用添加剂气体进行的高深宽比接触刻蚀制造技术

披露了一种处理衬底的方法，该方法包括：使碳氟化合物、金属卤化物和分子氢(H2)流动到等离子体处理腔室中，该等离子体处理腔室被配置成固持衬底，该衬底包括作为刻蚀目标的包含氧化硅的介电层和在该介电层上的包含多晶硅(poly‑Si)的图案化硬掩模；在使这些气体流动的同时，在该等离子体处理腔室中产生等离子体；以及通过将该衬底暴露于该等离子体以在该介电层中刻蚀凹部来形成高深宽比特征部，其中在该暴露期间在该图案化硬掩模上形成含金属钝化层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术总体上涉及处理衬底的方法，并且在具体实施例中涉及用添加剂气体进行的高深宽比接触(harc)刻蚀。

技术介绍

1、通常，通过在衬底上依次沉积和图案化介电材料层、导电材料层和半导体材料层以形成集成在单片结构中的电子部件和互连元件(例如，晶体管、电阻器、电容器、金属线、触点和通孔)的网络来制造半导体器件如集成电路(ic)。用于形成半导体器件的构成结构的许多处理步骤是使用等离子体工艺进行的。

2、半导体行业已经将半导体器件中的最小特征尺寸反复缩小至几纳米，以提高部件的封装密度。因此，半导体行业越来越需要等离子体处理技术，以提供具有通常在原子级尺寸上的准确度、精确度和轮廓控制的用于图案化特征部的工艺。面对这一挑战以及大容量ic制造所需的均匀性和可重复性，需要等离子体处理技术的进一步创新。

技术实现思路

1、根据本专利技术的实施例，一种处理衬底的方法，该方法包括：使碳氟化合物、金属卤化物和分子氢(h2)流动到等离子体处理腔室中，该等离子体处理腔室被配置成固持衬底，该衬底包括作为刻蚀目标的包含氧化硅的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种处理衬底的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括使分子氧(O2)流动。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该碳氟化合物包括C4F6、C4F8、CF4、C3F8、CHF3或CH2F2。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物是六氟化钨(WF6)。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物是六氟化钼(MoF6)、六氟化铌(NbF6)、六氯化钨(WCl6)、三氯化铝(AlCl3)或四氯化钛(TiCl4)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物的流量在这些气体的总流量的0.01％...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种处理衬底的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括使分子氧(o2)流动。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该碳氟化合物包括c4f6、c4f8、cf4、c3f8、chf3或ch2f2。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物是六氟化钨(wf6)。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物是六氟化钼(mof6)、六氟化铌(nbf6)、六氯化钨(wcl6)、三氯化铝(alcl3)或四氯化钛(ticl4)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该金属卤化物的流量在这些气体的总流量的0.01％与1％之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在将该衬底暴露于该等离子体的同时，使该金属卤化物间歇地流动。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该介电层包括氧化硅和氮化硅的层堆叠。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该凹部的深宽比为至少50:1。

10.一种处理衬底的方法，该方法包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：张度，王明美，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：