装置通过将液膜替换为超临界流体来干燥基片。第一装载锁定装置在基片的输送路径的中途，将基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者。干式清洗装置在减压下对基片的表面进行干式清洗。控制装置依次实施由液处理装置进行的液膜的形成、由超临界干燥装置进行的基片的干燥、由第一装载锁定装置进行的基片的周边气氛的切换和由干式清洗装置进行的基片的干式清洗。干式清洗。干式清洗。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了一种超临界干燥方法。超临界干燥方法在液体附着于基片的表面的状态下，通过将基片暴露在超临界流体中一定时间，对基片的表面进行干燥。作为液体，例如使用乙醇等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
‑
101074号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一方式提供一种提高超临界干燥后的基片的清洁度的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一方式的基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。上述液处理装置在基片的表面形成液膜。上述超临界干燥装置通过将上述液膜替换为超临界流体来干燥上述基片。上述第一装载锁定装置在上述基片的输送路径的中途，将上述基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者。上述干式清洗装置在减压下对上述基片的上述表面进行干式清洗。上述控制装置依次实施由上述液处理装置进行的上述液膜的形成、由上述超临界干燥装置进行的上述基片的干燥、由上述第一装载锁定装置进行的上述基片的周边气氛的切换和由上述干式清洗装置进行的上述基片的干式清洗。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术的一方式，能够提高超临界干燥后的基片的清洁度。
附图说明
[0012]图1是表示一实施方式的基片处理装置的俯视图。
[0013]图2是表示一实施方式的基片处理方法的流程图。
[0014]图3的(A)是表示步骤S101的一例的图，图3的(B)是表示步骤S102的一例的图，图3的(C)是表示步骤S104的一例的图。
[0015]图4是表示第一变形例的基片处理装置的俯视图。
[0016]图5是表示第二变形例的基片处理装置的俯视图。
[0017]图6是表示第三变形例的基片处理装置的俯视图。
[0018]图7是表示第四变形例的基片处理装置的俯视图。
[0019]图8是表示第四变形例的基片处理装置的主视图。
[0020]图9是表示第四变形例的基片处理装置的侧视图。
[0021]图10是表示第五变形例的基片处理装置的俯视图。
[0022]图11是表示第六变形例的基片处理装置的俯视图。
[0023]图12是表示第六变形例的基片处理装置的侧视图。
[0024]附图标记说明
[0025]1基片处理装置
[0026]51液处理装置
[0027]52超临界干燥装置
[0028]53第一装载锁定装置
[0029]54干式清洗装置
[0030]90控制装置。
具体实施方式
[0031]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在各图中，对相同的或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。此外，X轴方向、Y轴方向和Z轴方向是相互垂直的方向，X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
[0032]在本说明书中，“常压”是指80kPa～120kPa的压力，“减压”是指0Pa～1kPa的压力。“常压气氛”和“减压气氛”的气氛可以是大气气氛，也可以是非活性气氛。非活性气氛包括氮气或稀有气体。稀有气体例如是氩气。
[0033]参照图1，对一实施方式的基片处理装置1进行说明。基片处理装置1包括液处理装置51、超临界干燥装置52、第一装载锁定装置53、干式清洗装置54和控制装置90。如图3的(A)所示，液处理装置51在基片W的正面Wa形成液膜L。超临界干燥装置52如图3的(B)所示，通过将液膜L替换为超临界流体S来干燥基片W。第一装载锁定装置53在基片W的输送路径的中途，将基片W的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者。干式清洗装置54如图3的(C)所示，在减压下对基片W的正面Wa进行干式清洗。
[0034]控制装置90例如是计算机，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)等运算部91和存储器等存储部92。在存储部92中存储有控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。控制装置90通过使运算部91执行存储于存储部92的程序，来控制基片处理装置1的动作。
[0035]控制装置90依次实施由液处理装置51进行的液膜L的形成、由超临界干燥装置52进行的基片W的干燥、由第一装载锁定装置53进行的基片W的周边气氛的切换、以及由干式清洗装置54进行的基片W的干式清洗。通过利用第一装载锁定装置53切换基片W的周边气氛，能够将干式清洗装置54的内部维持为减压气氛，能够提高基片处理装置1的生产率(through put)。此外，利用干式清洗装置54能够提高超临界干燥后的基片W的清洁度。
