【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理方法、存储介质和基片处理装置。
技术介绍
1、专利文献1所公开的基片处理装置包括：热处理单元，其用于对基片进行热处理，所述基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且对该覆膜实施了曝光处理；和显影处理单元，其用于对实施了热处理的所述覆膜进行显影处理。在该基片处理装置中，热处理单元具有：热板，其用于支承基片并进行加热；腔室，其覆盖热板上的处理空间；气体释放部，其用于在腔室内将含有水分的气体从上方向热板上的基片释放；排气部，其用于从处理空间的外周对腔室内进行排气；和加热器，其设置在腔室中，用于对腔室进行加热。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-129607号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术要形成良好的含金属抗蚀剂的图案。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式是一种基片处理方法，其进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：对在进行了曝光和peb处理的基片上形成的所述含金属抗蚀剂的膜的前体化进行抑制的步骤；和接着，在形成所述图案之前，通过所述膜内的缩合反应来提高该膜的选择性的步骤。
5、专利技术效果
6、采用本专利技术，能够形成良好的含金属抗蚀剂的图案。
【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：
2.一种基片处理方法，其进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
8.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
9.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
11.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
12.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：
2.一种基片处理方法，其进行用于经由含金属抗蚀剂的前体化和缩合反应而形成图案的处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤本势二，志村悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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