本发明提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为...

本发明涉及输送要配置在基板处理室内的构件的装置、基板处理系统以及输送所述构件的方法。提供将要配置在基板处理室内的构件向预先设定的配置位置输送的技术。该装置包括用于相对于使彼此相邻地设置的基板输送室和基板处理室连通的开口部装卸自如地封堵开...

本实用新型涉及基板处理装置，可适当地进行处理液容器的更换。基板处理装置具有：多个处理液容器(51)，其收容处理液；多个作为供给管的管(84)，其与多个处理液容器(51)分别连接；以及控制部，其控制多个供给管的移动。控制部控制供给管的上下...

本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变...

一种基板处理装置，对由第一基板、界面层以及第二基板层叠地形成的重合基板进行处理，所述界面层至少包含激光吸收膜和剥离促进膜，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；界面用激光照射部，其将激光脉冲状地照射于所述激光吸收膜；移动...

本公开的表面改性方法用于通过处理气体的等离子体将基板的与其它基板接合的接合面进行改性，所述表面改性方法包括调整工序和改性工序。在调整工序中，通过向能够收容基板的处理容器内供给加湿后的气体，来调整处理容器内的水分量。在改性工序中，在调整了...

提供一种能够对吸附力的不均进行抑制，并降低成本的载置台及基板处理装置。该载置台包括：基台；静电吸盘，设置在所述基台上，并且在内部具有2极以上的N极的电极；以及电源，向所述N极的电极施加相位彼此不同的2相以上的N相的电压，该电压的正负周期...

本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法，能够针对多个模块以高自由度且高生产率进行基板替换动作。对基板进行处理的处理系统具备：多个模块，所述多个模块包括保持基板并对基板进行处理的处理室；搬送室，其与多个模块连接；基板搬送装置，其设置于搬...

本发明提供抑制加热所需的消耗功率，提高温度控制性的基片加热装置和基片处理装置。基片加热装置包括：感应加热线圈；保持托盘，其具有载置并保持基片的基片保持部，能够被上述感应加热线圈感应加热；和旋转台，其支承上述保持托盘，被设置成能够旋转。被...

本发明是一种在基片的周缘部涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；涂敷液供给嘴，其向由上述保持旋转部保持的基片的周缘部供给涂敷液；使上述涂敷液供给嘴移动的移动机构；以及控制部，控制上述保持旋转部、上述涂敷液供给...

维护装置包括：形成有开口部的壳体，开口部具有与在处理容器设置有第一开闭门和第二开闭门的真空处理装置的第二开闭门对应的尺寸，第一开闭门用于基片的送入送出，第二开闭门与第一开闭门不同，能够将开口部气密地安装于第二开闭门；用于对壳体内部进行减...

本发明涉及基板处理装置和处理液容器更换方法，可适当地进行处理液容器的更换。基板处理装置具有：多个处理液容器(51)，其收容处理液；多个作为供给管的管(84)，其与多个处理液容器(51)分别连接；以及控制部，其控制多个供给管的移动。控制部...

基板加工方法包括以下的(A)～(C)。在(A)中，准备基板，该基板具有第一主表面以及与所述第一主表面朝向相反的第二主表面，并且所述第一主表面和所述第二主表面分别具有波纹。在(B)中，基于所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面中的一面的...

本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体处理装置，实行包括以下工序的处理：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀...

在基板输送室内，由利用了磁悬浮的基板输送模块对基板进行输送。进行基板的输送的装置具备：基板输送室，其具有设有第1磁体的地面部，经由开口部连接有对基板进行处理的基板处理室；以及基板输送模块，其具备：基板保持部，其保持所述基板；和第2磁体，...

本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模...

本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基...

本发明提供一种基板处理装置。实施方式的基板处理装置具备多个处理单元和气体供给部。多个处理单元层叠地配置，并在腔室内保持基板而利用处理液对基板进行液处理。气体供给部针对每个处理单元设置，并向处理单元的内部供给气体。另外，气体供给部包括引进...

提供接合装置、接合系统、接合方法和计算机存储介质。将基板彼此接合的接合装置具有：第一保持部，其对第一基板进行抽真空来将该第一基板吸附保持于所述第一保持部的下表面；第二保持部，其设置于该第一保持部的下方，对第二基板进行抽真空来将该第二基板...

本发明提供一种等离子体处理方法，包括下述步骤：a)在等离子体处理腔室内的基板支撑部上，提供具有含硅膜和所述含硅膜上的掩膜的基板；b)对所述等离子体处理腔室内供给处理气体；c)对所述基板支撑部周期性地供给脉冲电压；及d)周期性地供给RF电...