【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理装置和基片处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开了在基片处理系统中设置在腔室内的封闭环。封闭环是为了将等离子体封闭在等离子体区域内而设置的。封闭环包括环状的下壁、外壁和上壁。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2020/0075295号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术在处理装置中提供对于腔室的适当的衬里构造。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式的等离子体处理装置包括：由第一导电性材料形成的、与接地电位连接的导电性腔室；能够在所述导电性腔室内生成等离子体的等离子体生成部；由与所述第一导电性材料不同的第二导电性材料形成的、在所述导电性腔室内沿着周向排列配置的多个导电性衬里，各导电性衬里具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，所述第一面与所述导电性腔室的侧壁接触，所述第二面暴露于所述等离子体，在所述多个导电性衬里中的两个相邻的导电性衬里之间形成有间隙；和分别与所述多个导电性衬里对应的多个固定器具，各固定器具能够将对应的导电性衬里固定在所述导电性腔室的侧壁上。
5、专利技术效果
6、采用本专利技术，能够在处理装置中提供对于腔室的适当的衬里构造。
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：
14.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：
15.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：
16
17.如权利要求16所述的基片处理装置，其特征在于：
18.如权利要求12～15中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
19.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
20.如权利要求19所述的基片处理装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：砂金优，阿部凉也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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