东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本技术涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种在基板上涂布涂布液的液处理装置,其具备:基板保持部,其保持基板并使之旋转;涂布液供给部,其向被保持的基板涂布涂布液;和杯,其包围被保持的基板,杯具有:外...
  • 本技术涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种液处理装置,其在基板上涂布涂布液,其中,液处理装置具备:基板保持部,其保持基板并使之旋转;涂布液供给部,其向被基板保持部保持的基板涂布涂布液;以及杯,其...
  • 本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅,第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b),在工序(b)中,利用从包含一氧化碳气体的第一处理气...
  • 本发明提供一种等离子体处理系统和处理系统。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、搬送装置以及控制装置,所述等离子体处理装置具有:处理室;载置台,其设置于所述处理室的内部,用于载置基板;以及聚焦环,其以包围所述基板的周围的方式载置于所述载...
  • 本文中的技术包括对衬底进行图案化的方法,这些方法利用在一些氟化聚合物或具有长链烷基官能团的聚合物中发现的表面能差异,其促进双层聚合物系统中的表面或顶层离析以在将聚合物混合物沉积在浮雕图案上时有利于覆盖层去除。该方法允许快速去除覆盖层以使...
  • 成膜装置具备:处理容器;溅射用的靶材,其设置于所述处理容器内;载置台,其位于所述处理容器内且具有用于载置基板的载置面;遮挡构件,其能够覆盖所述载置面;搬送机构,其相对于所述载置台搬入和搬出所述遮挡构件;检测部,其设置于所述搬送机构自身,...
  • 本发明提供抑制异常放电的等离子体处理装置和静电吸盘。等离子体处理装置包括基片支承部,其包括:具有基片支承面和背面的陶瓷部件;在陶瓷部件内配置在基片支承面的下方的吸盘电极层及其下方的偏置电极层;气体扩散通路,其在偏置电极层的下方沿水平方向...
  • 提供一种基板处理系统和基板处理方法,其对基板进行处理,其中,该基板处理系统具有:改性层形成装置,其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与所述第1基板的中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层;界面处理装置,其对所述第1基板与第2基板接合...
  • 本发明涉及液处理装置和液处理方法。在对基板进行液处理时便利性较高。液处理装置具备左右排列地设有多个的处理部,处理部各自具备:载置部,其供基板载置;杯,其包围载置部和载置于载置部的基板;第1处理喷嘴、第2处理喷嘴,其分别向基板供给第1处理...
  • 一种耗材,其由石英和陶瓷中的任一材料形成,用于等离子体处理装置,上述耗材具有:由第一纯度的上述材料形成的芯部;和保护部,其设置在上述芯部的周围的、会因上述等离子体处理装置中的等离子体发生损耗的部分,由比上述第一纯度高的第二纯度的上述材料...
  • 本发明涉及液处理装置和液处理方法。防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化。该液处理装置具备:杯,其包围载置于载置部的基板;排气口,其设于杯的底部,使该杯内进行排气;环状体,其以在俯视时包围基板的方式设于杯内,并形成从杯的开口向该杯...
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括:工序(A),进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻,并形成第二无机绝缘膜的掩模;工序(B),在工序(A)之后,进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀...
  • 一种基板处理方法,对基板进行处理,所述基板处理方法包括对基板的一个面供给至少包含氢氟酸和硝酸的蚀刻液,来对该一个面进行蚀刻,所述一个面的蚀刻包括:将隔着所述基板的旋转中心设定于往复运动的两端部的折返地点之间的距离即扫描宽度、以及使蚀刻液...
  • 本发明提供能够基于拍摄基片得到的视频来输出关于基片的静电消除状态的信息的静电消除状态显示方法、基片处理装置和程序。静电消除状态显方法在基片处理装置中执行,基片处理装置包括:处理容器;载置基片的载置台;通过静电吸附来保持基片的静电吸盘;和...
  • 本发明提供一种能够根据检查内容容易地改变检查单元的数量,并且能够大幅缩短检查单元的维护所花费的时间的检查系统。检查系统具有检查基片的多个检查单元。上述多个检查单元各自构成为单元,并包括:进行上述基片的检查的测试器;保持上述基片并使该基片...
  • 一种加工多个衬底的方法,该方法包括将多个衬底浸入包含在槽室中的槽液中;在该槽液中产生气泡;将来自光源的光投射向该槽室;通过用光传感器捕获在与这些气泡相互作用后从该槽室发出的光来生成光传感器数据;并将光传感器数据转换成该槽液的度量。
  • 本公开涉及一种基板处理装置、供给系统、基板处理方法以及供给方法,回收高纯度的冲洗液或干燥液。本公开的基板处理装置具备保持部、处理杯、第一供给部、第二供给部、排放部以及第一测定部。保持部用于保持基板。处理杯设置于保持部的周围。第一供给部用...
  • 一种基片处理方法,其包括:对从下方起依次层叠有有机膜、含硅无机膜和抗蚀剂图案的基片照射紫外线,使所述抗蚀剂图案不溶于磷酸液的不溶化步骤;在所述不溶化步骤后,对所述基片供给所述磷酸液,将从所述抗蚀剂图案露出的所述含硅无机膜除去的除去步骤;...
  • 一种对衬底进行图案化的方法,包括在衬底上形成多层光刻胶堆叠体。多层光刻胶堆叠体包括通过气相沉积而沉积的干式光刻胶层,该干式光刻胶层位于通过旋涂沉积而沉积的湿式光刻胶层之上。通过曝光于第一波长的第一光化辐射图案并使用第一显影工艺对湿式光刻...
  • 本发明提供能够形成良好的含金属抗蚀剂的图案的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。本发明的基片处理方法进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理,包括:对在进行了曝光和PEB处理的基片上形成的所述含金属抗蚀剂的膜的前体化...