【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本披露内容总体上涉及微制造的方法，更具体地涉及光刻和图案化。
技术介绍
1、在材料加工方法学(比如光刻法)中，创建图案化层包括向衬底的工作表面施加辐射敏感材料(比如光刻胶)薄层。将此辐射敏感材料转换成可以用于将图案蚀刻或转印到衬底上的下层中的图案化掩模。对辐射敏感材料进行图案化总体上涉及使用例如光刻系统(比如扫描仪或步进器工具)来由辐射源通过掩模版(和相关联的光学器件)曝光到辐射敏感材料上。接着，这种曝光之后可以是取决于光刻胶调性(tone)和显影剂调性，使用显影溶剂来去除辐射敏感材料的被照射区域或未被照射区域。该掩模层可以包括多个子层。
技术实现思路
1、本披露内容涉及一种对衬底进行图案化的方法。
2、方面(1)包括一种对衬底进行图案化的方法。该方法包括在衬底上形成多层光刻胶堆叠体。该多层光刻胶堆叠体包括通过气相沉积而沉积的干式光刻胶层和通过旋涂沉积而沉积的湿式光刻胶层。该湿式光刻胶层定位在该干式光刻胶层之上。通过曝光于第一波长的第一光化辐射图案并使用第一显影工艺对湿式光刻胶层的可显影部分进行显影，在该湿式光刻胶层中形成第一起伏图案。第一起伏图案使干式光刻胶层的部分露出。通过曝光于第二波长的第二光化辐射图案并使用第二显影工艺对干式光刻胶层的可显影部分进行显影，在该干式光刻胶层中形成第二起伏图案。该干式光刻胶层的可显影部分由该第二光化辐射图案和该第一起伏图案的组合限定。该第一起伏图案和该第二起伏图案一起形成组合起伏图案。
3、方面(2)包括方面(1)的方法，
4、方面(3)包括方面(2)的方法，其中该第一波长为198纳米。
5、方面(4)包括方面(1)的方法，其中该第二波长介于10纳米与124纳米之间。
6、方面(5)包括方面(4)的方法，其中该第二波长为13.5纳米。
7、方面(6)包括方面(1)的方法，其中该湿式光刻胶层对该第一波长的光化辐射敏感，因为该第一波长的光化辐射改变该湿式光刻胶层相对于该第一显影工艺的可显影性。
8、方面(7)包括方面(1)的方法，其中该干式光刻胶层对该第二波长的光化辐射敏感，因为该第二波长的光化辐射改变该干式光刻胶层相对于该第二显影工艺的可显影性。
9、方面(8)包括方面(1)的方法，其中该第二光化辐射图案的至少一个曝光区域被配置成在曝光期间与该第一起伏图案部分地重叠。
10、方面(9)包括方面(8)的方法，其中在该至少一个曝光区域中并且被该第一起伏图案覆盖的部分该干式光刻胶层的可显影性相对于该第二显影工艺不变。
11、方面(10)包括方面(8)的方法，其中在该至少一个曝光区域中并且未被该第一起伏图案覆盖的部分该干式光刻胶层的可显影性相对于该第二显影工艺改变。
12、方面(11)包括方面(1)的方法，其中该第二显影工艺包括气相去除该干式光刻胶层的可显影部分，或者包括使用液体显影剂去除该干式光刻胶层的可显影部分。
13、方面(12)包括方面(1)的方法，其中形成该第一起伏图案包括通过反间隔物工艺来形成开口。
14、方面(13)包括方面(1)的方法，其中形成该第一起伏图案包括形成多线层，该多线层包括该湿式光刻胶层和第三材料，该第三材料相对于该湿式光刻胶层和该干式光刻胶层具有不同抗蚀刻性。
15、方面(14)包括方面(1)的方法，进一步包括将第四材料选择性地沉积在该第一起伏图案、该第二起伏图案和定位在该第二起伏图案下方的下层中的一个的露出部分上。
16、方面(15)包括方面(1)的方法，进一步包括执行各向异性蚀刻工艺，该各向异性蚀刻工艺将该组合起伏图案转印到定位在该干式光刻胶层下方的下层中。
17、方面(16)包括方面(1)的方法，其中该第一起伏图案使该干式光刻胶层的部分露出包括使用该第一起伏图案作为蚀刻掩模来蚀刻该湿式光刻胶层与该干式光刻胶层之间的一个或多个中间层。
18、方面(17)包括方面(16)的方法，其中蚀刻该一个或多个中间层包括蚀刻抗反射涂覆层。
19、方面(18)包括方面(1)的方法，其中该气相沉积包括化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、原子层沉积(ald)或外延生长。
20、方面(19)包括一种对衬底进行图案化的方法。该方法包括通过旋涂沉积在衬底上沉积第一光刻胶膜。该第一光刻胶膜对紫外(uv)辐射敏感，因为uv辐射改变该第一光刻胶膜相对于特定显影剂的溶解度。通过气相沉积在该衬底上沉积第二光刻胶膜。该第二光刻胶膜对极紫外(euv)辐射敏感，因为曝光于euv辐射改变该第二光刻胶膜相对于特定显影工艺的显影潜力。该第二光刻胶膜定位在该第一光刻胶膜下方。通过曝光于第一uv辐射图案并使用特定显影剂对该第一光刻胶膜的可溶解部分进行显影，在该第一光刻胶膜中形成第一起伏图案。形成该第一起伏图案包括使该第二光刻胶膜的部分露出。通过曝光于第二euv辐射图案并使用特定显影工艺对该第二光刻胶膜的可显影部分进行显影，在该第二光刻胶膜中形成第二起伏图案。该第二光刻胶膜的可显影部分基于该第二euv辐射图案和该第一起伏图案。该第一起伏图案和该第二起伏图案一起形成组合起伏图案。
21、方面(20)包括方面(19)的方法，其中曝光于该第一uv辐射图案包括使用193nm波长的光进行曝光，并且曝光于该第二euv辐射图案包括使用13.5nm波长的光进行曝光。
22、注意，本
