本发明专利技术的目的在于提供提高成品率的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：试样台基座，其配置于试样台的外周；压力传感器，其经由连结管和缓冲部而连接于试样台基座；加热器，其以使连结管、所述缓冲部的温度随着趋向所述压力传感器而变高的方式形成温度梯度，并且以使压力传感器成为与试样台之上的等离子体生成空间近似的温度的方式调整加热；以及矩形形状的基座板，其配置于试样台基座的下侧。压力传感器保存于由矩形形状的基座板之上的试样台基座的外侧的基座板的角部的防热板划分出的部位，等离子体处理装置设为该角部的部位的内外通过开口而连通的结构。位的内外通过开口而连通的结构。位的内外通过开口而连通的结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及对在配置于真空容器内部的处理室内的试样台上支承的半导体晶片等基板状的试样使用形成于该处理室内的等离子体进行处理的等离子体处理装置，尤其是涉及使用对处理室内部的压力进行检知的压力计的输出来调节处理室内的压力并且处理所述试样的等离子体装置。
技术介绍
[0002]等离子体处理装置谋求在半导体晶片(试样)的处理中将处理室内部的压力在长期间或以较高的精度设为适于等离子体处理的范围内的期望的值。这样的处理室内部的压力使用与处理室内部连通并安装于真空容器的压力计来检测，并使用根据该压力计的输出的值检测出的压力的值，来调节处理室内部的压力的值。
[0003]另一方面，已知这样的压力计具有根据检知的温度即使为相同的压力的值输出的值也不同的所谓的对温度的依赖性(压力计的输出值具有温度依赖性)。另外，已知压力计的输出值伴随着等离子体处理装置的运转时间的经过或者稀少的处理的张数的累计变大而从初始的状态变动这样的经时变化性(压力计的输出值具有经时变化性)。因此，在等离子体处理装置的运转时间达到规定的期间的情况、半导体晶片(试样)的处理的张数的累计达到规定的处理的量的情况下，在达到后，进行修正压力计的输出值以及其精度的校正的作业。
[0004]另一方面，针对近年的等离子体处理装置，为了提高晶片的处理的精度，而逐渐开发出如下等离子体处理装置，即，将支承晶片的试样台配置于处理室的上下方向的中央部，处理室由为试样台上表面的上方的空间且在内部形成等离子体的放电区域、为试样台底面的下方的空间且与位于该底面的正下方的排气口面对的排气区域以及将它们之间连结并连通的试样台外侧壁的外周侧的空间构成。在这样的技术中，从形成等离子体的试样台上表面的上方的空间(放电区域)到排气区域的处理室内部的气体、粒子的流动的周向的偏差降低，处理的精度提高。
[0005]作为这样的等离子体处理装置的例子，已知有国际公开第2021/149212号(专利文献1)所记载的等离子体处理装置。在专利文献1中公开了如下等离子体处理装置，即，包围处理室的真空容器由上部容器、下部容器以及夹持于它们之间且包括试样台的环状的构件构成，且在试样台上表面上方具备形成等离子体的放电用的空间，并且在试样台底面下方具备与排气口面对的空间，试样台在上下方向上支承于这些空间之间。并且，公开了如下技术，即，除了与在上下的容器之间保持的环状的构件连接并与处理室内部连通的控制用压力计以外，还利用连接于与处理室相连的空间的校正用压力计，从而不需要在大气压下进行的控制用的压力计的校正作业。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2021/149212号
技术实现思路
[0009]专利技术要解决的课题
[0010]然而，在专利文献1中，关于如下那样的点考虑并不充分，因此产生了问题。
[0011]即，在专利文献1中，压力计配置于从形成等离子体的试样台上表面上方的空间分离的部位。因此，由于形成等离子体而包围该空间的部位被加热，但当配置压力计的从等离子体分离的部位的温度与形成等离子体的区域的温度之差较大时，由于此而由压力计检测出的温度也会差变大，使用该压力计的输出调节处理室内的压力而进行的晶片的处理的从期望的处理的偏差、偏移变大。
[0012]并且，为了解决这样的课题，考虑应用将压力计加热而调节温度的结构的情况。在该情况下，在对由多个构件构成的压力进行检测的单元中，压力计通常配置于等离子体处理装置的端部。此时，压力计若未将其周围充分地排热，则设置于压力计内的压力传感器被过度加热，反而压力的检知的精度受损。关于这样的点，也未考虑。
[0013]这样，在专利文献1中，由于检知压力的部位与检知对象之间的距离，关于检知的温度的误差的降低，未充分考虑。因此，关于晶片的处理的再现性、作为处理的结果的加工后的形状的精度受损且处理的成品率受损，并未考虑。