[0036]干式清洗装置54在不将基片W用液体润湿的情况下对基片W进行清洗。因此，在基片W的正面Wa的凹凸图案处不会出现液体与气体的界面。其结果是，能够防止表面张力的产生，能够防止凹凸图案的倒塌。虽然也能够代替干式清洗装置54而用湿式清洗装置来清洗基片W，但在这种情况下，为了防止凹凸图案的倒塌要再次实施超临界干燥，生产率降低。
[0037]如图1所示，基片处理装置1例如包括第一区块10、第二区块20、第三区块30、第一
装载锁定装置53和中转装置55。第一区块10、中转装置55、第二区块20、第一装载锁定装置53和第三区块30依次在水平方向上排成一排地设置。
[0038]第一区块10具有第一载置台11、第一输送室12和第一输送装置13。第一载置台11支承第一盒C1和第二盒C2。第一盒C1收纳多个处理前的基片W。基片W例如包括半导体基片。半导体基片包括硅晶片或化合物半导体晶片。基片W也可以代替半导体基片，而包括玻璃基片。基片W的正面Wa可以具有电子电路等器件，也可以具有凹凸图案。第二盒C2收纳多个处理后的基片W。
[0039]第一输送室12设置在第一载置台11与中转装置55之间。第一输送室12为常压气氛。第一输送装置13在第一输送室12中输送基片W。第一输送装置13将处理前的基片W从第一盒C1取出。此外，第一输送装置13将处理后的基片W收纳到第二盒C2。第一输送装置13具有保持基片W的输送臂。输送臂能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够绕铅垂轴旋转。
[0040]第二区块20具有液处理装置51、超临界干燥装置52、第二输送室22和第二输送装置23。第二输送室22设置在中转装置55与第一装载锁定装置53之间。第二输送室22是常压气氛。第二输送装置23在第二输送室22中输送基片W。第二输送装置23在与第二输送室22相邻的多个装置之间输送基片W。第二输送装置23具有保持基片W的输送臂。输送臂能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够绕铅垂轴旋转。
[0041]在第二区块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：液处理装置，其在基片的表面形成液膜；超临界干燥装置，其通过将所述液膜替换为超临界流体来干燥所述基片；第一装载锁定装置，其在所述基片的输送路径的中途，将所述基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者；干式清洗装置，其在减压下对所述基片的所述表面进行干式清洗；以及控制装置，其依次实施由所述液处理装置进行的所述液膜的形成、由所述超临界干燥装置进行的所述基片的干燥、由所述第一装载锁定装置进行的所述基片的周边气氛的切换和由所述干式清洗装置进行的所述基片的干式清洗。2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：第一区块，其具有：第一载置台，其支承收纳所述基片的盒；常压气氛的第一输送室；和第一输送装置，其在所述第一输送室中输送所述基片；第二区块，其具有所述液处理装置、所述超临界干燥装置、常压气氛的第二输送室和第二输送装置，所述第二输送装置在所述第二输送室中输送所述基片；第三区块，其具有所述干式清洗装置、减压气氛的第三输送室和第三输送装置，所述第三输送装置在所述第三输送室中输送所述基片；以及中转装置，其在所述第一输送装置与所述第二输送装置之间交接所述基片，所述第一区块、所述中转装置、所述第二区块、所述第一装载锁定装置和所述第三区块依次在水平方向上排成一排地设置。3.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：第一区块，其具有：第一载置台，其支承收纳所述基片的盒；常压气氛的第一输送室；和第一输送装置，其在所述第一输送室中输送所述基片；第二区块，其具有所述液处理装置、所述超临界干燥装置、常压气氛的第二输送室和第二输送装置，所述第二输送装置在所述第二输送室中输送所述基片；第三区块，其具有所述干式清洗装置、减压气氛的第三输送室和第三输送装置，所述第三输送装置在所述第三输送室中输送所述基片；以及第二装载锁定装置，其在所述基片的输送路径的中途，将所述基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者，所述第一区块、所述第二装载锁定装置、所述第三区块、所述第一装载锁定装置和所述第二区块依次在水平方向上排成一排地设置。4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：第一区块，其具有：第一载置台，其支承收纳所述基片的第一盒；常压气氛的第一输送室；和第一输送装置，所述第一输送装置在所述第一输送室中输送所述基片；第二区块，其具有所述液处理装置、所述超临界干燥装置、常压气氛的第二输送室和第二输送装置，所述第二输送装置在所述第二输送室中输送所述基片；第三区块，其具有所述干式清洗装置、减压气氛的第三输送室和第三输送装置，所述第三输送装置在所述第三输送室中输送所述基片；第四区块，其具有：第二载置台，其支承收纳所述基片的第二盒；常压气氛的第四输送室；和第四输送装置，其在所述第四输送室中输送所述基片；
中转装置，其在所述第一输送装置与所述第二输送装置之间交接所述基片；以及第二装载锁定装置，其在所述基片的输送路径的中途，将所述基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛常长，稻富弘朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：