【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法。
技术介绍
1、以往，在半导体加工中，已知有一种向旋转的基板上喷出显影液等药液的显影装置以及单片清洗装置(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2012-28571号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布的蚀刻控制系统和蚀刻控制方法。
3、用于解决问题的方案
4、实施方式所涉及的蚀刻控制系统是具有预测装置和蚀刻控制装置的蚀刻控制系统，预测装置具有：更新部，其更新表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型的参数以使所述模型最优化，所述工艺参数是用于控制用于对所述基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数；计算部，其使用由所述更新部更新参数后的所述模型，来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数；以及提供部，其提供由计算部计算出的工艺参数，蚀刻控制装置具有：获取部，其获取工艺参数；以及动作控制部，其使用由获取部获取到的工艺参数来控制多个喷嘴的动作。
5、专利技术的效果
6、根据本公开，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。
【技术保护点】
1.一种蚀刻控制系统，具有预测装置和蚀刻控制装置，所述蚀刻控制系统的特征在于，
2.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
6.一种蚀刻控制方法，由具有预测装置和蚀刻控制装置的蚀刻控制系统来执行，所述蚀刻控制方法的特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻控制系统，具有预测装置和蚀刻控制装置，所述蚀刻控制系统的特征在于，
2.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：鹤田丰久，丸本洋，李水根，榎本正志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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