技术实现思路
部分并未指明本披露内容或要求保护的专利技术的每个实施例和/或递增的新颖方面。相反，本
技术实现思路
仅提供了对不同实施例以及新颖性对应点的初步讨论。对于本专利技术和实施例的附加细节和/或可能的观点，读者被引导到如下文进一步讨论的本披露内容的具体实施方式部分和对应附图。
【技术保护点】
1.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一波长介于124纳米与400纳米之间。
3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一波长为198纳米。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该第二波长介于10纳米与124纳米之间。
5.如权利要求4所述的方法，其中，该第二波长为13.5纳米。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该湿式光刻胶层对该第一波长的光化辐射敏感，因为该第一波长的光化辐射改变该湿式光刻胶层相对于该第一显影工艺的可显影性。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该干式光刻胶层对该第二波长的光化辐射敏感，因为该第二波长的光化辐射改变该干式光刻胶层相对于该第二显影工艺的可显影性。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该第二光化辐射图案的至少一个曝光区域被配置成在曝光期间与该第一起伏图案部分地重叠。
9.如权利要求8所述的方法，其中，
10.如权利要求8所述的方法，其中，
11.如权利要求1所述的方法，其中，该第二显影工艺包括气
12.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一起伏图案包括通过反间隔物工艺来形成开口。
13.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一起伏图案包括形成多线层，该多线层包括该湿式光刻胶层和第三材料，该第三材料相对于该湿式光刻胶层和该干式光刻胶层具有不同抗蚀刻性。
14.如权利要求1所述的方法，进一步包括将第四材料选择性地沉积在该第一起伏图案、该第二起伏图案和定位在该第二起伏图案下方的下层中的一个的露出部分上。
15.如权利要求1所述的方法，进一步包括执行各向异性蚀刻工艺，该各向异性蚀刻工艺将该组合起伏图案转印到定位在该干式光刻胶层下方的下层中。
16.如权利要求1所述的方法，其中，该第一起伏图案使该干式光刻胶层的部分露出包括使用该第一起伏图案作为蚀刻掩模来蚀刻该湿式光刻胶层与该干式光刻胶层之间的一个或多个中间层。
17.如权利要求16所述的方法，其中，蚀刻该一个或多个中间层包括蚀刻抗反射涂覆层。
18.如权利要求1所述的方法，其中，该气相沉积包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)或外延生长。
19.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
20.如权利要求19所述的方法，其中，
21.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
22.如权利要求21所述的方法，进一步包括在该衬底上形成图案化层，以将该衬底的选定区域暴露于该选择性图案化工艺。
23.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括将第四材料选择性地沉积在该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分上。
24.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括选择性地蚀刻该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分。
25.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括用第四材料选择性地替代该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分。
26.如权利要求21所述的方法，其中，形成该多色层包括执行反间隔物工艺。
27.如权利要求26所述的方法，其中，执行该反间隔物工艺包括：
28.如权利要求21所述的方法，其中，该多色层包括多线层，该多线层包括交替布置并彼此间隔开的该湿式光刻胶的线和该第三材料的线，从而使该干式光刻胶的部分露出。
29.如权利要求21所述的方法，进一步包括通过曝光于第二波长的第二光化辐射图案并使用第二显影工艺对该第二层的可显影部分进行显影，在该第二层中形成第二起伏图案，该第二层的可显影部分由该第二光化辐射图案和该第一起伏图案的组合限定，该第一起伏图案和该第二起伏图案一起形成组合起伏图案。
30.如权利要求29所述的方法，其中，该第二波长介于10纳米与124纳米之间。
31.如权利要求30所述的方法，其中，该第二波长为13.5纳米。
