蚀刻方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

一种使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，包括以下工序：工序

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法和等离子体处理装置


[0001]本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置
。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法，所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜，所述第二区域具有单层的氧化硅膜
。
根据专利文献1所记载的蚀刻方法，重复地交替执行生成包含氢氟碳化合物的第一处理气体的等离子体的工序
、
以及生成包含碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的工序
。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开
2016
‑
51750
号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术改善蚀刻图案的形状异常
。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序
>(A)
，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种蚀刻方法，包括以下工序：工序
(A)
，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序
(B)
，向所述基板支承体周期性地供给
20kW
以上且
50kW
以下
、
占空比为5％以上且
50
％以下的偏压射频电力；以及工序
(C)
，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻
。2.
根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述偏压射频电力为
23kW
以上且
40kW
以下
。3.
根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述偏压射频电力的占空比为
10
％以上且
40
％以下
。4.
一种蚀刻方法，包括以下工序：工序
(A)
，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序
(B)
，向所述基板支承体供给
7kV
以上且
20kV
以下
、
占空比为5％以上且
50
％以下的电偏压；以及工序
(C)
，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻
。5.
根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述电偏压的占空比为
10
％以上且
40
％以下
。6.
根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含硅膜包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有层叠有从由氧化硅膜
、
氮化硅膜以及多晶硅膜构成的组中选择的至少两种膜的多层膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜
。7.
根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含硅膜包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替地层叠有氧化硅膜和氮化硅膜的多层膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜
。8.
根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述工序
(C)
包括以下工序：工序
(C1)
，通过从第一处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第一处理气体包含碳氟化合物气体
、
氢氟碳化合物气体以及含氧气体，且所述碳氟化合物气体相对于所述含氧气体的流量比大于
1.0
；以及工序
(C2)
，通过从第二处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第二处理气体包含碳氟化合物气体
、
氢氟碳化合物气体以及含氧气体，且所述碳氟化合物气体相对于所述含氧气体的流量比为
1.0
以下
。9.
根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一处理气体中的所述碳氟化合物气体相对于所述氢氟碳化合物气体的流量比大于所述第二处理气体中的所述碳氟化合物气体相对于所述氢氟碳化合物气体的流量比
。10.
根据权利要求8或9所述的蚀刻方法，其特征在于，将包括所述工序
(C1)
和所述工序
(C2)
的循环实施一次以上
。11.
根据权利要求8～
10
中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述工序
(C2)
的处理时间相对于所述工...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川显，小松贤次，上村一真，平山司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：