一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路...

本发明提供载置台和基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；和配置在所述处理容器内的一体形成的基台，所述基台在其内部包括：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置在所述第1流路的下部的第1隔热空间；和第2流路，其配置在所述第1隔热空间的下部...

披露了一种用于形成半导体封装件的方法。该方法包括提供包括第一介电层的第一衬底。该方法包括用包含铝的第一粘合层覆盖该第一介电层的第一表面。该方法包括提供包括第二介电层的第二衬底。该方法包括用包含烷氧基硅氧化物的第二粘合层覆盖该第二介电层的...

本技术涉及液处理装置。防止可切换杯内的排气的流路的液处理装置大型化。该液处理装置具备：杯，其包围载置于载置部的基板；排气口，其设于杯的底部，使该杯内进行排气；环状体，其以在俯视时包围基板的方式设于杯内，并形成从杯的开口向该杯内流入的气体...

本技术涉及液处理装置。在对基板进行液处理时便利性较高。液处理装置具备左右排列地设有多个的处理部，处理部各自具备：载置部，其供基板载置；杯，其包围载置部和载置于载置部的基板；第1处理喷嘴、第2处理喷嘴，其分别向基板供给第1处理液、第2处理...

一种处理方法，是第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括：获取所述重合基板的层信息；向形成于所述第一基板与所述第二基板的界面的激光吸收膜照射脉冲状的激光束，来形成所述第一基板与所述第二基板的接合强度下降了的未接合...

一种形成亚分辨率特征的方法，该方法包括：通过掩模将形成在衬底上方的光致抗蚀剂层暴露于具有365nm或更长的第一波长的第一紫外光(UV)辐射，该掩模被配置成以第一临界尺寸形成特征，该光致抗蚀剂层包括暴露于该第一UV辐射的第一部分和在用该第...

本发明提供一种静电卡盘，其包括：用于支承基片的中央区域；形成在所述中央区域的至少1个贯通孔；配置在所述贯通孔的周围的第一基片接触部；和配置在所述第一基片接触部的周围的第二基片接触部，所述第一基片接触部和所述第二基片接触部具有从所述中央区...

本发明提供能够在处理装置中提供对于腔室的适当的衬里构造的等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：由第一导电性材料形成的、与接地电位连接的导电性腔室；能够在导电性腔室内生成等离子体的等离子体生成部；由与第一导电性材料不同的第...

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体激励用天线的线圈保持件。在等离子体处理时适当地抑制RF电路中的异常放电的发生。一种等离子体处理装置，其包括处理容器、配置于处理容器的内部并载置作为处理对象的基板的载物台、配置于处理容器的上方的等离子体...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明实施方式的基片处理方法包括：在保持基片(W)并使其旋转的状态下，向基片(W)的中央部供给SPM处理液，获取基片(W)的中央部的蚀刻量成为目标蚀刻量时基片(W)的径向的位置所对应的基准蚀刻量的步...

一种基板处理装置，向基板照射激光束来对该基板进行处理，所述基板处理装置具有：激光照射部，其向所述基板照射所述激光束；以及集尘部，其收集粉尘，其中，在所述集尘部设置有收容部，所述收容部收容所述激光照射部的至少一部分，该激光照射部能够在所述...

一种包括被配置为保存一种或多种样本物质的测量腔室的装置。该装置包括安装在测量腔室一侧的入口窗。该装置包括被配置为产生入射光束的光源。该装置包括拉曼传感器，该拉曼传感器被配置为收集来自腔室的非弹性散射光，并基于所收集的非弹性散射光来测量来...

本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变...

本公开提供一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制系统具有预测装置和蚀刻控制装置。预测装置具有：更新部，其更新表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型的参数以使模型最优化，所述工...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地去除残留在基板上的不需要的分子。本公开的一个方式的基板处理装置具备：基板保持器具，其将多个基板沿铅垂方向具有间隔地分多层进行保持；以及处理容器，其收容所述基板保持器具，其中，所述基板保...

本发明提供一种基板处理装置和处理液供给方法。在多个液处理模块层叠成多层的基板处理装置中，针对各液处理模块抑制缺陷的产生。一种基板处理装置，其具备：多个液处理模块，其分别对基板进行使用了处理液的处理，多个该液处理模块层叠成多层；和供液单元...

本公开提供一种蚀刻控制装置、蚀刻控制方法以及蚀刻控制系统，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制装置具有：更新部，其更新表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型的参数以使模型最优化，所述工艺参数是用于控制用于...

一种基板处理方法，包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)、工序e)和工序f)。工序a)是提供具有图案且保护对象膜位于图案的底部的基板的工序。工序b)是在位于图案的底部的保护对象膜上层叠催化剂膜的工序。工序c)是通过VLS生长法，在图...

一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极/漏极接触区，这些源极/漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极/漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并...