基板处理方法技术

技术编号：40765594 阅读：2 留言：0更新日期：2024-03-25 20:15

一种基板处理方法，包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)、工序e)和工序f)。工序a)是提供具有图案且保护对象膜位于图案的底部的基板的工序。工序b)是在位于图案的底部的保护对象膜上层叠催化剂膜的工序。工序c)是通过VLS生长法，在图案内形成从下方支撑催化剂膜且覆盖保护对象膜的保护膜的工序。工序d)是除去由保护膜从下方支撑的催化剂膜的工序。工序e)是在保护对象膜被保护膜覆盖的状态下，对基板的与图案不同的部分实施规定的处理的工序。工序f)是除去图案内的保护膜的工序。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基板处理方法。

技术介绍

1、存在一种通过化学气相沉积(chemical vapor deposition：cvd)或原子层沉积(atomic layer deposition：ald)在基板的图案内形成埋入膜的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-17708号公报

5、专利文献2：日本特开2014-11165号公报

技术实现思路

1、本公开提供一种能够减少位于图案的底部的保护对象膜的损伤可能性的技术。

2、本公开的一个方式的基板处理方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)、工序e)和工序f)。工序a)是提供具有图案且保护对象位于图案的底部的基板的工序。工序b)是在位于图案的底部的保护对象膜上层叠催化剂膜的工序。工序c)是通过vls生长法在图案内形成从下方支撑催化剂膜且覆盖保护对象膜的保护膜的工序。工序d)是除去由保护膜从下方支撑的催化剂膜的工序。工序e)是在保护对象膜被保护膜覆盖的状态下，对基板的与图案不同的部分实施规定的处理的工序。工序f)是除去图案内的保护膜的工序。

3、根据本公开，能够减少位于图案的底部的保护对象膜的损伤可能性。

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，包括：

2.一种基板处理方法，包括：

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)中，在位于所述图案的底部的所述保护对象膜上选择性地层叠所述催化剂膜。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)包括：

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述b－1)中，通过还原性气体或氧化气体的等离子体将所述图案的顶部的表面改性。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)包括：

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述b－4)中，通过各向同性干式蚀刻选择性地除去所述催化剂膜的所述部分。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述c)中，通过VLS生长法，以不完全埋没所述图案的膜厚在所述图案内形成所述保护膜。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述保护对象膜为含金属膜或含碳膜。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述催化剂膜为金属膜。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，所

12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述保护膜为碳膜、硅膜、金属膜、氧化硅膜、氮化硅膜、碳化硅膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属碳化膜、或包含选自由这些膜构成的集合中的至少2种膜的层叠膜。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】