【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理装置和静电吸盘。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种用于在基片处理腔室内使用的静电吸盘，其包括：板，其具有第一面和与上述第一面相对的第二面；第一电极，其靠近上述第一面并埋设在上述板内；第二电极，其靠近上述第二面埋设在上述板内；多个导电性部件，其将上述第一电极连结到上述第二电极；第一气体通路，其在上述板内且配置在上述第一电极与上述第二电极之间；气体注入口，其从上述板的上述第二面向上述第一气体通路延伸；以及多个气体排出口，其从上述板的上述第一面向上述第一气体通路延伸。
2、在专利文献2中公开了一种包括电介质、埋设在电介质中的电极和配置于气体导管的出口的电介质嵌入件的静电吸盘。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特表2022-524088号公报
6、专利文献2：美国专利第6581275号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在一个方面，本专利技术提供一种抑制异常放电的等离子体处理装置和静电吸盘。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；和配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部，上述基片支承部包括：具有基片支承面和背面的陶瓷部件；吸盘电极层，其在上述陶瓷部件内配置在上述基片支承面的下方；偏置电极层，其在上述陶瓷部件内配置在上述吸盘电极层的下方；气
5、专利技术效果
6、根据一个方面，能够提供抑制异常放电的等离子体处理装置和静电吸盘。
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1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.一种在等离子体处理装置中使用的静电吸盘，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的静电吸盘，其特征在于：
13.如权利要求12所述的静电吸盘，其特征在于：
14.如权利要求13所述的静电吸盘，其特征在于：
15.如权利要求11所述的静电吸盘，其特
16.如权利要求11至15中任一项所述的静电吸盘，其特征在于：
17.如权利要求11至15中任一项所述的静电吸盘，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤诚人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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