32.如权利要求29所述的方法，其中，该第二层对该第二波长的光化辐射敏感，因为该第二波长的光化辐射改变该第二层相对于该第二显影工艺的可显影性。
33.如权利要求29所述的方法，其中，该第二显影工艺包括气相去除该第二层的可显影部分，或者包括使用液体显影剂去除该第二层的可显影部分。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一波长介于124纳米与400纳米之间。
3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一波长为198纳米。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该第二波长介于10纳米与124纳米之间。
5.如权利要求4所述的方法，其中，该第二波长为13.5纳米。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该湿式光刻胶层对该第一波长的光化辐射敏感，因为该第一波长的光化辐射改变该湿式光刻胶层相对于该第一显影工艺的可显影性。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该干式光刻胶层对该第二波长的光化辐射敏感，因为该第二波长的光化辐射改变该干式光刻胶层相对于该第二显影工艺的可显影性。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该第二光化辐射图案的至少一个曝光区域被配置成在曝光期间与该第一起伏图案部分地重叠。
9.如权利要求8所述的方法，其中，
10.如权利要求8所述的方法，其中，
11.如权利要求1所述的方法，其中，该第二显影工艺包括气相去除该干式光刻胶层的可显影部分，或者包括使用液体显影剂去除该干式光刻胶层的可显影部分。
12.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一起伏图案包括通过反间隔物工艺来形成开口。
13.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一起伏图案包括形成多线层，该多线层包括该湿式光刻胶层和第三材料，该第三材料相对于该湿式光刻胶层和该干式光刻胶层具有不同抗蚀刻性。
14.如权利要求1所述的方法，进一步包括将第四材料选择性地沉积在该第一起伏图案、该第二起伏图案和定位在该第二起伏图案下方的下层中的一个的露出部分上。
15.如权利要求1所述的方法，进一步包括执行各向异性蚀刻工艺，该各向异性蚀刻工艺将该组合起伏图案转印到定位在该干式光刻胶层下方的下层中。
16.如权利要求1所述的方法，其中，该第一起伏图案使该干式光刻胶层的部分露出包括使用该第一起伏图案作为蚀刻掩模来蚀刻该湿式光刻胶层与该干式光刻胶层之间的一个或多个中间层。
17.如权利要求16所述的方法，其中，蚀刻该一个或多个中间层包括蚀刻抗反射涂覆层。
18.如权利要求1所述的方法，其中，该气相沉积包括化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、原子层沉积(ald)或外延生长。
19.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
20.如权利要求19所述的方法，其中，
21.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：
22.如权利要求21所述的方法，进一步包括在该衬底上形成图案化层，以将该衬底的选定区域暴露于该选择性图案化工艺。
23.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括将第四材料选择性地沉积在该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分上。
24.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括选择性地蚀刻该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分。
25.如权利要求21所述的方法，其中，执行该选择性图案化工艺包括用第四材料选择性地替代该湿式光刻胶、该干式光刻胶和该第三材料中的一个或两个的露出部分。
26.如权利要求21所述的方法，其中，形成该多色层包括执行反间隔物工艺。
27.如权利要求26所述的方法，其中，执行该反间隔物工艺包括：
28.如权利要求21所述的方法，其中，该多色层包括多线层，该多线层包括交替布置并彼此间隔开的该湿式光刻胶的线和该第三材料的线，从而使该干式光刻胶的部分露出。
29.如权利要求21所述的方法，进一步包括通过曝光于第二波长的第二光化辐射图案并使用第二显影工艺对该第二层的可显影部分进行显影，在该第二层中形成第二起伏图案，该第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东·德维利耶，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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