[0014]本专利技术的目的在于提供提高成品率的等离子体处理装置。
[0015]用于解决课题的方案
[0016]等离子体处理装置具备：试样台基座，其配置于试样台的外周；压力传感器，其经由连结管和缓冲部而连接于试样台基座；加热器，其以使连结管、所述缓冲部的温度随着趋向所述压力传感器而变高的方式形成温度梯度，并且以使压力传感器成为与试样台之上的等离子体生成空间近似的温度的方式调整加热；以及矩形形状的基座板，其配置于试样台基座的下侧。压力传感器保存于由矩形形状的基座板之上的试样台基座的外侧的基座板的角部的防热板划分出的部位，等离子体处理装置设为该角部的部位的内外通过开口而连通的结构。
[0017]专利技术效果
[0018]使构造上存在于端部的压力传感器将与高温的缓冲部的温度差维持得较大而提高排热，并抑制过加热，而降低压力传感器的检测误差。由此，降低晶片处理条件的偏差，而提高处理的成品率。
附图说明
[0019]图1是示出本专利技术的实施例的等离子体处理装置的结构的概要的立体图。
[0020]图2是示出本专利技术的实施例的等离子体处理装置的结构的概要的剖视图。
[0021]图3是示意性示出图2所示的实施例的等离子体处理装置的试样台基座周围的结构的概要的俯视图。
[0022]图4是示意性示出图2所示的实施例的等离子体处理装置的真空计单元的结构的概要的剖视图。
[0023]图5是示意性示出图2所示的实施例的等离子体处理装置的真空计单元的结构的概要的立体图。
[0024]图6是将图1所示的实施例的等离子体处理装置的罩的结构放大而示出的立体图。
[0025]图7是对图4所示的真空计单元的加热器进行说明的图。
具体实施方式
[0026]以下，使用附图来说明本专利技术的实施方式。
[0027]实施例
[0028]使用图1至7来说明本专利技术的实施例。
[0029]图1是示出本专利技术的实施例的等离子体处理装置的结构的概要的立体图。本图所示的等离子体处理装置100是构成包括未图示的至少一个真空搬运容器的真空处理装置的一部分、且其侧壁与在内部搬运半导体晶片等处理对象的基板状的试样的一个真空搬运容器连结的处理单元。等离子体处理装置100如后述那样，是在内部具有真空容器的处理单元，载置于在真空搬运容器的内部的搬运室配置的搬运用的机器人的臂前端部且未处理的晶片被搬入真空容器内部的处理室，且处理后的晶片从处理室向搬运室搬出。
[0030]等离子体处理装置100在从上方观察的情况下具有大约矩形形状的形状，且在其最下部具备具有长方体形状的架台部14，该架台部14内置有进行与用于在真空容器内部进行处理晶片的动作的电源、电力的中继用的设备、真空处理装置主体、设置真空处理装置的建筑物之间的信号、气体的交换的接口。载置于架台部14的上方的涡轮分子泵等真空泵和包括该真空泵的排气部13、具备将在内部供给处理用气体而处理晶片的处理室内置的真空容器以及在内部具有闸阀而起到将真空容器与本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置具备：试样台基座，其配置于试样台的外周；压力传感器，其经由连结管和缓冲部而连接于所述试样台基座；加热器，其以使所述连结管、所述缓冲部的温度随着趋向所述压力传感器而变高的方式形成温度梯度，并且以使所述压力传感器成为与所述试样台之上的等离子体生成空间近似的温度的方式调整加热；以及矩形形状的基座板，其配置于所述试样台基座的下侧，所述压力传感器保存于由矩形形状的所述基座板之上的所述试样台基座的外侧的所述基座板的角部的防热板划分出的部位，所述等离子体处理装置设为该角部的部位的内外通过开口而连通的结构。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述试样台基座设为环状，并且具备贯通孔，所述贯通孔具有供所述连结管连接的开口部，所述连结管以及所述缓冲部连接于所述开口部与所述压力传感器之间，保存所述压力传感器的所述部位是所述矩形形状的所述基座板之上的所述环状的所述试样台基座的外侧。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，通过所述部位的内外并将所述部位的内外连通的所述开口由在夹着所述基座板的角部而相邻的两个侧壁罩分别设置的第一开口部和第二开口部构成，所述等离子体处理装置的外部的气氛从所述第一开口部和所述第二开口部的一方向所...
【专利技术属性】
技术研发人员：于盛楠，植村崇，佐藤浩平，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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